中国水栖寡毛类的研究 Ⅰ.仙女虫科和蛭蚓科新种的描述

<正> 本文记载仙女虫科(Naididae)1新种、1新亚种及蛭蚓科(Branchiobdellidae)1新属、2新种。其中蛭蚓科两种系特殊的种类,本科各已知种专以螯虾(Astacus,Cambarus,Cambaroides等属)为寄主,故只分布于出产螯虾的地区,国内仅东北有过记载。而这两个新种却寄生淡水小虾,分布于云南、河南两个尚未发现螯虾的省份。在不产螯虾的地区首次发现,对研究本科动物的生态、分布诸问题,都有很大的价值。

Relationships between the biomass of algal crusts in fields and their compressive strength

In the desert areas of China investigated by the authors, various biological crusts were predominately associated with three blue-green algal (cyano bacterial) species, Microcoleus vaginatus Gom., Phormidium tenue (Menegh.) Gom. and Seytonema javanicum (Mitz.) Born et Flah. Their biomass and their compressive strength were measured simultaneously in the field in this study. It was also found that the compressive strength of algal crusts was enhanced with the increasing of algal biomass from an undetectable level to a value as high as 9.6mg g(-1) dry soil. However, when the algal biomass decreased, the compressive strength did not descend immediately, but remained relatively steady. The higher the algal biomass became, the thicker were the algal crusts formed. Given the same biomass, the highest compressive strength of man-made algal crusts in fields was found at an algal ratio of 62.5% M. vaginatus, 31.25% P. tenue and 6.25% S. javanicum, and it reached 0.89kgcm(-2). When the biomass of the crusts increased above the value of 8.16 mg chl ag(-1) dry soil, the compressive strength would not ascend easily. It indicated that the compressive strength of man-made algal crusts appeared temporarily saturated in the field. (c) 2006 Elsevier Ltd. All rights reserved.

The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si

Carbonized buffer layers were formed with C2H4 on Si(100) and Si(111) substrates using different methods and SIC epilayers were grown on each buffer layer at 1050 degrees C with simultaneous supply of C2H4 and Si2H6. The structure of carbonized and epitaxy layers was analyzed with in situ RHEED. The buffer layers formed at 800 degrees C were polycrystalline on both Si(100) and Si(111) substrates whereas they were single crystals, with twins on Si(100) and without tu ins on Si(111)substrates. when formed with a gradual rise in substrate temperature from 300 degrees C to growth temperature. Raising the substrate temperature slowly results in the formation of more twins. Epilayers grown on carbonized polycrystalline lavers are polycrystalline. Single crystal epilayers without twins grow on single crystalline buffer layers without twins or with a few twins. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

一种基于移动Agent的复合Web服务容错模型

现有的Web服务容错侧重于通过扩展Web服务标准来提供容错能力.由于Web服务标准体系本身不断发展变化,并且标准之间的兼容性问题依然存在,使得这些研究成果的可实施性较弱.文章提出一种基于移动Agent的复合Web服务容错模型--MAFTM模型,从系统层次而非标准层次来解决复合Web服务的容错问题.首先说明基于移动Agent的工作流与复合Web服务的关系.在此基础上,给出MAFTM模型,包括故障类型、复制机制、"exactly once"语义和一致性算法,并证明MAFTM模型的正确性.

黄土高原沟壑区不同种植年限果园土壤水分变化

对黄土高原沟壑区不同种植年限果园土壤深层水分变化进行了研究。结果表明,受降水影响0~2m土层水分变化较大,且0~40 cm4、0~80 cm、80~200 cm三个土层土壤含水量之间的差异达到极显著水平;2 m以下由于没有水分的补给,土壤水分含量趋于稳定,出现了干燥现象。随着种植年限的增加,深层土壤的干燥化现象有增加趋势。

