Estudo da qualidade de processos na fabricação de semicondutores

A indústria de semicondutores é um sector em permanente evolução tecnológica. A tendência de miniaturização e de otimização do espaço, a necessidade de produzir circuitos cada vez mais complexos, a tendência para o incremento do número de camadas em cada circuito integrado, são as condições necessárias para que a evolução tecnológica nesta área seja uma constante. Os processos ligados à produção de semicondutores estão também em permanente evolução, dada a pressão efetuada pelas necessidades acima expostas. Os equipamentos necessitam de uma crescente precisão, a qual tem que ser acompanhada de procedimentos rigorosos para que a qualidade atingida tenha sempre o patamar desejado. No entanto, a constante evolução nem sempre permite um adequado levantamento de todas as causas que estão na origem de alguns problemas detetados na fabricação de semicondutores. Este trabalho teve por objetivo efetuar um levantamento dos processos ligados ao fabrico de semicondutores a partir de uma pastilha de silício (wafer) previamente realizada, identificando para cada processo os possíveis defeitos introduzidos pelo mesmo, procurando inventariar as causas possíveis que possam estar na origem desse defeito e realizar procedimentos que permitam criar regras e procedimentos perfeitamente estabelecidos que permitam aprender com os erros e evitar que os mesmos problemas se possam vir a repetir em situações análogas em outros produtos de uma mesma família.

Uma reflexão sobre as estratégias de empresas nacionais de semicondutores

O trabalho consiste de uma investigação sobre as empresas baseadas em alta tecnologia, analisando um segmento da indústria brasileira: o segmento de rnicroeletrônica, mais especificamente na área de semicondutores, visando uma reflexão das estratégias adotadas por algumas indústrias nacionais. Nesta reflexão, dois aspectos são característicos: a saída de um ambiente de proteção de mercado patrocinado pelo governo e a existência ele um mercado cada vez mais globalizado.

Identificação de oportunidades para a indústria brasileira de semicondutores através das teorias de vantagem competitiva e investimento internacional

O mercado mundial de semicondutores cresce vigorosamente ao longo de décadas impulsionado pela evolução tecnológica, que permitiu semicondutores de melhor performance a um custo relativamente menor. Entretanto os gastos com fábricas e P&D aumentam junto com a evolução da tecnologia, obrigando as empresas a controlar as métricas financeiras em busca da lucratividade necessária para financiar o desenvolvimento das novas tecnologias. O crescimento do mercado motivou vários países a fornecerem incentivos para atrair investimentos de semicondutores. Este trabalho segmenta o mercado de semicondutores de acordo com as tecnologias de espessura da pastilha de silício e utiliza as principais teorias sobre vantagem competitiva e investimento internacional, para analisar os incentivos que uma empresa de semicondutores teria para estabelecer uma fábrica de difusão de wafers e uma operação de design house no Brasil. A indústria de semicondutores brasileira está em seu estágio inicial, e existem algumas ações do governo juntamente com a iniciativa privada que apresentaram resultados positivos, entretanto é necessário reavaliar a efetividade dos incentivos oferecidos atualmente. Existe a possibilidade do Brasil atrair empreendedores para explorar oportunidades em nichos de mercado e assim iniciar a construção de uma cadeia completa de desenho, fabricação e utilização de semicondutores no Brasil. E o papel do governo será fundamental para dar o impulso inicial.

A determinação de valores agregados no mercado de semicondutores

Trata da determinação de valores agregados no mercado de semicondutores, frente a um novo cenário, onde a concorrência está cada vez mais atuante. Analisa os serviços que possam agregar valor na percepção do cliente, a fim de obter vantagem competitiva em relação ao mercado. Aponta os serviços que agregam maior valor ao setor, em função dos segmentos de mercado. Orienta na formulação básica de serviços deste mercado.

Síntese e caracterização de nanopartículas e filmes finos de óxidos semicondutores

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Preparação e caracterização de semicondutores de PbS e 'B IND. I 'IND. 2' 'S IND. 3' obtidos pelo método de deposição em banho químico

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Modulação das propriedade ópticas de semicondutores pela incorporação de íons terras raras

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Ressonância paramagnética eletrônica (RPE) aplicada em semicondutores orgânicos

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Investigação das propriedades elétricas, ópticas e eletroquímicas de filmes finos semicondutores de BiVO4 e NiO para aplicação em fotoeletrocatálise

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Cálculo e análise de efeitos de campo magnético nos estados eletrônicos de impurezas rasas em materiais semicondutores

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Síntese de nanofios de óxidos semicondutores para aplicações em dispositivos ópticos e eletrônicos

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Estados de impurezas em semicondutores e nanoesetruturas sob campos externos

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Análise da deposição de filmes finos semicondutores de GaN e GaN e Ga1-xMnxN preparados por sputtering reativo

Thin films of Ga1-xMnxN have great interest in its potential for control of electron spin (spintronics), in most cases this material is synthesized by techniques that have a high degree of control the deposition parameters, such as molecular beam epitaxy (MBE) and deposition of metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The sputtering technique is an alternative route to produce such materials. Here we study the film deposition Ga1-xMnxN by reactive sputtering technique and apply enhancements such as a glove box, a residual gas analyzer and temperature control system, in order to growth films epitaxially using an analysis of the preconditions of films analyzed by spectroscopic techniques and microscopic. These procedures helped to improve the technique of deposition by cleaning substrates in an inert environment, and by the analysis of trace gases and heating the substrate holder as explained in the literature. Through the applications and comparisons it can be pointed out that the technique has the advantage of its simplicity and relatively low cost compared to MBE and MOCVD, but produces polycrystalline material