Dialectique des regards - l’autre et la construction du récit de soi dans l’auto-filmage pathographique

Le présent mémoire entend analyser la pratique de l’auto-filmage dans deux films : La Pudeur ou l’impudeur (Hervé Guibert) et Tarnation (Jonathan Caouette). Nous regroupons ces long-métrages sous l’étiquette « auto-filmage pathographique ». Le malade, s’émancipant de l’imagerie médicale et des pratiques cinématographiques institutionnelles, reprend l’image filmique à son compte, aidé en cela par une technologie toujours plus ergonomique. Cette résurgence de l’image du corps malade dans le champ social ne se fait pas sans heurt ; l’exposition de corps décharnés et agoniques convoque un imaginaire catastrophiste et contredit les rituels d’effacement du corps auxquels procède la société occidentale. La forme que prend le récit de soi dans l’auto-filmage pathographique dépend de la maladie qui affecte chaque créateur. Nous observons une redéfinition de la sincérité, en lien avec l’exercice autobiographique. Il s’agit d’utiliser, dans l’auto-filmage pathographique, certains procédés fictionnels pour créer un discours sur soi-même dont la véracité repose sur d’autres critères que ceux communément admis. L’auto-filmage pathographique suppose en ce sens un véritable changement d’attitude et la mise en place de techniques de soi. Il induit une forme de réconciliation avec sa propre identité physique et psychique. En cela, l’écriture filmique de soi est un agent transformateur de la vie et un exercice spirituel. Les réalisateurs ne sont cependant pas uniquement tournés vers eux-mêmes. Chacun inclut quelques privilégiés au coeur de sa démarche. Le soin de soi, dans l’auto-filmage pathographique, ne se désolidarise pas du soin des autres. Auto-filmage et caméra subjective entretiennent un lien dialectique qui donne son sens à l’auto-filmage pathographique et voit leur antagonisme éclater. L’individu s’auto-filmant n’est pas seul ; sa démarche n’est pas qu’un solipsisme. Elle se voit dépassée par l’émergence de l’autre dans le champ ou parfois même, sa prise en main de la caméra.

Le frisson et le baume : souffrantes et soignantes au siècle des Lumières (France, Suisse)

Au siècle des Lumières, les femmes sont exclues des principales professions médicales - à l'exception des sages-femmes - et leurs pratiques sont l'objet de nombreuses critiques de la part des médecins et chirurgiens qui promeuvent leurs propres connaissances sur le corps, soucieux d'acquérir un nouveau statut social, économique et politique. La médicalisation de la société ne se fait pas pour autant contre les femmes, car les plus aisées d'entre elles sont sollicitées comme médiatrices de la nouveauté. Dans ce contexte, cette thèse interroge la réception des ambitions médicales et la place prise par les femmes dans le processus de médicalisation. Les sources sollicitées ne sont pas celles qui sont produites par les soignants, afin de prendre de la distance avec leur discours normatif et professionnel, mais celles qui ressortent de l'intime : journaux et mémoires, correspondances et livres de raison, recueils de recettes féminins. Il s'agit ainsi de composer une histoire des souffrantes et des soignantes à partir de discours « de » femmes et non « sur » les femmes, à l'intersection de l'histoire socio¬culturelle de la médecine, de l'histoire des femmes et de celle du genre. Ceci limite l'analyse aux lettrées, membres de la noblesse ou de la haute bourgeoisie, française et helvétique en l'occurrence. Les savoirs féminins sont au coeur de l'analyse à travers la définition des lieux d'apprentissage du corps et des représentations corporelles que leurs écrits mettent en scène. Les pratiques de soin féminines sont également étudiées, en dissociant le soin de soi -incluant aussi bien l'automédication, le recours aux thérapeutes que l'influence de la parenté dans la gestion de la santé et de la maternité - du soin d'autrui qui se rapporte aux corps sur lesquels les femmes exercent leur pouvoir de soin et à leurs manières de soigner.

