Dispositivos electrónicos de bajo coste para medición de la postura en niños con discapacidad motriz.

Seleccionado en la convocatoria: Concurso de proyectos de cooperación en materia de investigación entre departamentos universitarios y departamentos de Institutos de Educación Secundaria o equipos de personal docente, Gobierno de Aragón 2008-09

Empleo de un laboratorio remoto para promover aprendizajes significativos en la enseñanza de los dispositivos electrónicos.

Se analiza la utilidad de la experimentación real a distancia, mediante el empleo de laboratorios remotos en el campo de la formación de ingenieros, para favorecer aprendizajes significativos en el área de fundamentos científicos y técnicos de dispositivos electrónicos básicos. Se experimenta con 12 estudiantes de segundo curso de Ingeniería Electrónica, de la asignatura Física IV, de la Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniería y Agrimensura (Universidad Nacional de Rosario, Argentina), realizando distintas actividades. Los resultados muestran que todos los estudiantes realizan ensayos con todos los dispositivos habilitados y emiten juicios valorativos sobre la plataforma y los ensayos, aunque no todos los estudiantes realizan informes de evaluación individuales.

Sensores, actuadores y dispositivos electrónicos para la edificación

En este trabajo se presentan las líneas de investigación, y resultados, de Sensores y actuadores y Dispositivos electrónicos del Grupo de Sensores y Actuadores. Estas líneas de investigación están orientadas al desarrollo y aplicación de tecnologías, dentro del ámbito de la edificación, enfocadas a la mejora de la eficiencia energética. Se llevan a cabo, principalmente, en la Escuela Universitaria de Arquitectura técnica, y para ello se dispone de los medios asociados al Grupo de Sensores y Actuadores y situados en el laboratorio de Automatismos de la Escuela Universitaria de Arquitectura técnica

Cracking y ataques físicos sobre dispositivos electrónicos

Cracking - Ataques - Físicos - Dispositivos - Electrónicos

Ensayos acelerados de dispositivos electrónicos LED

El objetivo de este proyecto es el de determinar, a través de una serie de medidas, los tiempos de vida y causas de fallo de diodos LED. Para ello, se someterá a los dispositivos a condiciones extremas de temperatura y humedad dentro de una cámara climática, con el objetivo de acelerar su edad, su tiempo de uso, hecho que provocará la aparición de los fallos mucho antes que en condiciones normales de funcionamiento. Se tomarán medidas tanto de su tensión y corriente para el análisis de las gráficas I-V, dentro y fuera de la cámara, como de las potencias luminosas de cada uno de ellos. Estas medidas se realizarán en dos ocasiones al día, en intervalos de no menos de 6 horas. Para las medidas de tensión y corriente se utilizará un programa desarrollado en el entorno de LabView, tanto para las medidas en el interior de la cámara, lo que nos permite un seguimiento específico del estado de los dispositivos en cada momento, como para las medidas fuera de ella. Para las medidas de la potencia luminosa de cada LED se utilizará un medidor de potencia óptica. Cada ensayo constará de 15 dispositivos LED, que se evaluarán en las mismas condiciones de temperatura y humedad. El resumen de los 8 ensayos realizados es el que sigue: - Ensayo 1: 140ºC 85% HUMEDAD a 10 mA. - Ensayo 2: 140ºC 70% HUMEDAD a 10 mA. - Ensayo 3: 120ºC 85% HUMEDAD a 10 mA. - Ensayo 4: 120ºC 85% HUMEDAD a 30 mA. - Ensayo 5: 140ºC 70% HUMEDAD a 30 mA. - Ensayo 6: 140ºC 85% HUMEDAD a 30 mA. - Ensayo 7: 140ºC 60% HUMEDAD a 30 mA. - Ensayo 8: 140ºC 85% HUMEDAD a 20 mA. Una vez tomadas las medidas, se analizarán los datos, de cara a obtener una ley de degradación del LED a través del análisis de Weibull y se estudiarán las diferentes causas de fallo. ABSTRACT. The aim of this Project is to determine, based on several measures, the lifetime and the causes of LED’s failures. The devices will be tested under extreme both temperature and humidity conditions in a Pressure Cooker, attempting to make faults to appear earlier. Voltage and current measures will be taken, inside and also outside the Pressure cooker, in order to use them in I-V graphs. In addition, luminous power measures for each LED will be taken. All those measures will be obtained twice a day, with 6 hours delay between both of them. A program based on LabView environment will be used to take voltage and current measures, inside and outside the pressure cooker, which allow us to follow the performance of the LED at each moment. The luminous power of each LED will be taken by a measurer. Each test consists of 15 LED devices, which will be evaluated under the same conditions each time. The 8 tests are as follows - Test 1: 140ºC 85% relative humidity at 10 mA. - Test 2: 140ºC 70% relative humidity at 10 mA. - Test 3: 120ºC 85% relative humidity at 10 mA. - Test 4: 120ºC 85% relative humidity at 30 mA. - Test 5: 140ºC 70% relative humidity at 30 mA. - Test 6: 140ºC 85% relative humidity at 30 mA. - Test 7: 140ºC 60% relative humidity at 30 mA. - Test 8: 140ºC 85% relative humidity at 20 mA. When the measures are completely taken, data will be analyzed, in order to obtain a LED’s degradation law using Weibull’s distribution. Also the causes of the failures will be evaluated.

