113 resultados para Polimorfisme (Cristal·lografia)


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We review the key topics of one of the areas with the biggest impact of the last years in the chemical and pharmaceutical industry that is Crystal Engineering. The relevance of polymorphs and co-crystals from different points of view is been highlighted and broadly illustrated by means of several recent examples of studies carried out in this field. In addition, the most suitableinstrumental techniques and the intellectual property implications are reviewed.

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El treball ofereix una visió de conjunt de la recerca duta a terme a Espanya en determinació d’estructures cristal•lines, des dels seus inicis fins 1955, data en la què assoliren un cert grau de consolidació. La perspectiva historiogràfica seguida pretén establir un equilibri entre el tractament de les qüestions tècniques i les relatives a l’organització dels diferents equips de recerca, sense oblidar el context econòmic i polític en que van tenir lloc.

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Estudio de los polimorfismos del gen de la timidilato sintasa y los genes reparadores del ADN ERCC1 y XRCC1 y su relación con la rdespuesta al tratamiento neoadyvante con qumiorradioterapia basada en capecitabin, en pacientes afecto de carcinoma colorrectal de localmente avanzado.

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Els pronoms clítics representen una de les idiosincràsies més singulars de la llengua catalana, tant pel seu polimorfisme com per les funcions sintàctiques i discursives que poden exercir en una oració. L’interès principal del nostre estudi és que, tot i les semblances dels sistemes pronominals inherents a les llengües romàniques, unes diferències fonamentals les separen tenint en compte els pronoms clítics: és el cas del català i del portuguès. Per aquest motiu, ens hem proposat d’observar l’adquisició dels pronoms clítics catalans per part d’alumnes que tenen com a primera llengua el portuguès i el català com a segona. Els pronoms objecte d’estudi han estat, d’una banda, els d’acusatiu i de datiu: tot i que són semblants en català i en portuguès pel que fa a la forma, ocupen posicions respecte del verb oposades. D’altra banda, els pronoms catalans en i hi no tenen equivalents en portuguès i, per tant, és rellevant observar-ne l’ús en lusoparlants, sobretot en contextos en què apareixen com a pronom de represa d’un element dislocat.

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Objetivos: avaluar tasas de respuestas y seguridad, a las 24 semanas del inicio de tratamiento, en pacientes monoinfectados por VHC y coinfectados VIH/VHC con Telaprevir. Métodos: estudio descriptivo transversal de los pacientes mono y coinfectados (tanto “naive”, recaedores, no respondedores y respondedores parciales), tratados con Telaprevir en una Unidad de Enfermedades Infecciosas. Se recogieron los datos demográficos de cada paciente, datos analíticos, inmunológicos y virológicos así como la determinación de polimorfismo IL B28. Se recogen datos basales y a las 4, 8, 12 y 24 semanas. Resultados: un total de 43 pacientes analizados que iniciaron tratamiento con Telaprevir. Completan tratamiento hasta 12 semanas los 43, y hasta la semana 24 con Peginterferon y Rivabirina un total de 35 pacientes. Un 48% eran pacientes monoinfectados y un 51% coinfectados VIH-VHC. Un 80% eran hombres y un 20% mujeres, con una edad media de 52 años +/- 8´79. A las 12 semanas, un 76% de los pacientes monoinfectados y un 86% de los coinfectados tenían indetectable VHC, y a las 24 semanas un 86% de los monoinfectados y un 90% de los coinfectados, mantenían respuesta viral en tratamiento, sin ser estas diferencias estadísticamente significativas. De la misma forma no se encontraron diferencias estadísticamente significativas en las proporciones de efectos secundarios. Conclusiones: la efectividad y la seguridad del tratamiento con triple terapia que incluye Teleprevir en la infección crónica de VHC, son similares en pacientes monoinfectados y coinfectados.

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Source/Description: The probe used is a 98 bp fragment amplified by PCR from a cDNA clone of the CFTR gene or from genomic DNA corresponding to exon 10, using two primers from this exon (1)...

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En el presente trabajo se mide la microdureza de cristales pertenecientes a la serie isomorfa Alumbre crómico potásico, Alumbre alumínico potásico Las cargas empleadas son 5, 10 y 20 pondios; para esta última carga se obtienen durezas Vickers entre 64 y 70 kg/mm3. Se calculan las constantes de la Ley de Kick.

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Se presenta una modificación del programa Bond-Scand, con vistas a su empleo en ordenadores de reducida capacidad de memoria. Can dicha modificación se pasa de una capacidad de 100 K a 81 K, pudiendo ser ejecutada en el ordenador IBM 360/30 de que dispone la Facultad de Ciencias de la Universidad de Barcelona.

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Se presenta una modificación del programa S.F.L.S., con la cual ha quedado reducido a una ocupación de memoria de 83 K, permitiendo así su empleo en ordenadores de reducida capacidad de memoria. Se ha aumentado el número de ciclos de afinamiento que )se pueden efectuar en una ejecución, y de un ciclo que realiza el programa original, se ha pasado a un número indeterminado de ciclos.

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Ha sido elaborado un programa para ordenador de tipo medio que permite calcular las posiciones equivalentes de los átomos de la unidad asimétrica en la celda fundamental, las distancias y ángulos inter e intra-moleculares, así como sus desviaciones standard, y los planos medios que determinan los átomos de la unidad asimétrica o parte de ella. Estos cálculos los efectúa a partir de los parámetros de la red y de las coordenadas, con sus desviaciones standard.

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Se efectúa un estudio teórico y experimental de la difraccion de rayos X por maclas de microclina. Se comparan los resultados al orientar de distintas maneras los cristales. Se llega a la conclusión de que el método permite la diferenciación de los feldespatos potásicos segun su modo de formación.

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An experimental method of studying shifts between concentration-versus-depth profiles of vacancy- and interstitial-type defects in ion-implanted silicon is demonstrated. The concept is based on deep level transient spectroscopy measurements utilizing the filling pulse variation technique. The vacancy profile, represented by the vacancy¿oxygen center, and the interstitial profile, represented by the interstitial carbon¿substitutional carbon pair, are obtained at the same sample temperature by varying the duration of the filling pulse. The effect of the capture in the Debye tail has been extensively studied and taken into account. Thus, the two profiles can be recorded with a high relative depth resolution. Using low doses, point defects have been introduced in lightly doped float zone n-type silicon by implantation with 6.8 MeV boron ions and 680 keV and 1.3 MeV protons at room temperature. The effect of the angle of ion incidence has also been investigated. For all implantation conditions the peak of the interstitial profile is displaced towards larger depths compared to that of the vacancy profile. The amplitude of this displacement increases as the width of the initial point defect distribution increases. This behavior is explained by a simple model where the preferential forward momentum of recoiling silicon atoms and the highly efficient direct recombination of primary point defects are taken into account.