微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
采用等离子增强化学气相沉积方法(PEVVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333 K,353 K和373 K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06 eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94 V. 北京市自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
许颖;刁宏伟;张世斌;励旭东;曾湘波;王文静;廖显伯.微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层,物理学报,2007,56(5):2915-2919 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
