51 resultados para IA SUPERNOVAE
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目的 被尖吻蝮蛇(D ienag k istrod on acu tus) 咬伤会引起严重的出血, 对蛇毒出血毒素的研究有利 于治疗蛇伤出血药物筛选。方法 采用Sephadex G275, DEA E2Sephadex A 250, Sephadex G2200 和两次 PBE 聚焦层析纯化。SDS2PA GE 电泳和等电聚焦电泳测定纯化样品的纯度和等电点。氨基酸组成用自动氨 基酸分析仪测定。以小鼠背部皮下注射部位出血斑的面积来确定最小出血剂量和常规的方法测定酶活性。 结果 从尖吻蝮蛇毒中纯化到一个相对分子量为56 000 的出血毒素(DaHT23) , 经氨基酸组成测定计算, 它由487 个氨基酸残基组成。此成分在SDS2PA GE 上显示出一条均一的蛋白染色带, 其p I 为5150。该出 血成分的最小出血剂量是216Lg, 具有蛋白水解酶活力, 其活力为3168, 但没有精氨酯酶和磷脂酶A 2 活 力。当加入EDTA 螯合剂去除金属离子后, 它们的出血活力和蛋白水解酶活力均丧失。结论 这是从大 陆尖吻蝮蛇毒中获得的一个新的出血金属蛋白酶(DaHT 23)。
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Metamorphic InGaAs quantum well structures grown on GaAs reveal strong light emission at 1.3-1.6 mu m, smooth surface with an average roughness below 2 nm. and good rectifying I-V characteristics. Dark line defects are found in the QW Post growth thermal annealing further improves the luminescence efficiency but does not remove those dark line defects. Some challenges of epitaxial growth using this method for laser applications are discussed. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
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近年来对稀土冠醚络合物的研究日益受到重视文献曾报导了12-冠-4,15-冠-5,18-冠-6等冠醚与稀土的固体络合物的合成性质及结构的研究,但大部分工作侧重于研究冠醚空腔与稀土离子直径的匹配程度对络合物稳定性的影响,而对于冠醚具有的取代基、空间构型及其配位阴离子等对络合物稳定性、组成结构的影响尚注意得很不够,对溶液中络合物的研究工作较少;特别是冠醚对稀土元素萃取性质的研究未见系统报导。本论文以瑞士进口的二环已基18-冠-6(DCC)混合物为原料进行异构体的分离。得到纯异构体A、B、D的~(13)C谱,不同位置的五种碳原子的谱线清析可辨,其化学位移值与计算值比较,确定了谱线的归属,利用单一异构体测定结果,对异构体A、B、D混合物进行鉴定得到满意结果。利用分离得到的纯异构体A、B及北京五所提供的异构体D合成了与轻稀土硝酸盐络合物。元素分析结果指出,除1:1络合物外,首次得到非1:1组成的络合物。La(NO_3)_3·DDC(DCC=Ia,Id),[Ln(NO_3)_3]_3(DCC)_2 (Ln=Ce,Pr,Nd,DCC=Ia,Id)而异构体B得到全部3:2的络合物。选择硝酸镧与三种异构体的络合物进行了热分析,结果指出3:2与1:1络物物表现出完全不同的热分解行为。3:2络物合只有一步分解,且比1:1络物合具有更高的热分解温度1:1络合物分两步分解,首先发生向3:2络合物的转变。络合物的红外光谱研究表明,络合物中冠醚与自由冠醚的红外光谱图呈现明显区别,冠醚环上COC反对称伸展振动在生成络合物后向低频产生50~70 cm~(-1)的位移,其中3:2比1:1络合物位移量略大,络合物中硝酸根的振动吸收全部呈现配位硝酸根的特征谱带,并且3:2与1:1络合物之间呈现明显差别。另外在远红外区观察到Ln-O(NO_3~-)的振动谱带。用NMR研究冠醚与稀土在非水溶剂中的络合反应。首先测定了12-冠-4,15-冠-5与位移试剂Pr(fod)_3,Eu(fod)_3,Yb(fod)_3体系中冠醚次甲基上'H及~(13)C的化学位移值Δδ,得到了谱线随稀土与冠醚浓度比改变的变化规律。位移方向,对于Pr向高场移动,对于Eu、Yb向低场移动,位移量及谱线宽度的大小为Yb>Pr>Eu。