Integración de dispositivos electrónicos inteligentes en Smart Grid

El sector eléctrico está experimentando cambios importantes tanto a nivel de gestión como a nivel de mercado. Una de las claves que están acelerando este cambio es la penetración cada vez mayor de los Sistemas de Generación Distribuida (DER), que están dando un mayor protagonismo al usuario a la hora de plantear la gestión del sistema eléctrico. La complejidad del escenario que se prevé en un futuro próximo, exige que los equipos de la red tenga la capacidad de interactuar en un sistema mucho más dinámico que en el presente, donde la interfaz de conexión deberá estar dotada de la inteligencia necesaria y capacidad de comunicación para que todo el sistema pueda ser gestionado en su conjunto de manera eficaz. En la actualidad estamos siendo testigos de la transición desde el modelo de sistema eléctrico tradicional hacia un nuevo sistema, activo e inteligente, que se conoce como Smart Grid. En esta tesis se presenta el estudio de un Dispositivo Electrónico Inteligente (IED) orientado a aportar soluciones para las necesidades que la evolución del sistema eléctrico requiere, que sea capaz de integrase en el equipamiento actual y futuro de la red, aportando funcionalidades y por tanto valor añadido a estos sistemas. Para situar las necesidades de estos IED se ha llevado a cabo un amplio estudio de antecedentes, comenzando por analizar la evolución histórica de estos sistemas, las características de la interconexión eléctrica que han de controlar, las diversas funciones y soluciones que deben aportar, llegando finalmente a una revisión del estado del arte actual. Dentro de estos antecedentes, también se lleva a cabo una revisión normativa, a nivel internacional y nacional, necesaria para situarse desde el punto de vista de los distintos requerimientos que deben cumplir estos dispositivos. A continuación se exponen las especificaciones y consideraciones necesarias para su diseño, así como su arquitectura multifuncional. En este punto del trabajo, se proponen algunos enfoques originales en el diseño, relacionados con la arquitectura del IED y cómo deben sincronizarse los datos, dependiendo de la naturaleza de los eventos y las distintas funcionalidades. El desarrollo del sistema continua con el diseño de los diferentes subsistemas que lo componen, donde se presentan algunos algoritmos novedosos, como el enfoque del sistema anti-islanding con detección múltiple ponderada. Diseñada la arquitectura y funciones del IED, se expone el desarrollo de un prototipo basado en una plataforma hardware. Para ello se analizan los requisitos necesarios que debe tener, y se justifica la elección de una plataforma embebida de altas prestaciones que incluye un procesador y una FPGA. El prototipo desarrollado se somete a un protocolo de pruebas de Clase A, según las normas IEC 61000-4-30 e IEC 62586-2, para comprobar la monitorización de parámetros. También se presentan diversas pruebas en las que se han estimado los retardos implicados en los algoritmos relacionados con las protecciones. Finalmente se comenta un escenario de prueba real, dentro del contexto de un proyecto del Plan Nacional de Investigación, donde este prototipo ha sido integrado en un inversor dotándole de la inteligencia necesaria para un futuro contexto Smart Grid.

