MBE生长面发射激光器的原位厚度监测
| Data(s) |
1996
|
|---|---|
| Resumo |
在MBE生长"DBR型结构性材料"的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周增圻;潘钟;林耀望;吴荣汉;王圩.MBE生长面发射激光器的原位厚度监测,半导体学报,1996,17(8):589 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