且Δδ~(13)C>Δδ~1H符合几何因素的规律,即正比于(3COS~2θ-1)/~r~3。利用二种方法计算了不同温度下络合物的稳定常数。对于不同冠醚,K值次序为冠-5>冠-4>冠-6,对于不同位移试剂为Pr>Eu>Yb。利用不同温度的K_1值,计算并讨论了平衡反应的热力学函数ΔG°,ΔH°,ΔS°。实验考察了微量水存在下络合物的结构和作用机理,在高氯酸盐与冠醚体系的研究中,观察到与位移试剂体系完全相反的规律。还发现在高氯酸稀土与冠醚的体系中快和慢两种交换过程共存,通过对单一交换体系的络合物稳定常数计算方法的改进,提出了适合混合交换体系的计算方法,并计算了18C6与Pr(clo_4)_3络合物在20℃时的稳定常数,K_1=164升/摩乐。系统地研究了12-冠-4,15-冠-5,18-冠-6的衍生物及其二苯并24-冠-8等11种冠醚对单一稀土苦味酸盐的萃取,制备了15个稀土的苦味酸盐,考察了冠醚的空腔大小及取代基和空间构型对冠醚萃取稀土能力的影响,得到了B15C5,B18Cb,DCC萃取15个稀土元素的规律性,测定了相邻稀土元素间的分离因数,讨论了各种因素对DCC异构体萃取分离Pr Nd的影响,指出异构体A具有更大选择性。最大分离因数β_(Nd)~(Pr)=3.5,上述结果将为今后发展冠醚在稀土分离液膜萃取等方面的应用提供基础数据。
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目的 探讨不同浓度他克莫司(TM)对不同强度长波紫外线(UVA)照射HaCaT细胞24h和48h后细胞 增殖活性的影响。方法将培养的HaCaT细胞分别行2, 4 和8J / cm2 的UVA 照射,且照射前1h 分别加入50, 500 和 5 000pg/mL的TM,对照组分别加入50, 500和5 000pg/mL的TM,但不行UVA照射。各剂量组分别照射24h和48h后在 倒置相差显微镜下观察细胞的形态变化,MTT法检测细胞的增殖活性。结果 HaCaT细胞经UVA照射24h后,细胞连接 松散,细胞折光性较未照射组差,部分细胞死亡、脱壁;与未经UVA照射组相比,细胞增殖受到抑制( P < 0. 05) ,加入TM 组无明显变化( P > 0. 05) ;照射48h后细胞虽有大量增殖,但体积较小;与未经UVA 照射组相比,细胞增殖明显( P < 0. 05) ,加入TM组细胞增殖受到抑制(P < 0. 05) 。结论 TM可抑制UVA照射HaCaT细胞引起的过度增殖,对UVA照射 后的HaCaT细胞有保护作用。
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本研究从磷霉素(FOM)生产车间和储存仓库附近土壤中筛选手性环氧化顺式丙基磷酸(cPA)合成FOM的高效生物转化细菌。采用两种筛选模型,从土壤样品中分离到了183株待选细菌,其中147株为FOM抗性细菌,36株为cPA利用细菌。采用改进的琼脂块培养法,初筛获得了22株生物转化合成FOM菌株;再经振荡培养法,复筛获得3株生物转化活力较高的菌株,分别为FB3212、FB4211和FB7912。通过培养特征、生理生化特征性试验和16SrRNA序列分析鉴定,确定FB3212为赤红球菌(Rhodococcusruber),FB4211属于De沂ia菌属,FB7912为梭形芽抱杆菌(Bacillusfusformis),皆为新发现的生物转化合成FOM菌种。通过转化特性试验,FB3211、FB42n和FB7912的FOM转化合成均属于VO3-依赖型。甘油与Co2+对转化有明显的促进作用。在分批培养实验中FoM浓度在72h内随时间延一长而增高。底物cPA浓度对转化的影响最大,在三株菌中,FB7912的底物的抑制效应最小,转化活性最高,当cPA浓度为10mg/mL时,转化效果最佳,磷霉素转化产量为1.15mg/mL,转化率为10.17%。
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We show the four-dimensional Newton's constant obtained naturally from five-dimensional brane world with a tinily sloping extra dimension, which is independent of the bulk Weyl tensor. The corresponding universe is stiff fluid dominated when the slope of extra dimension is very small. Otherwise, the universe may be undergoing a self-acceleration at present epoch and have a decelerated phase in very recent past.
