Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC

Autoria(s): Doyle, J. P.; Linnarsson, M. K.; Pellegrino, Paolo; Keskitalo, N.; Svensson, B. G.; Schoner, A.; Nordell, N.; Lindstrom, J. L.
Contribuinte(s)

Universitat de Barcelona
Data(s)

03/05/2012
Identificador

http://hdl.handle.net/2445/24815
Idioma(s)

eng
Publicador

American Institute of Physics
Direitos

(c) American Institute of Physics, 1998

info:eu-repo/semantics/openAccess
Palavras-Chave #Estructura electrònica #Cristal·lografia #Electronic structure #Crystallography
Tipo

info:eu-repo/semantics/article
Acesso ao item digital