L_n-PIR的粘弹行为及其对分子链结构、分子量和分子量分布的依赖性

本论文应用应力应变和动态力学方法，系统地表征了L_n-PIR的粘弹行为及其对聚合物链结构、分子量和分子量分布的依赖性，建立了有关力学量与分子量和分子量之间的相互作用规律的数学模式。结果表明，聚合物的粘弹力学量可以用有效分子量的概念来描述：P=K{(M-bar)_ηexp[(M-bar)_w/(M-bar)_n-1]}~(-α) <1>不同类型的分子量的K_D值是不同的，其K_D大小顺序为：(M-bar)_n > (M-bar)_w > (M-bar)_k > (M-bar)_z。弹性物理量对分子量分布的依赖性较粘性物理量为小。分子量和分子量分布对屈服行为的影响，可以归结为分子链缠结行为的作用。L_n-PIR的屈服强度与链缠结点数(m-1)之间的关系满足如下指数方程λ_yσ_y=5.99*10~5(m-1)~(0.47)，达因·厘米~(-2) <2>聚合物的屈服活化能与解链缠结活化能等值等效，均是为使分子链开始解缠结，克服缠结间链段的分子间作用力所做的功，是链缠结分子量的函数。对L_n-PIR，ΔEy与Me之间的关系为 ΔEy=-148.0+40.0 logMe，千焦/摩尔 <3>在M-bar=Mc时，ΔEy达最大值，为其流动活化能。L_n-PIR的屈服破坏能等效于解分子链缠结能，是为使缠结点解脱，克服缠结点的单体单元之间的范德华力所做的功。ΔEd是缠结点数(m-1)的函数ΔEd.=1.38*10~4(m-1)，焦耳·摩尔~(-1) <4>单个链缠结点对ΔEd的贡献是相同的，约为0.143er，相当于相互缠结的两分子链段的链节单元之间的距离接近于范德华平衡半径re=2.84A的分子间作用力。另由于L_n-PIR聚合物本体内存在的紧密的分子链缠结结构，导致非牛顿效应，其流变行为和应力松弛行为偏离牛顿线性流动规律。L_n-PIR的本体粘度与分子量和分子量分布的关系为η_0~(100)=8.91*10~(-19) (M-bar)_η~(4.25)exp[-0.30*4.25((M-bar)_w/(M-bar)_n-1)]，达因·厘米~(-2)·秒 <5>正应力系数与分子量和分子量分布之关系为ξ_0~(100)=1.43*10~(-32) (M-bar)_η~(6.86)exp[-1.10((M-bar)_w/(M-bar)_n-1)]，达因·厘米~(-2)·秒<6>由于分子链的热运动状况不同，回复柔量对分子链结构和分子结构的依赖性是随温度而变化的。L_n-PIR在25 ℃和100 ℃时，回复柔量与分子量和分子量分布的关系为25 ℃: Je-o=0.158(M-bar)_η~(-0.75)exp[+0.298((M-bar)_w/(M-bar)_n-1)]，达因~(-1)·厘米~2 <7> 100 ℃: Je-o=1.32*10~6(M-bar)_η~(-1.81)exp[0.704((M-bar)_w/(M-bar)_n-1)]达因~(-1)·厘米~2 <8>最大松弛时间与(M-bar)_η、MWD之关系为Jm=1.19*10~(-6)(M-bar)_η~(1.72)exp[-0.282((M-bar)_w/(M-bar)_n-1)]，秒<9> Rouse松弛时间与(M-bar)_η、MWD之关系为Jr=1.79*10~(-14)(M-bar)_η~(3.46)exp[-0.567((M-bar)_w/(M-bar)_n-1)]，秒 <10>。