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We investigate the difference in the angular distribution of Ly-alpha(1) and K alpha(1) photons from hydrogenlike and heliumlike ions of uranium after radiative electron capture to the L shell. The strong anisotropy in the former case is changed to a very small one in the latter case. Our calculations support the observation. The effect takes place even in the limiting case of noninteracting electrons, being caused by the Pauli principle.
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2001年8月使用三维超声风温仪(IA-SA 485)测定并分析了中国科学院长白山森林生态系统开放站阔叶红松林样地(12828扙,4224?N,吉林省,中国)林地附近湍流特征。发现林地附近气流具有高度间歇性和不对称性,并为活跃的向上运动主导。垂直方向的湍流受到抑制,其时间尺度和长度尺度都小于水平两个分量的相应值,林地附近的气团呈偏平结构。热力作用对当地湍流产生和维持过程起到了主导作用。图4表3参15。
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运用Levins生态位宽度和Pianka生态位重叠公式,计测分析了科尔沁沙地流动沙丘以及山竹子Hedysarum fruticosum、柠条锦鸡儿Caragana korshinskii、黄柳Salix gordejevii和小叶锦鸡儿C.micro-phylla人工固沙群落内草本植物种群的生态位宽度和生态位重叠。研究结果表明:在不同的生境条件下物种的生态位宽度存在差异,沙蓬Agriophyllum squarrosum在流动沙丘上的生态位宽度最大,狗尾草Setar-ia viridis、毛马唐Digitaria ciliaris分别在山竹子群落和黄柳群落中的生态位宽度最大,烛台虫实Corispermum candelabrum在柠条锦鸡儿群落和小叶锦鸡儿群落中占据着最宽的生态位。各群落中生态位宽的物种对生态位重叠值较大,但有些较窄的生态位物种对之间也出现较大的生态位重叠,这种现象从另外的角度表明各群落内环境资源存在一定的空间异质性。不同固沙群落中相同物种的生态位宽度和生态位重叠的差异在一定程度上反映了各群落内不同的区域环境特征。
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拓扑异构酶(topoisomerase)是一类控制和修改双螺旋DNA复制和转录过程中的拓扑结构的酶,是生命活动中最重要的酶。以IA类和II类拓扑异构酶中共存的toprim以及CAP-like结构域为研究对象,对拓扑异构酶中的三大类酶的分子进化情况进行了分析。结果显示在IA类和II类酶之间序列保守性很低,但是具有两个保守的结构域,在IIB类拓扑异构酶中toprim结构域中存在着和其他toprim结构域相同的四个保守位点,而在CAP-like结构域中IA类和II类中存在较大差异,没有明显的序列保守性,IIB类和IIA类的CAP-like结构域在二级结构上非常相似。从toprim结构域系统进化研究中我们发现IIA类和皿类中toprim结构域的进化关系很近,两类酶的toprim结构域在亲缘关系上和primase较远,而以上三者和IA类的进化关系最远。CAP-like结构域的系统进化研究发现IIA类以及IA类的domain4的CAP-like结构域进化关系比较近,IIB类和他们之间关系稍微远一些,IA类的domain3和以上几个结构域的关系较远,这也与他们的二级结构上的一致性是相同的。通过分析,IIA、IIB类起源于类似IA类的古老的拓扑异构酶,'在IA类进化中经过基因复制产生了两个不同的CAP-like结构域。然后祖先拓扑异构酶发生了变化,N'端加入了ATPase结构域和DNAgyrase/Mutlsecond结构域,形成了严格依赖ATP供能的真核生物IIA类,在细菌中断开成为两个亚基的细菌中IIA类。IIB类是祖先细胞的IIA类的一个或者是两个亚单位在古细菌以及真核生物中通过复制、重组和缺失造成的,IIB类中的toprim结构域很接近IIA类,可以认为,llB类中的toPrim结构域直接由IIA类转移而来,而IIB类中的cAP一1汰e结构域较IIA类中产生更早一些,应该是由拓扑异构酶祖先中产生的二级结构为aβaaββ的CAP-like结构域直接进化而来。然而,两个结构域的基因在连接到一起时候发生了不同于一般顺序的拼接,于是nB类中两个结构域形成了不同于现在的IA类和IIA类的顺序。
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We demonstrate hybrid vertical architecture transistors that operate like metal-base transistors, using n-type silicon as the collector, sulfonated polyaniline as the base, and C-60 fullerene as the emitter. Electrical measurements suggest that the sulfonated polyaniline base effectively screens the emitter from electric field variations occurring in the collector leading to the metal-base transistor behavior.
