宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率. 国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王书荣;王圩;刘志宏;朱洪亮;张瑞英;丁颖;赵玲娟;周帆;田慧良.宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器,半导体学报,2005,26(3):567-570 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