L'éducation d'Alcibiade d'après quelques dialogues de Platon

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

O regimento do corpo em Portugal no século XV

Pós-graduação em História - FCHS

Les classiques du soin

On trouvera ici un recueil des grands textes médicaux, littéraires, de philosophie et de sciences sociales sur l'expérience de la maladie et du soin. Il révèle combien cette expérience était déjà au coeur de la pensée la plus classique, mais aussi comment elle est devenue classique dans la pensée la plus contemporaine. D'Hippocrate à Georges Canguilhem, de Tolstoï à Susan Sontag, de Montaigne à Michel Foucault et Erving Goffman, ces classiques permettent d'appréhender les tensions les plus profondes et actuelles du soin : geste technique et relation éthique ; souci de soi et présence à l'autre ; quête de sens et travail ; solidarité et risque d'exclusion ; raison d'être ou point aveugle de la médecine. Chaque texte est suivi d'un commentaire destiné aux étudiants de philosophie et de médecine (notamment de Première Année Commune des Études de Santé) et à tous ceux qu'intéressent les dimensions scientifiques, éthiques et sociales du soin.

Trapezoidal SOI FinFET analog parameters` dependence on cross-section shape

The trapezium is often a better approximation for the FinFET cross-section shape, rather than the design-intended rectangle. The frequent width variations along the vertical direction, caused by the etching process that is used for fin definition, may imply in inclined sidewalls and the inclination angles can vary in a significant range. These geometric variations may cause some important changes in the device electrical characteristics. This work analyzes the influence of the FinFET sidewall inclination angle on some relevant parameters for analog design, such as threshold voltage, output conductance, transconductance, intrinsic voltage gain (A V), gate capacitance and unit-gain frequency, through 3D numeric simulation. The intrinsic gain is affected by alterations in transconductance and output conductance. The results show that both parameters depend on the shape, but in different ways. Transconductance depends mainly on the sidewall inclination angle and the fixed average fin width, whereas the output conductance depends mainly on the average fin width and is weakly dependent on the sidewall inclination angle. The simulation results also show that higher voltage gains are obtained for smaller average fin widths with inclination angles that correspond to inverted trapeziums, i.e. for shapes where the channel width is larger at the top than at the transistor base because of the higher attained transconductance. When the channel top is thinner than the base, the transconductance degradation affects the intrinsic voltage gain. The total gate capacitances also present behavior dependent on the sidewall angle, with higher values for inverted trapezium shapes and, as a consequence, lower unit-gain frequencies.

Threshold voltages of SOI MuGFETs

The multiple-gate field-effect transistor (MuGFET) is a device with a gate folded on different sides of the channel region. They are one of the most promising technological solutions to create high-performance ultra-scaled SOI CMOS. In this work, the behavior of the threshold voltage in double-gate, triple-gate and quadruple-gate SOI transistors with different channel doping concentrations is studied through three-dimensional numerical simulation. The results indicated that for double-gate transistors, one or two threshold voltages can be observed, depending on the channel doping concentration. However, in triple-gate and quadruple-gate it is possible to observe up to four threshold voltages due to the corner effect and the different doping concentration between the top and bottom of the Fin. (C) 2008 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Improved generation lifetime model for the electrical characterization of single- and double-gate SOI nMOSFETs

This work proposes a refined technique for the extraction of the generation lifetime in single- and double-gate partially depleted SOI nMOSFETs. The model presented in this paper, based on the drain current switch-off transients, takes into account the influence of the laterally non-uniform channel doping, caused by the presence of the halo implanted region, and the amount of charge controlled by the drain and source junctions on the floating body effect when the channel length is reduced. The obtained results for single- gate (SG) devices are compared with two-dimensional numerical simulations and experimental data, extracted for devices fabricated in a 0.1 mu m SOI CMOS technology, showing excellent agreement. The improved model to determine the generation lifetime in double-gate (DG) devices beyond the considerations previously presented also consider the influence of the silicon layer thickness on the drain current transient. The extracted data through the improved model for DG devices were compared with measurements and two-dimensional numerical simulations of the SG devices also presenting a good adjustment with the channel length reduction and the same tendency with the silicon layer thickness variation.