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A series of novel sulfonated poly(arylene-co-binaphthalimide)s (SPPIs) were successfully synthesized via Ni(0) catalytic coupling of sodium 3-(2,5-dichlorobenzoyl)benzenesulfonate and bis(chloronaphthalimide)s. Bis(chloronaphthalimide)s were conveniently prepared from 5-chloro-1,8-naphthalic anhydride and various diamines. Tough and transparent SPPI membranes were prepared and the electrolyte properties of the copolymers were intensively investigated as were the effects of different diamine structures on the copolymer characterisitics. The copolymer membrane Ia-80, with an ion exchange capacity (IEC) of 2.50 meq g(-1), displayed a higher proton conductivity, i.e. 0.135 S cm(-1) at 20 degrees C, as compared to Nafion 117 (0.09 S cm(-1), 20 degrees C).
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In order to realize the common-emitter characteristics of the tris(8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq(3))-based organic transistors, we used Au/Al double metal layer as the base, thus the vertical metal-base transistors with structure of Al/n-Si/Au/Al/Alq(3)/LiF/Al were constructed. It was found that the contact properties between the base and the organic semiconductors play an important role in the device performance. The utilization of Au/Al double layer metal base allows the devices to operate at high gain in the common-emitter and common-base mode at low operational voltage.
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We report the fabrication of permeable metal-base transistors based on bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-biphenyl-4-olato) aluminum (BAlq(3))/tri(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq(3)) isotype heterostructure as emitter layer. In this transistor, n-Si was used as the collector, LiF/Al as the emitter electrode, and Au/Al bilayer metal as the base. We show that the leakage current is greatly reduced in Al/n-Si/Au/Al/BAlq(3)/Alq(3)/LiF/Al devices with respect to Al/n-Si/Au/Al/Alq(3)/LiF/Al devices due to the utilization of BAlq(3)/Alq(3) isotype heterostructure emitter, leading to high common-base and common-emitter current gains at low driving voltages.
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In this article, vertical structure p-type permeable-base organic transistors were proposed and demonstrated. A hole-type organic semiconductor N,N-'-diphentyl-N,N-'-bis(1-naphthylphenyl)-1,1(')-biphenyl-4,4(')-diamine was used as emitter and collector. In the permeable-base transistors, the metal base was formed by firstly coevaporating Al and Ca in vacuum and then annealing at 120 degrees C for 5 min in air, followed by a thin Al deposition. These devices show a common-base current gain of near 1.0 and a common-emitter current gain of similar to 270.