Integrated luminescent chemical microsensors based on GaN LEDs for security applications using smartphones

Development of PCB-integrateable microsensors for monitoring chemical species is a goal in areas such as lab-on-a-chip analytical devices, diagnostics medicine and electronics for hand-held instruments where the device size is a major issue. Cellular phones have pervaded the world inhabitants and their usefulness has dramatically increased with the introduction of smartphones due to a combination of amazing processing power in a confined space, geolocalization and manifold telecommunication features. Therefore, a number of physical and chemical sensors that add value to the terminal for health monitoring, personal safety (at home, at work) and, eventually, national security have started to be developed, capitalizing also on the huge number of circulating cell phones. The chemical sensor-enabled “super” smartphone provides a unique (bio)sensing platform for monitoring airborne or waterborne hazardous chemicals or microorganisms for both single user and crowdsourcing security applications. Some of the latest ones are illustrated by a few examples. Moreover, we have recently achieved for the first time (covalent) functionalization of p- and n-GaN semiconductor surfaces with tuneable luminescent indicator dyes of the Ru-polypyridyl family, as a key step in the development of innovative microsensors for smartphone applications. Chemical “sensoring” of GaN-based blue LED chips with those indicators has also been achieved by plasma treatment of their surface, and the micrometer-sized devices have been tested to monitor O2 in the gas phase to show their full functionality. Novel strategies to enhance the sensor sensitivity such as changing the length and nature of the siloxane buffer layer are discussed in this paper.

Size, strain, and band offset engineering in GaAs(Sb)(N)-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm LEDs and LDs

The optical and structural properties of InAs/GaAs quantum dots (QD) are strongly modified through the use of a thin (~ 5 nm) GaAsSb(N) capping layer. In the case of GaAsSb-capped QDs, cross-sectional scanning tunnelling microscopy measurements show that the QD height can be controllably tuned through the Sb content up to ~ 14 % Sb. The increased QD height (together with the reduced strain) gives rise to a strong red shift and a large enhancement of the photoluminescence (PL) characteristics. This is due to improved carrier confinement and reduced sensitivity of the excitonic bandgap to QD size fluctuations within the ensemble. Moreover, the PL degradation with temperature is strongly reduced in the presence of Sb. Despite this, emission in the 1.5 !lm region with these structures is only achieved for high Sb contents and a type-II band alignment that degrades the PL. Adding small amounts of N to the GaAsSb capping layer allows to progressively reduce the QD-barrier conduction band offset. This different strategy to red shift the PL allows reaching 1.5 !lm with moderate Sb contents, keeping therefore a type-I alignment. Nevertheless, the PL emission is progressively degraded when the N content in the capping layer is increased

Efficient phosphor-free, white light emission from ordered arrays of GaN/InGaN nanocolumnar LEDs grown by Selective Area MBE

We fabricate and characterize novel LEDs based on InGaN/GaN nanocolumns grown on patterned substrates, leading to the periodically ordered growth of emitters directly producing white light

Growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots for violet/blue applications

We report on plasma-assisted molecular beam epitaxy growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots (QDs) for violet/blue applications.

Accelerated life test of high luminosity AlGaInP LEDs

Specific tests to assess reliability of high luminosity AlInGaP LED for outdoor applications are needed. In this paper tests to propose a model involving three parameters: temperature, humidity and current have been carried out. Temperature, humidity and current accelerated model has been proposed to evaluate the reliability of this type of LED. Degradation and catastrophic failure mechanisms have been analyzed. Finally we analyze the effect of serial resistance in power luminosity degradation.

Electrooptic effect in cholesteric blue phases with small positive dielectric anisotropy

An electrooptic effect in the blue phase of the cholesteric mixture S811-and the nematic mixture N5 is reported. To demonstrate this effect ac voltages (ƒ = 1000 Hz) between 0 and 150 νwere applied. Wavelength shifts of 70 nm were obtained.