Temperature influence on the gate-induced floating body effect parameters in fully depleted SOI nMOSFETs

The temperature influence on the gate-induced floating body effect (GIFBE) in fully depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) nMOSFETs is investigated, based on experimental results and two-dimensional numerical simulations. The GIFBE behavior will be evaluated taking into account the impact of carrier recombination and of the effective electric field mobility degradation on the second peak in the transconductance (gm). This floating body effect is also analyzed as a function of temperature. It is shown that the variation of the studied parameters with temperature results in a ""C"" shape of the threshold voltage corresponding with the second peak in the gm curve. (C) 2008 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Analysis of source-follower buffers implemented with graded-channel SOI nMOSFETs operating at cryogenic temperatures

This work studies the operation of source-follower buffers implemented with standard and graded-channel (GC) fully depleted (FD) SCI nMOSFETs at low temperatures. The analysis is performed by comparing the voltage gain of buffers implemented with GC and standard SOI nMOS transistors considering devices with the same mask channel length and same effective channel length. It is shown that the use of GC devices allows for achieving improved gain in all inversion levels in a wide range of temperatures. In addition, this improvement increases as temperature is reduced. It is shown that GC transistors can provide virtually constant gain, while for standard devices, the gain departs from the maximum value depending on the temperature and inversion level imposed by the bias current and input voltage. Two-dimensional numerical simulations were performed in order to study the reasons for the enhanced gain of GC MOSFETs at low temperatures. (C) 2009 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Advantages of graded-channel SOI nMOSFETs for application as source-follower analog buffer

In this work the performance of graded-channel (CC) SOI MOSFETs operating as source-follower buffers is presented. The experimental analysis is performed by comparing the gain and linearity of buffers implemented with CC and standard SOI MOS devices considering the same mask dimensions. It is shown that by using CC devices, buffer gain very close to the theoretical limit can be achieved, with improved linearity, while for standard devices the gain departs from the theoretical value depending on the inversion level imposed by the bias current and input voltage. Two-dimensional numerical simulations were performed in order to confirm some hypotheses proposed to explain the gain behavior observed in the experimental data. By using numerical simulations the channel length has been varied, showing that the gain of buffers implemented with CC devices remains close to the theoretical limit even when short-channel devices are adopted. It has also been shown that the length of a source-follower buffer using CC devices can be reduced by a factor of 5, in comparison with a standard Sol MOSFET, without gain loss or linearity degradation. (C) 2008 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Forecasting regional crop production using SOI phases: an example for the Australian peanut industry

Using peanuts as an example, a generic methodology is presented to forward-estimate regional crop production and associated climatic risks based on phases of the Southern Oscillation Index (SOI). Yield fluctuations caused by a highly variable rainfall environment are of concern to peanut processing and marketing bodies. The industry could profitably use forecasts of likely production to adjust their operations strategically. Significant, physically based lag-relationships exist between an index of ocean/atmosphere El Nino/Southern Oscillation phenomenon and future rainfall in Australia and elsewhere. Combining knowledge of SOI phases in November and December with output from a dynamic simulation model allows the derivation of yield probability distributions based on historic rainfall data. This information is available shortly after planting a crop and at least 3-5 months prior to harvest. The study shows that in years when the November-December SOI phase is positive there is an 80% chance of exceeding average district yields. Conversely, in years when the November-December SOI phase is either negative or rapidly falling there is only a 5% chance of exceeding average district yields, but a 95% chance of below average yields. This information allows the industry to adjust strategically for the expected volume of production. The study shows that simulation models can enhance SOI signals contained in rainfall distributions by discriminating between useful and damaging rainfall events. The methodology can be applied to other industries and regions.