ne-Si:H薄膜的内应力特性研究
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si：H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si：H薄膜的微结构，用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si：H薄膜的内应力。结果表明：nc-Si：H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加；在一定功率密度范围内掺磷nc-Si：H薄膜的压应力随功率密度增加而减少，并过渡为张应力；在373-523K之间，掺硼nc-Si：H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加；nc- Si：H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。 测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si：H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si：H薄膜的微结构，用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si：H薄膜的内应力。结果表明：nc-Si：H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加；在一定功率密度范围内掺磷nc-Si：H薄膜的压应力随功率密度增加而减少，并过渡为张应力；在373-523K之间，掺硼nc-Si：H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加；nc- Si：H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:00导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4867.pdf: 356108 bytes, checksum: 406f31aa7a3a2b5df58818525c88f055 (MD5) Previous issue date: 2003 国家863计划,教育部高等校博士点基金（2 22 6 37）,北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学光电技术研究所;中国科学院半导体研究所 国家863计划,教育部高等校博士点基金（2 22 6 37）,北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
韦文生;王天民;张春熹;李国华;韩和相;丁琨.ne-Si:H薄膜的内应力特性研究,功能材料与器件学报,2003,9(3):285-290 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