Dispositivos electrónicos para estudiantes de informática

El presente manual está orientado a proporcionar a los alumnos de los primeros cursos de las Escuelas de Ingeniería Informática unos conocimientos sobre los Dispositivos Electrónicos adaptados, tanto en contenidos como en profundidad, a las necesidades de su especialidad. En esta línea, se han incluido únicamente los contenidos teóricos que consideramos imprescindibles, centrados en una descripción mínima de Ia estructura física y del funcionamiento a nivel microscópico de los dispositivos de estadosolido,junto con los modelos que permiten analizar el comportamiento de estos dispositivos cuando forman parte de un circuito electrónico. Se Ie ha dado especial importancia a Ia descripción de los métodos de análisis de circuitos electrónicos, fundamentalmente el análisis del punto de operación y de Ia característica de transferencia estática, junto con una introducción al análisis transitorio.

Desarrollo de circuitos electrónicos para la extracción y conversión en energía eléctrica de la vibración aplicada a materiales piezoeléctricos

xx,145 p.

Incidencia de la Convención de Basilea y los acuerdos bilaterales referentes al control del tráfico de residuos electrónicos por parte de los países de la Unión Europea (UE) en el periodo de 1992 al 2009. Estudio de Caso: Ghana.

A través de Estudio de Caso se evidencia las dinámicas del tráfico de desechos electrónicos entre los países industrializados, en donde se presencia una alta demanda de este tipo dispositivos electrónicos y los países receptores que en este caso es Ghana, además se incluye la repercusión de instrumentos internacionales como la Convención de Basilea con el fin de evidenciar la incindencia y la actuacion en el tráfico de desechos tóxicos.

Dispositivos de monitorização e controlo automático de factores climáticos em museus

As redes de comunicação sem fios são uma área de grande desenvolvimento. As tecnologias progridem e criam-se novas oportunidades de implementação de novos dispositivos nesta área. Neste tipo de redes, encontram-se as redes de sensores sem fios (WSN- Wireless Sensor Networks), que são constituídas por vários dispositivos (Nós Sensores) que colaboram entre si, para recolher e encaminhar informação sobre um determinado fenómeno físico até uma estação base. A um outro nível, a preservação das obras de arte é uma preocupação fundamental de todos os Museus. Existe a necessidade de conservar ao máximo as características genuínas de cada artefacto. Para tal, torna-se essencial uma monitorização e controlo de alguns factores ambientais, que podem danificar ou alterar as características dos materiais. Essa monitorização é realizada nos museus da Madeira, mas de uma forma manual e recorrendo a aparelhos que são dispendiosos e um pouco arcaicos. Assim sendo, tornou-se necessário encontrar uma solução, para a realização dessa tarefa de uma forma automática e contínua. As WSN oferecem uma resposta para estas necessidades, surgindo assim o projecto WISE-MUSE, que visa a monitorização ambiental para a conservação de obras de arte e artigos históricos, através de redes sem fios.Portanto, este projecto de Mestrado em Telecomunicações e Redes tem como área de acção a camada física da arquitectura do sistema WISE-MUSE. Neste sentido, desenvolveu-se um conjunto de dispositivos electrónicos, para monitorização e controlo de factores climáticos no Museu de arte contemporânea do Funchal. A ligação entre dispositivos e transmissão dos dados recolhidos foi assegurada através da implementação de uma rede sem fios. Ao nível dos nós sensores construídos, os desenvolvimentos mais importantes tiveram como meta a minimização de custos, consumo energético e dimensões dos mesmos. Além dos sensores, foram desenvolvidos outros componentes da rede, nomeadamente dispositivos routers e um dispositivo que permite o controlo automático da humidade.

Los productos electrónicos simulados (SEP) para la determinación inmediata de las causas de daños por impacto en frutas y hortalizas.

Dada la importancia económica que tienen las pérdidas de frutos por daños mecánicos y la creciente demanda de productos de calidad, se hace necesario contar con dispositivos para determinar rápidamente los puntos en que este tipo de daños se originan. Los daños por impacto se producen durante los procesos de recolección, manipulación y transporte de los productos agrícolas. Poder determinar la gravedad de los golpes producidos en cada caso es de gran importancia. Los SEPs (productos electrónicos simulados) miden y registran las fuerzas que intervienen en todo el proceso de manipulación de las frutas y hortalizas. De este modo, los puntos donde se producen fuerzas capaces de dañar al fruto pueden ser eliminados o modificados para evitar daños elevados y mejorar claramente la calidad y el valor del producto. En este articulo, se describen algunos de estos dispositivos electrónicos y los ensayos de laboratorio realizados para su calibración. Se discute su adaptación y posible utilización en nuestro país.