Caracterización de LEDs mediante el uso y programación de espectrómetro

En la búsqueda de dispositivos cada vez más eficientes, de larga duración y bajo coste de mantenimiento en el mundo de la iluminación, aparecen los LEDs. Estos pequeños dispositivos van poco a poco sustituyendo a las bombillas tradicionales de incandescencia, tomando un papel cada vez más importante entre las fuentes de iluminación. Las primeras funciones prácticas que tuvieron estos LEDs fueron como indicadores, y sus primeros usos fueron en pantallas de calculadoras, electrodomésticos, etcétera, y más adelante, con el desarrollo de nuevos materiales, se empezaron a utilizar como dispositivos de iluminación. Ha sido en estos últimos años cuando se ha producido un salto cuantitativo gracias a la aparición de los POWER LED (LEDs de potencia) o de alto brillo, que son los que han permitido ampliar el uso de estos dispositivos como fuentes de iluminación en, por ejemplo, hogares, alumbrado público, e incluso llegando a sustituir los faros halógenos de vehículos por iluminación LED en algunos modelos. Es por ello que mientras su potencia lumínica va aumentado, su rango de utilización también lo hace. Para caracterizar estas fuentes lumínicas y otras a las que se les pueden dar diferentes usos, se desarrolla este proyecto mediante el análisis de su espectro. Para ello, además, se hará un análisis del resto de instrumentación necesaria que forma parte del proyecto. Este análisis abarca el estudio del propio espectrómetro tanto a nivel de hardware como de software, que modificaremos según los intereses del proyecto. También se estudiará la fibra óptica y el driver para controlar los dispositivos LEDs de potencia, así como los propios LEDs. Para ello se medirán las características de estos LEDs y se compararán con las facilitadas por el fabricante. ABSTRACT. Searching for more efficient, long lasting an low-maintenance devices in lighting world, LEDs appear. These small devices are gradually replacing traditional incandescent bulbs. LEDs are taking an increasingly important role between the light sources. At the begining they were only used as indicators and their first use were in screens calculators, appliances, etc., and later, with the development of new materials, were progressively used as lighting devices. Nowadays a great development has happened in LED lighting with the apparition of the POWER LED or high bright. Power LEDs are allowed to extend the use of these devices as lighting sources for example for homes, street lighting, and even coming to replace halogen headlights LED lighting in vehicles of some models. That's the reason the more their lighting power increases the more their use increases too. The aim of this project is to characterize these light sources and others that can be given different uses by analyzing its spectrum. Moreover, necessary instruments will also be analysed. This study involves both hardware and software spectrometer analysis itself by modifying its software according to the interests of the project. Furthermore, optical fiber and the driver to control LED power devices will be studied by measuring LEDs characteristics and comparing with those provided by the manufacturer.

Cultivo de microalgas (Chlorella sorokiniana) con iluminación mediante LEDs

Con el fin de establecer si es posible llevar a cabo el cultivo de microalgas empleando LEDs (Light Emitting Diodes) y si el empleo de los mismos supone alguna ventaja, se llevaron a cabo cinco experiencias con el microalga Chlorella sorokiniana en las que se varió la cantidad y la calidad de la luz aplicada. En las dos primeras experiencias se empleó luz de un solo color, roja en la primera y azul en la segunda, ambas al 50 % de su intensidad. En las tres siguiente se ensayaron mezclas de ambas, aplicando en la tercera 50 % de luz roja y 50 % de luz azul, en la cuarta 70 % de luz roja y 30 % de luz azul y en la quinta 30 % luz roja y 70 % luz azul. En todos los casos se llevó a cabo simultáneamente el cultivo de un testigo en las mismas condiciones pero iluminado con una lámpara fluorescente. Diariamente se tomaron medidas de la densidad óptica, el pH y la conductividad eléctrica. El seguimiento de la temperatura se hizo por medio de sensores que tomaron muestras cada 60 segundos. La experiencia en la que se empleó luz roja y azul al 50 % de intensidad presentó las mayores diferencias con respecto al testigo. En el resto de los casos el ensayo y el testigo presentaron crecimientos similares. Además se evaluaron varias fuentes de luz de uso frecuente en laboratorio con el fin de conocer su espectro de emisión y su comportamiento al atravesar el medio de cultivo.

