GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质．XRD(x射线衍射)结果分析显示，键合后的样品中出现了新的合金和化合物 国家“八六三”计划基金,国家杰出青年基金,国家自然科学基金-RGC联合基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙元平;付羿;渠波;王玉田;冯玉宏;赵德刚;郑新和;段俐宏;李秉臣;张书明;杨辉;姜晓明;郑文莉;贾全杰.GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术,中国科学. E辑，技术科学,2002,32(5):584-589 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