Efficient electronic implementations of adaptive systems for ambient intelligence environments

183 p.

Preparação e caracterização de materiais com constante dieléctrica colossal baseados em CCTO

A procura de materiais com elevada constante dieléctrica (E’) motivou nos últimos anos uma intensa pesquisa neste domínio. Entre as várias aplicações destes materiais destacam-se os dispositivos de memória baseados em componentes capacitivos, como as DRAM, em que o valor da constante dieléctrica estática (Es) determina o seu nível de miniaturização. Entre estes materiais, o CaCu3Ti4O12 (CCTO) tem sido apontado como sendo bastante interessante na perspectiva das aplicações tecnológicas e do ponto de vista científico. O CCTO tem a estrutura da perovsquite, apresentando valores elevados de E’ e uma grande estabilidade numa vasta gama de temperaturas (100 – 400 K) e frequências (100 Hz – 1 MHz). Contudo, as elevadas perdas dieléctricas (tan ) têm sido um entrave à sua aplicação tecnológica. Neste trabalho foram preparados materiais derivados do CCTO pelos métodos de reacção do estado sólido, sol-gel e fusão de zona com laser, com o principal objectivo de optimizar as amostras preparadas ao nível estrutural e morfológico, de modo a reduzir tan e aumentar a gama de frequências na qual se verifique E’colossal. Do ponto de vista da sua caracterização estrutural e morfológica usaram-se técnicas de difracção de raios X, microscopia electrónica de varrimento, espectroscopia de dispersão de raios X e espectroscopia de Raman. Para a caracterização eléctrica foram medidas a condutividade ac e dc, a impedância complexa e E’ em função da temperatura e frequência. As medidas dieléctricas mostraram a existência de mecanismos de relaxação, que foram ajustados usando o modelo de Cole-Cole. Discutiu-se a correlação entre os parâmetros de relaxação obtidos e os resultados estruturais das amostras. Atendendo a que o mecanismo de polarização que está na origem das propriedades incomuns do CCTO ainda permanece em discussão, foram produzidas amostras com uma grande diversidade morfológica, variando as condições de síntese. Foram ainda dopadas amostras de CCTO com os óxidos TeO2 e GeO2. Constatou-se que a resposta dieléctrica das amostras de CCTO policristalinas é muito dependente do tamanho de grão. Em regra, verificou-se o aumento de Es e a diminuição da resistência dos grãos e fronteiras de grão com o aumento do tamanho de grão.