John Deere 7290R, potencia y adaptabilidad a la luz de los leds

El 10 de enero, cuando se cumplía justo un año del ensayo del John Deere 6190R, volvimos a Olías del Rey (Toledo), para trabajar en la misma comarca con su recién llegado hermano mayor, el John Deere 7290R, que también dispone de recirculación externa refrigerada de gases de escape, e incorpora la nueva transmisión e23 y un novedoso conjunto de iluminación led de 360 grados. En este ensayo se ha trabajado con un cultivador de 6mde anchura útil labrando a una profundidad media de 8 cm y se ha efectuado un transporte con remolque de 19.680 kg, comparando el modo de cambio manual y la gestión automática de la transmisión.

Optical behaviour of cholesteric blue phases in electric fields

The optical behaviour of cholesteric mixtures of negative dielectric anisotrony under electric fields is reported. A mixture of S 311~ (31.35 %) + N 5 was employed. AC voltages (f = 1000 Hz) betweeen 0 and 150 volts were applied. Cells 23 micron thick, with internal SnO2 electrodes, were used.

Diseño y simulación térmica de HB-LEDs con Autodesk y PCB para ensayos

Este PFC es un trabajo muy práctico, los objetivos fueron impuestos por el tutor, como parte del desarrollo de herramientas (software y hardware) que serán utilizados posteriormente a nivel de docencia e investigación. El PFC tiene dos áreas de trabajo, la principal y primera que se expone es la utilización de una herramienta de simulación térmica para caracterizar dispositivos semiconductores con disipador, la segunda es la expansión de una tarjeta de adquisición de datos con unas PCBs diseñadas, que no estaban disponibles comercialmente. Se ha probado y configurado “Autodesk 2013 Inventor Fusion” y “Autodesk 2013 Simulation and Multiphysics” para simulación térmica de dispositivos de alta potencia. Estas aplicaciones son respectivamente de diseño mecánico y simulación térmica, y la UPM dispone actualmente de licencia. En esta parte del proyecto se realizará un manual de utilización, para que se continúe con esta línea de trabajo en otros PFC. Además se han diseñado mecánicamente y simulado térmicamente diodos LED de alta potencia luminosa (High Brightness Lights Emitting Diodes, HB-LEDs), tanto blancos como del ultravioleta cercano (UVA). Las simulaciones térmicas son de varios tipos de LEDs que actualmente se están empleando y caracterizando térmicamente en Proyectos Fin de Carrera y una Tesis doctoral. En la segunda parte del PFC se diseñan y realizan unas placas de circuito impreso (PCB) cuya función es formar parte de sistemas de instrumentación de adquisición automática de datos basados en LabVIEW. Con esta instrumentación se pueden realizar ensayos de fiabilidad y de otro tipo a dispositivos y sistemas electrónicos. ABSTRACT. The PFC is a very practical work, the objectives were set by the tutor, as part of the development of tools (software and hardware) that will be used later at level of teaching and research. The PFC has two parts, the first one explains the use of a software tool about thermal simulation to characterize devices semiconductors with heatsink, and second one is the expansion of card data acquisition with a PCBs designed, which were not available commercially. It has been tested and configured "Autodesk 2013 Inventor Fusion" and "Autodesk 2013 Simulation Multiphysics” for thermal simulation of high power devices. These applications are respectively of mechanical design and thermal simulation, and the UPM has at present license. In this part of the project a manual of use will be realized, so that it is continued by this line of work in other PFC. Also they have been designed mechanically and simulated thermally LEDs light (High Brightness Lights Emitting Diodes , HB- LEDs) both white and ultraviolet. Thermal simulations are several types of LEDs are now being used in thermally characterizing in Thesis and PhD. In the second part of the PFC there are designed and realized circuit board (PCB) whose function is to be a part of instrumentation systems of automatic acquisition based on LabVIEW data. With this instrumentation can perform reliability testing and other electronic devices and systems.

