频闪He-Ne激光高速干涉摄影装置

用光振子调制连续输出的He-Ne激光,配合转鼓相机,形成了频闪He-Ne激光高速干涉摄影装置。摄影频率达每秒20000幅。配合超高速转镜相机,可作为超高速干涉摄影的可控同步单脉冲光源。

用脉冲He-Ne激光的分幅高速干涉摄影装置

<正> 用于诊断在透明介质环境中发生的快速、短暂现象的分幅高速干涉摄影装置,已在中国科学院力学研究所研制成功.它是由脉冲He-Ne激光光源、抗强振动的干涉仪及高速摄影机三部分组成.由于装置简单、抗振性好、获得的干涉图片结果直观、使

用He-Ne激光源的分幅高速干涉摄影

<正>用于研究在透明介质环境中发生的快速、短暂现象的分幅高速干涉摄影装置已研制成功,并得到应用.它是由脉冲He-Ne激光源、抗强振动的干涉仪与高速摄影机三部分组成.装置的结构简单、抗振、工作正常,能广泛地用于超音速风洞流场显示、燃烧、爆炸及强激光与物质相互作用等的研究中,能得到一系列清晰的干涉照片.在研制中,首次提出了逆程序运转方案,将连续输出的He-Ne激光器成功地改造成时间可控的脉冲光源.装置中用到了平晶型激光错位干涉仪.这是一种只有一块干涉元件的仪器,成本低,能获得比一般干涉仪大的视场.并且易于调整维护.

灵长类大脑前额叶NE Alpha-2Ⅰ亚型受体参与记忆过程的证据

灵长类大脑前额皮质与感觉联合皮质和皮质下结构有广泛的纤维联系, 可广 泛接受来自体内外的感觉信息。前额皮质与注意和短时记忆过程都有关, 可能 主沟区与短时空间记忆的关系更为密切, 北区的去甲肾上腺素能系统参与短时记 忆过程, alpha-2Ⅰ去甲肾上腺素亚型受体与增强记忆有关。参23

1523nm He-Ne 横向塞曼激光器的理论及实验

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Structural properties of ne implanted GaN

We report a study on the micro-structural changes in GaN due to neon ion implantation using the x-ray diffraction and Raman scattering techniques. An implantation dose of 10(14) cm(-2) was found unable to produce lattice deformation observable by Raman measurements. For higher doses of implantation several disorder activated Raman scattering centers were observed which corroborate the literature. A new dose dependent feature has been recorded at 1595 cm(-1) for higher implantation doses which is suggested to be the vibrational mode of microcavities produced in the lattice.

微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

采用等离子增强化学气相沉积方法(PEVVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333 K,353 K和373 K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06 eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94 V.

ne-Si:H薄膜的内应力特性研究

测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si：H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si：H薄膜的微结构，用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si：H薄膜的内应力。结果表明：nc-Si：H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加；在一定功率密度范围内掺磷nc-Si：H薄膜的压应力随功率密度增加而减少，并过渡为张应力；在373-523K之间，掺硼nc-Si：H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加；nc- Si：H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。