Study of multiferroic materials

The present PhD work aims the research and development of materials that exhibit multiferroic properties, in particular having a significant interaction between ferromagnetism and ferroelectricity; either directly within an intrinsic single phase or by combining extrinsic materials, achieving the coupling of properties through mechanic phenomena of the respective magnetostriction and piezoelectricity. These hybrid properties will allow the cross modification of magnetic and electric polarization states by the application of cross external magnetic and/or electric fields, giving way to a vast area for scientific investigation and potential technological applications in a new generation of electronic devices, such as computer memories, signal processing, transducers, sensors, etc. Initial experimental work consisted in chemical synthesis of nano powders oxides by urea pyrolysis method: A series of ceramic bulk composites with potential multiferroic properties comprised: of LuMnO3 with La0.7Sr0.3MnO3 and BaTiO3 with La0.7Ba0.3MnO3; and a series based on the intrinsic multiferroic LuMn1-zO3 phase modified with of Manganese vacancies. The acquisition of a new magnetron RF sputtering deposition system, in the Physics Department of Aveiro University, contributed to the proposal of an analogous experimental study in multiferroic thin films and multilayer samples. Besides the operational debut of this equipment several technical upgrades were completed like: the design and construction of the heater electrical contacts; specific shutters and supports for the magnetrons and for the substrate holder and; the addition of mass flow controllers, which allowed the introduction of N2 or O2 active atmosphere in the chamber; and the addition of a second RF generator, enabling co-deposition of different targets. Base study of the deposition conditions and resulting thin films characteristics in different substrates was made from an extensive list of targets. Particular attention was given to thin film deposition of magnetic phases La1-xSrxMnO3, La1-xBaxMnO3 and Ni2+x-yMn1-xGa1+y alloy, from the respective targets: La0.7Sr0.3MnO3, La0.7Ba0.3MnO3; and NiGa with NiMn. Main structural characterization of samples was performed by conventional and high resolution X-Ray Diffraction (XRD); chemical composition was determined by Electron Dispersion Spectroscopy (EDS); magnetization measurements recur to a Vibrating Sample Magnetometer (VSM) prototype; and surface probing (SPM) using Magnetic-Force (MFM) and Piezo-Response (PFM) Microscopy. Results clearly show that the composite bulk samples (LuM+LSM and BTO+LBM) feat the intended quality objectives in terms of phase composition and purity, having spurious contents below 0.5 %. SEM images confirm compact grain packaging and size distribution around the 50 nm scale. Electric conductivity, magnetization intensity and magneto impedance spreading response are coherent with the relative amount of magnetic phase in the sample. The existence of coupling between the functional phases is confirmed by the Magnetoelectric effect measurements of the sample “78%LuM+22%LSM” reaching 300% of electric response for 1 T at 100 kHz; while in the “78%BTO+22%LBM” sample the structural transitions of the magnetic phase at ~350 K result in a inversion of ME coefficient the behavior. A functional Magneto-Resistance measurement system was assembled from the concept stage until the, development and operational status; it enabled to test samples from 77 to 350 K, under an applied magnetic field up to 1 Tesla with 360º horizontal rotation; this system was also designed to measure Hall effect and has the potential to be further upgraded. Under collaboration protocols established with national and international institutions, complementary courses and sample characterization studies were performed using Magneto-Resistance (MR), Magneto-Impedance (MZ) and Magneto-Electric (ME) measurements; Raman and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS); SQUID and VSM magnetization; Scanning Electron Microscopy (SEM) and Rutherford Back Scattering (RBS); Scan Probe Microscopy (SPM) with Band Excitation Probe Spectroscopy (BEPS); Neutron Powder Diffraction (NPD) and Perturbed Angular Correlations (PAC). Additional collaboration in research projects outside the scope of multiferroic materials provided further experience in sample preparation and characterization techniques, namely VSM and XPS measurements were performed in cubane molecular complex compounds and enable to identify the oxidation state of the integrating cluster of Ru ions; also, XRD and EDS/SEM analysis of the acquired targets and substrates implied the devolution of some items not in conformity with the specifications. Direct cooperation with parallel research projects regarding multiferroic materials, enable the assess to supplementary samples, namely a preliminary series of nanopowder Y1-x-yCaxØyMn1O3 and of Eu0.8Y0.2MnO3, a series of micropowder composites of LuMnO3 with La0.625Sr0.375MnO3 and of BaTiO3 with hexagonal ferrites; mono and polycrystalline samples of Pr1-xCaxMnO3, La1-xSrxMnO3 and La1-xCaxMnO3.

Privacy in next generation networks

In the modern society, communications and digital transactions are becoming the norm rather than the exception. As we allow networked computing devices into our every-day actions, we build a digital lifestyle where networks and devices enrich our interactions. However, as we move our information towards a connected digital environment, privacy becomes extremely important as most of our personal information can be found in the network. This is especially relevant as we design and adopt next generation networks that provide ubiquitous access to services and content, increasing the impact and pervasiveness of existing networks. The environments that provide widespread connectivity and services usually rely on network protocols that have few privacy considerations, compromising user privacy. The presented work focuses on the network aspects of privacy, considering how network protocols threaten user privacy, especially on next generation networks scenarios. We target the identifiers that are present in each network protocol and support its designed function. By studying how the network identifiers can compromise user privacy, we explore how these threats can stem from the identifier itself and from relationships established between several protocol identifiers. Following the study focused on identifiers, we show that privacy in the network can be explored along two dimensions: a vertical dimension that establishes privacy relationships across several layers and protocols, reaching the user, and a horizontal dimension that highlights the threats exposed by individual protocols, usually confined to a single layer. With these concepts, we outline an integrated perspective on privacy in the network, embracing both vertical and horizontal interactions of privacy. This approach enables the discussion of several mechanisms to address privacy threats on individual layers, leading to architectural instantiations focused on user privacy. We also show how the different dimensions of privacy can provide insight into the relationships that exist in a layered network stack, providing a potential path towards designing and implementing future privacy-aware network architectures.