猪的起源分化

猪形亚目 (Suiformes) 是相对比较原始的偶蹄类，现生物种有3 个科：河马科 （Hippopotamidae），西猯科（Tayassu）和猪科（Suidae）。虽然猪类是分布最广泛、 适应性最强、最为昌盛的哺乳动物之一，但猪形亚目各物种的系统发育关系目前 研究很少，各成员之间的系统发育关系尚待解决，如河马的分类地位与系统发育 关系就一直存在争议。家养动物在人类早期农业文明的发展中起着重要作用，因 而对家养动物的驯化与扩散的研究受到国际学术界的广泛关注。动物考古学和以 往线粒体DNA 的研究认为家猪有多个驯化中心存在。但较为确切的驯化地点、驯 化发生的时间以及扩散模式仍不清楚。 本研究测定了来自全国各地及东南亚、印度的567 头家猪和159 头欧亚野猪、 马来半岛野猪及非洲疣猪、红河猪线粒体基因组的部分或全部DNA 序列，同时分 析了所有GenBank 中已发表的野猪属线粒体DNA 序列；对猪形亚目各物种的系 统发育关系进行了探讨，构建了基于线粒体DNA 全序列的系统发育关系树，对系 统发育关系树各类群进行了系统的命名和界定，并将所有亚洲野猪和家猪线粒体 DNA 序列进行了单倍型类群的划分，采用平均突变距离法计算了各类群的溯祖时 间，由中性检验和核苷酸错配分布分析群体动态，进而分析野猪和家猪的系统地 理变异模式，从中推断野猪的系统地理分化和家猪的驯化地点、时间以及扩散模 式等群体历史事件。具体得到如下结果： 1. 河马与反刍类形成姐妹群的关系。然后河马和反刍类与猪形亚目的其它 类群形成姐妹群。猪科非洲物种间也是姐妹群的关系。鹿猪是猪科中最 早分化出来的。在野猪属中，爪哇野猪种组和欧亚野猪种组各聚为一支， 为姐妹群的关系。 2. 野猪属(Sus)起源于西瓦利克山脉，起初的扩张产生了野猪属各种组，有 一支扩散到远至苏拉威西岛屿后被长期隔离，形成印尼野猪。随后欧亚 野猪的扩张，产生分布于欧洲的E 类群，中东地区的M 类群和广泛分 布于东亚大陆及其附近岛屿的A 类群；中性检验和核苷酸错配分布显示 这次产生的A 类群后来也发生了多次群体扩张事件。但是马来半岛和东 南亚岛屿没有A 类群分布，而印度也只有古老的A*类群分布，这表明东亚类群A 主要是向东向北扩散。除了在人类饲养中发生的家猪的群体 扩张事件外，A 类群野猪最近的一次扩张事件是发生在约43,000 年前的 D1 类群的扩张，扩张路线主要是向东，直到东北和西伯利亚东南部， 中国西北地区没有D1 类群野猪分布；这一次扩张使D1 类群在整个野 猪群体中占据了主要地位，使得后来野猪的驯化主要发生在D1 类群。 而倒数第二次扩张则是发生在约60,000 年前的D 类群，从而产生了D1、 D2、D3、D4 和可能的新类群，这次扩张的范围要比最近一次扩张的范 围大，东至日本岛屿，北至西北地区都有分布，台湾和海南的野猪主要 是这次扩张过去的。总体上，野猪属内各物种及亚种的地理布与其在系 统发育关系树中的位置相对应。 3. 家猪分布在东亚世系中的两端，位于根部类群A*的为澳洲和太平洋岛 屿的返野猪和印度家猪，而广泛分布于亚洲大陆的家猪只出现在最为年 轻的世系D 中。澳大利亚和太平洋岛屿的返野猪均起源于泛印支那地 区，不支持太平洋岛屿返野猪独立驯化的观点。世系D 的亚类群D2、 D3 和D4 中的家猪主要分布于云南、印度和印支那。D1 类群中既有泛 印支那地区的优势亚类群也有长江流域的优势亚类群。日本古老DNA 不但分布于D1 类群，而且在D3、D*类群以及更古老的类群中均有分 布。总之，亚洲家猪主要起源于由印度东北、孟加拉、印支那北部和云 南南部这样一个湄公河流域，其它地方如中国长江流域和日本也可能发 生了有限的驯化事件。可能的驯化时间大约为12,000 年左右。家猪在中 国的扩散主要由云南向北经四川到达西北地区，向东达长江流域，而长 江流域是另一个区域性扩散中心，是东北亚家猪的主要来源。

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.

Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100)

Highly oriented voids-free 3C-SiC heteroepitaxial layers are grown on φ50mm Si (100) substrates by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). The initial stage of carbonization and the surface morphology of carbonization layers of Si(100) are studied using reflection high energy electron diffraction (RHEED) and scanning electron microscopy (SEM). It is shown that the optimized carbonization temperature for the growth of voids-free 3S-SiC on Si (100) substrates is 1100 ℃. The electrical properties of SiC layers are characterized using Van der Pauw method. The I-V, C-V, and the temperature dependence of I-V characteristics in n-3C-SiC-p-Si heterojunctions with AuGeNi and Al electrical pads are investigated. It is shown that the maximum reverse breakdown voltage of the n-3C-SiC-p-Si heterojunction diodes reaches to 220V at room temperature. These results indicate that the SiC/Si heterojunction diode can be used to fabricate the wide bandgap emitter SiC/Si heterojunction bipolar transistors (HBT's).

半导体微碟激光器设计原理与工艺制作

用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理，采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单，对有效光子状态密度调制较大，是比较理想的半导体微腔激光器。

黄方程与极化激元

于2010-11-23批量导入

The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si

Carbonized buffer layers were formed with C2H4 on Si(100) and Si(111) substrates using different methods and SIC epilayers were grown on each buffer layer at 1050 degrees C with simultaneous supply of C2H4 and Si2H6. The structure of carbonized and epitaxy layers was analyzed with in situ RHEED. The buffer layers formed at 800 degrees C were polycrystalline on both Si(100) and Si(111) substrates whereas they were single crystals, with twins on Si(100) and without tu ins on Si(111)substrates. when formed with a gradual rise in substrate temperature from 300 degrees C to growth temperature. Raising the substrate temperature slowly results in the formation of more twins. Epilayers grown on carbonized polycrystalline lavers are polycrystalline. Single crystal epilayers without twins grow on single crystalline buffer layers without twins or with a few twins. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.