Estudio de la fiabilidad de diodos LEDs rojos mediante ensayos acelerados

El objetivo de este Proyecto Final de Carrera es la realización de un ensayo de fiabilidad de componentes electrónicos, más concretamente de diodos LED, con el fin de estudiar su comportamiento a lo largo del tiempo de vida. Debido a la larga duración de los LEDs, un ensayo de este tipo podría durar años, por lo que es necesario realizar un ensayo acelerado que acorte significativamente el tiempo del experimento, para ello, han de someterse a esfuerzos mayores que en condiciones normales de funcionamiento. En la actualidad, los LEDs son usados en infinidad de aplicaciones, debido a sus múltiples ventajas respecto a otros sistemas de iluminación o señalización convencionales. En numerosos casos se utilizan en el exterior, soportando cambios de temperaturas y de humedad elevados, de ahí, la importancia de realizar ensayos de fiabilidad, que muestren sus posibles causas de fallo, los efectos que producen estos fallos y los aspectos de diseño, fabricación y mantenimiento que puedan afectarles. Como consecuencia del envejecimiento de los LEDs, pueden mostrar una reducción en el flujo luminoso y un empeoramiento de las propiedades cromáticas. Los LEDs utilizados en este Proyecto son de AlInGaP, rojos, de alta luminosidad. Para acelerar el ensayo, se utilizará una cámara climática que simule unas condiciones ambientales determinadas, en concreto, 85º C y 85% HR. Además, se realiza una monitorización periódica, siendo necesaria la utilización de un sistema automático de medida diseñado en LabVIEW, el cual, de manera simultánea realizará medidas y gestionará la inyección de corriente a los LEDs mientras se encuentren en el interior de la cámara climática. Se fabrican dos placas con 4 tiras de LEDs para inyectar un nivel de corriente diferente en cada una y así poder comparar la degradación en función de este parámetro. Fuera de la cámara climática se van a medir las curvas características de tensióncorriente de cada LED a una temperatura ambiente constante, fijada por un módulo Peltier. También se realizarán medidas de potencia luminosa y de espectro de emisión. Se analizarán los resultados obtenidos de cada una de las medidas y se realizará un estudio de fiabilidad y del proceso de degradación sufrido por los LEDs. Este PFC se puede dividir en las siguientes fases de trabajo, siendo el ensayo la parte más larga en el tiempo: · Búsqueda de bibliografía, documentación y normas aplicables. · Familiarización con los equipos y software, estudiando el manejo y funcionamiento de la cámara climática temperatura-humedad y el software a aplicar (LabVIEW y software del espectrómetro). · Desarrollo del hardware y sistemas necesarios para la realización del ensayo. · Realización del ensayo. · Análisis de resultados. ABSTRACT. The objective of this end of degree project is conducting an essay reliability of electronic components, more concretely LEDs, in order to study their behavior throughout its lifespan. Due to the long duration of the LEDs, a essay of this type could last for years, so it is necessary to perform an accelerated essay which significantly shorten the time of the experiment, testing should be subjected to greater efforts than in normal operation. Today, LEDs are used in many applications due to its many advantages over other conventional lighting systems or signaling. In numerous cases are used on the outside, enduring high changes in temperature and humidity, hence the importance of reliability essays, showing the possible causes of failure, the effects produced by these failures and aspects of design, manufacturing and maintenance that may affect them. As a result of the ageing of the LEDs, they may show a reduction in light output and a worsening of the chromatic properties. The LEDs used in this project are AlInGaP, red and high brightness. To speed up the essay will be used a climatic chamber to simulate specific environmental conditions, specifically 85 ° C and 85 % RH. In addition, is pe rformed a periodic monitoring using an automatic measurement system designed in LabVIEW , which , simultaneously will performed measurements and will manage the injection current to the LEDs while are inside of the climatic chamber. 4 strips of LEDs are created to inject a different level of current in each, so can compare the degradation in terms of this parameter. Out of the climatic chamber are obtained the characteristic curves of voltage-current of each LED at a constant room temperature, set by a Peltier module. Also, measures light power and the emitted spectrum. The results of each of the measures and a reliability study and degradation suffered by the LEDs will be discussed. This PFC can be divided into the following steps, the essay being the longest part: • Search bibliography, documentation and standards. • Familiarization with equipment and software, studying the management and the operation of the temperature-humidity environmental chamber and applying software (LabVIEW applications and spectrometer software). • Development of hardware and systems necessary for the conduct of the essay. • Carrying out the essay. • Analysis of results.

Light-Emitting-Diodes based on ordered InGaN nanocolumns emitting in the blue, green and yellow spectral range

The growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. The devices are driven under pulsed operation up to 1300 A/cm2 without traces of efficiency droop. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells.

Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications

El objetivo de este trabajo es un estudio profundo del crecimiento selectivo de nanoestructuras de InGaN por epitaxia de haces moleculares asistido por plasma, concentrandose en el potencial de estas estructuras como bloques constituyentes en LEDs de nueva generación. Varias aproximaciones al problema son discutidas; desde estructuras axiales InGaN/GaN, a estructuras core-shell, o nanoestructuras crecidas en sustratos con orientaciones menos convencionales (semi polar y no polar). La primera sección revisa los aspectos básicos del crecimiento auto-ensamblado de nanocolumnas de GaN en sustratos de Si(111). Su morfología y propiedades ópticas son comparadas con las de capas compactas de GaN sobre Si(111). En el caso de las columnas auto-ensambladas de InGaN sobre Si(111), se presentan resultados sobre el efecto de la temperatura de crecimiento en la incorporación de In. Por último, se discute la inclusión de nanodiscos de InGaN en las nanocolumnas de GaN. La segunda sección revisa los mecanismos básicos del crecimiento ordenado de nanoestructuras basadas en GaN, sobre templates de GaN/zafiro. Aumentando la relación III/V localmente, se observan cambios morfológicos; desde islas piramidales, a nanocolumnas de GaN terminadas en planos semipolares, y finalmente, a nanocolumnas finalizadas en planos c polares. Al crecer nanodiscos de InGaN insertados en las nanocolumnas de GaN, las diferentes morfologias mencionadas dan lugar a diferentes propiedades ópticas de los nanodiscos, debido al diferente carácter (semi polar o polar) de los planos cristalinos involucrados. La tercera sección recoge experimentos acerca de los efectos que la temperatura de crecimiento y la razón In/Ga tienen en la morfología y emisión de nanocolumnas ordenadas de InGaN crecidas sobre templates GaN/zafiro. En el rango de temperaturas entre 650 y 750 C, la incorporacion de In puede modificarse bien por la temperatura de crecimiento, o por la razón In/Ga. Controlar estos factores permite la optimización de la longitud de onda de emisión de las nanocolumnas de InGaN. En el caso particular de la generación de luz blanca, se han seguidos dos aproximaciones. En la primera, se obtiene emisión amarilla-blanca a temperatura ambiente de nanoestructuras donde la región de InGaN consiste en un gradiente de composiciones de In, que se ha obtenido a partir de un gradiente de temperatura durante el crecimiento. En la segunda, el apilamiento de segmentos emitiendo en azul, verde y rojo, consiguiendo la integración monolítica de estas estructuras en cada una de las nanocolumnas individuales, da lugar a emisores ordenados con un amplio espectro de emisión. En esta última aproximación, la forma espectral puede controlarse con la longitud (duración del crecimiento) de cada uno de los segmentos de InGaN. Más adelante, se presenta el crecimiento ordenado, por epitaxia de haces moleculares, de arrays de nanocolumnas que son diodos InGaN/GaN cada una de ellas, emitiendo en azul (441 nm), verde (502 nm) y amarillo (568 nm). La zona activa del dispositivo consiste en una sección de InGaN, de composición constante nominalmente y longitud entre 250 y 500 nm, y libre de defectos extendidos en contraste con capas compactas de InGaN de similares composiciones y espesores. Los espectros de electroluminiscencia muestran un muy pequeño desplazamiento al azul al aumentar la corriente inyectada (desplazamiento casi inexistente en el caso del dispositivo amarillo), y emisiones ligeramente más anchas que en el caso del estado del arte en pozos cuánticos de InGaN. A continuación, se presenta y discute el crecimiento ordenado de nanocolumnas de In(Ga)N/GaN en sustratos de Si(111). Nanocolumnas ordenadas emitiendo desde el ultravioleta (3.2 eV) al infrarrojo (0.78 eV) se crecieron sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa compacta (“buffer”) de GaN. La morfología y eficiencia de emisión de las nanocolumnas emitiendo en el rango espectral verde pueden ser mejoradas ajustando las relaciones In/Ga y III/N, y una eficiencia cuántica interna del 30% se deriva de las medidas de fotoluminiscencia en nanocolumnas optimizadas. En la siguiente sección de este trabajo se presenta en detalle el mecanismo tras el crecimiento ordenado de nanocolumnas de InGaN/GaN emitiendo en el verde, y sus propiedades ópticas. Nanocolumnas de InGaN/GaN con secciones largas de InGaN (330-830 nm) se crecieron tanto en sustratos GaN/zafiro como GaN/Si(111). Se encuentra que la morfología y la distribución espacial del In dentro de las nanocolumnas dependen de las relaciones III/N e In/Ga locales en el frente de crecimiento de las nanocolumnas. La dispersión en el contenido de In entre diferentes nanocolumnas dentro de la misma muestra es despreciable, como indica las casi identicas formas espectrales de la catodoluminiscencia de una sola nanocolumna y del conjunto de ellas. Para las nanocolumnas de InGaN/GaN crecidas sobre GaN/Si(111) y emitiendo en el rango espectral verde, la eficiencia cuántica interna aumenta hasta el 30% al disminuir la temperatura de crecimiento y aumentar el nitrógeno activo. Este comportamiento se debe probablemente a la formación de estados altamente localizados, como indica la particular evolución de la energía de fotoluminiscencia con la temperatura (ausencia de “s-shape”) en muestras con una alta eficiencia cuántica interna. Por otro lado, no se ha encontrado la misma dependencia entre condiciones de crecimiento y efiencia cuántica interna en las nanoestructuras InGaN/GaN crecidas en GaN/zafiro, donde la máxima eficiencia encontrada ha sido de 3.7%. Como alternativa a las nanoestructuras axiales de InGaN/GaN, la sección 4 presenta resultados sobre el crecimiento y caracterización de estructuras core-shell de InGaN/GaN, re-crecidas sobre arrays de micropilares de GaN fabricados por ataque de un template GaN/zafiro (aproximación top-down). El crecimiento de InGaN/GaN es conformal, con componentes axiales y radiales en el crecimiento, que dan lugar a la estructuras core-shell con claras facetas hexagonales. El crecimiento radial (shell) se ve confirmado por medidas de catodoluminiscencia con resolución espacial efectuadas en un microscopio electrónico de barrido, asi como por medidas de microscopía de transmisión de electrones. Más adelante, el crecimiento de micro-pilares core-shell de InGaN se realizó en pilares GaN (cores) crecidos selectivamente por epitaxia de metal-orgánicos en fase vapor. Con el crecimiento de InGaN se forman estructuras core-shell con emisión alrededor de 3 eV. Medidas de catodoluminiscencia resuelta espacialmente indican un aumento en el contenido de indio del shell en dirección a la parte superior del pilar, que se manifiesta en un desplazamiento de la emisión de 3.2 eV en la parte inferior, a 3.0 eV en la parte superior del shell. Este desplazamiento está relacionado con variaciones locales de la razón III/V en las facetas laterales. Finalmente, se demuestra la fabricación de una estructura pin basada en estos pilares core-shell. Medidas de electroluminiscencia resuelta espacialmente, realizadas en pilares individuales, confirman que la electroluminiscencia proveniente del shell de InGaN (diodo lateral) está alrededor de 3.0 eV, mientras que la emisión desde la parte superior del pilar (diodo axial) está alrededor de 2.3 eV. Para finalizar, se presentan resultados sobre el crecimiento ordenado de GaN, con y sin inserciones de InGaN, en templates semi polares (GaN(11-22)/zafiro) y no polares (GaN(11-20)/zafiro). Tras el crecimiento ordenado, gran parte de los defectos presentes en los templates originales se ven reducidos, manifestándose en una gran mejora de las propiedades ópticas. En el caso de crecimiento selectivo sobre templates con orientación GaN(11-22), no polar, la formación de nanoestructuras con una particular morfología (baja relación entre crecimiento perpedicular frente a paralelo al plano) permite, a partir de la coalescencia de estas nanoestructuras, la fabricación de pseudo-templates no polares de GaN de alta calidad. ABSTRACT The aim of this work is to gain insight into the selective area growth of InGaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. Several nanocolumn-based approaches such as standard axial InGaN/GaN structures, InGaN/GaN core-shell structures, or InGaN/GaN nanostructures grown on semi- and non-polar substrates are discussed. The first section reviews the basics of the self-assembled growth of GaN nanocolumns on Si(111). Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layer grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanocolumns grown on Si(111) is described. The second section reviews the basic growth mechanisms of selectively grown GaNbased nanostructures on c-plane GaN/sapphire templates. By increasing the local III/V ratio morphological changes from pyramidal islands, to GaN nanocolumns with top semi-polar planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes are observed. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semipolar and polar nature of the crystal planes involved. The third section reports on the effect of the growth temperature and In/Ga ratio on the morphology and light emission characteristics of ordered InGaN nanocolumns grown on c-plane GaN/sapphire templates. Within the growth temperature range of 650 to 750oC the In incorporation can be modified either by the growth temperature, or the In/Ga ratio. Control of these factors allows the optimization of the InGaN nanocolumns light emission wavelength. In order to achieve white light emission two approaches are used. First yellow-white light emission can be obtained at room temperature from nanostructures where the InGaN region is composition-graded by using temperature gradients during growth. In a second approach the stacking of red, green and blue emitting segments was used to achieve the monolithic integration of these structures in one single InGaN nanocolumn leading to ordered broad spectrum emitters. With this approach, the spectral shape can be controlled by changing the thickness of the respective InGaN segments. Furthermore the growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells. Next the selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns on Si(111) substrates is discussed. Ordered In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting from ultraviolet (3.2 eV) to infrared (0.78 eV) were then grown on top of GaN-buffered Si substrates. The morphology and the emission efficiency of the In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting in the green could be substantially improved by tuning the In/Ga and total III/N ratios, where an estimated internal quantum efficiency of 30 % was derived from photoluminescence data. In the next section, this work presents a study on the selective area growth mechanisms of green-emitting InGaN/GaN nanocolumns and their optical properties. InGaN/GaN nanocolumns with long InGaN sections (330-830nm) were grown on GaN/sapphire and GaN-buffered Si(111). The nanocolumn’s morphology and spatial indium distribution is found to depend on the local group (III)/N and In/Ga ratios at the nanocolumn’s top. A negligible spread of the average indium incorporation among different nanostructures is found as indicated by similar shapes of the cathodoluminescence spectra taken from single nanocolumns and ensembles of nanocolumns. For InGaN/GaN nanocolumns grown on GaN-buffered Si(111), all emitting in the green spectral range, the internal quantum efficiency increases up to 30% when decreasing growth temperature and increasing active nitrogen. This behavior is likely due to the formation of highly localized states, as indicated by the absence of a complete s-shape behavior of the PL peak position with temperature (up to room temperature) in samples with high internal quantum efficiency. On the other hand, no dependence of the internal quantum efficiency on the growth conditions is found for InGaN/GaN nanostructures grown on GaN/sapphire, where the maximum achieved efficiency is 3.7%. As alternative to axial InGaN/GaN nanostructures, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods etched from a GaN/sapphire template. Growth of InGaN/GaN is conformal, with axial and radial growth components leading to core-shell structures with clear hexagonal facets. The radial InGaN growth (shell) is confirmed by spatially resolved cathodoluminescence performed in a scanning electron microscopy as well as in scanning transmission electron microscopy. Furthermore the growth of InGaN core-shell micro pillars using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template is demonstrated. Upon InGaN overgrowth core-shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. With spatially resolved cathodoluminescence, an increasing In content towards the pillar top is found to be present in the InGaN shell, as indicated by a shift of CL peak position from 3.2 eV at the shell bottom to 3.0 eV at the shell top. This shift is related to variations of the local III/V ratio at the side facets. Further, the successful fabrication of a core-shell pin diode structure is demonstrated. Spatially resolved electroluminescence measurements performed on individual micro LEDs, confirm emission from the InGaN shell (lateral diode) at around 3.0 eV, as well as from the pillar top facet (axial diode) at around 2.3 eV. Finally, this work reports on the selective area growth of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the GaN templates is strongly reduced as indicated by TEM and a dramatic improvement of the optical properties. In case of SAG on non-polar (11-22) templates the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of the nanostructures.

Infiltration of a photonic crystal fiber with cholesteric liquid crystal and blue phase

Photonic crystal fibers (PCF) have been selectively filled with a cholesteric liquid crystal (ChLC) with special interest in the blue phase (BP) of the liquid crystal. It has been observed thermal tuning of the guided light in the visible region. A dramatically enhance appears when the phase of the liquid crystal changes from cholesteric to blue phase I (BPI). When a thermal range of the blue phase I is achieved, no changes are observed while increasing temperature from BPI through BPII and to the isotropic phase.