宜昌鳅鮀仔稚鱼的形态特征

<正> 宜昌鳅(鱼它)系底栖性小型鱼类,在长江宜昌江段的渔获物中时有出现。繁殖期为5—6月,产漂流性卵,膜径在3.1—4.0毫米之间,水温21.2&mdash;25℃时,受精卵约经40小时孵出。作者对其仔稚鱼的形态进行了观察。实验材料系长江宜都江段采得的天然受精卵,经室内孵化培养而成的仔稚鱼。选择一尾经乌拉坦(ureathane)麻醉后在解剖镜下测量身体各部比例,记述形态特征,并绘制草图。另选两尾作对照。开始摄食后,以浮游生物喂养,培育至外

盐泽螺旋藻藻胆蛋白的分离和特性研究

盐泽螺旋藻(Spirulina subsalsa)的水溶性色素粗提物经过硫酸铵沉淀和羟基磷灰石(HA)柱层析后可以分出两种藻胆蛋白,即藻蓝蛋白(c-PC)和别藻蓝蛋白(APC)。它们的纯度(指其在可见光部分的最大吸收与280nm处吸收之比)可分别达到7.27(c-PC)和6.55(APC)。而一般认可的纯度标准,PC为5,APC为6。纯化后的c-PC和APC在聚丙烯酰胺凝胶电泳(PAGE)中仅见一条色带,其最大吸收峰分别在620_(nm)和650_(nm),其室温荧光发射峰分别为642_(nm)和657_

石化废水中酚对凤眼莲生长的影响

半动态酚毒性模拟试验表明:酚浓度高于600mg/l,凤眼莲几天内中毒死亡;酚浓度350mg/l以上亦造成不可恢复的损伤;酚浓度40mg/l以上,凤眼莲生长受到不同程度的抑制。同时叶绿素含量及a/b比率,光合作用速率及生长率等亦随酚浓度增高而降低。较强光照增加了酚的毒性影响。酚浓度25mg/l以下对凤眼莲无明显抑制影响。10mg/l以下浓度的酚还可以促进凤眼莲的生长。酚使凤眼莲无性繁殖能力下降但可促进其提早开花。

草鱼同工酶基因座位多态性的初步研究

采用垂直淀粉凝胶电泳及特异性组织化学染色技术研究了25尾草鱼的6种同工酶系统[ LDH ,MDH ,ADH, GDH, IDH, EST )约18—23个基因座位的遗传变异型。有7个基因座位(s-Mdh-A,Adh-B,Gdh-1,Gdh-2,Est-1,Est-6,Est-14)具有多态性,在其中4个基因座位(s-Mdh-A,Adh-B,Gdh-1,Est-1)上观察到的基因型频率与Hardy-Weinberg定律相符。实验表明草鱼的同工酶基因座位具有明显的多态性。这一结果为草鱼的人工选种和定向育种的可

鱼类囊胚细胞和卵的电融合

<正> 细胞核移植是研究细胞分化、核质关系等有效手段,已取得了较好的成绩。但由于细胞核移植是一种显微操作技术,技术难度较大,尚难以普及与推广。我们在进行鱼类细胞电融合初步成功的基础上,开展了鱼类囊胚细胞和未受精卵的电融合研究,探讨电脉冲可逆击穿能否将外源细胞核引入卵内?以及外源细胞核能否促进未受精卵分裂、发育成正常的个体?

Photoluminescence study of InGaN/GaN quantum dots grown on passivated GaN surface

We have measured photoluminescence (PL) and time-resolve photoluminescence (TRPL) from InGaN/GaN quantum dots (QDs) grown on passivated GaN surfaces by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Strong PL emission was observed from the QDs structure even at room temperature. By comparing the PL and TRPL dependence on temperature, a significant difference between the QD and wetting layer emissions was revealed. The QD emission is characterized by a strong exciton localization effect, which leads to a larger thermal activation energy, a nearly constant radiative lifetime independent of temperature and an unusual temperature behavior of the PL peak energy. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

Effects of V/III ratio on InGaAs and InP grown at low temperature by LP-MOCVD

Effects of V/III ratio on heavily Si doped InGaAs and InP were studied using low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) at a growth temperature of 550degreesC. In InGaAs, as the V/III ratio decreases from 256 to 64, the carrier concentration increases from 3.0 x 10(18) to 5.8 x 10(18) cm(-3), and the lattice mismatch of InGaAs to InP was observed to vary from -5.70 x10(-4) to 1.49 x 10(-3). In InP, when the V/III ratio decreases from 230 to 92, the same trend as that in Si doped InGaAs was observed that the carrier concentration increases from 9.2 x 10(18) to 1.3 x 10(19) cm(-3). The change of AsH3 was found to have stronger effect on Si incorporation in InGaAs at lower growth temperature than at higher growth temperature. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ga1-xMnxSb grown on GaSb substrate by liquid phase epitaxy

The Gal(1-x)Mn(x)Sb epilayer was prepared on the n-type GaSb substrate by liquid phase epitaxy. The structure of the Gal(1-x)Mn(x)Sb epilayer was analyzed by double-crystal X-ray diffraction. From the difference of the lattice constant between the GaSb substrate and the Ga1-xMnxSb epilayer, the Mn content in the Ga1-xMnxSb epilayer were calculated as x = 0.016. The elemental composition of Ga1-xMnxSb epilayer was analyzed by energy dispersive spectrometer. The carrier concentration was obtained by Hall measurement. The hole concentration in the Ga1-xMnxSb epilayer is 4.06 x 10(19)cm(-3). It indicates that most of the Mn atoms in Ga1-xMnxSb take the site of Ga, and play a role of acceptors. The current-voltage curve of the Ga1-xMnxSb/GaSb heterostructure was measured, and the rectifying effect is obvious. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

Parameters determining crystallinity in beta-SiC thin films prepared by catalytic chemical vapor deposition

The effects of deposition gas pressure and H-2 dilution ratio (H-2/SiH4+CH4+H-2), generally considered two of dominant parameters determining crystallinity in beta-SiC thin films prepared by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD), often called hot-wire CVD method, on the films properties have been systematically studied. As deposition gas pressure increase from 40 to 1000 Pa, the crystallinity of the films is improved. From the study of H-2 dilution ratio, it is considered that H-2 plays a role as etching gas and modulating the phases in beta-SiC thin films. On the basis of the study on the parameters, nanocrystalline beta-SiC films were successfully synthesized on Si substrate at a low temperature of 300degreesC. The Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) and X-ray diffraction (XRD) spectra show formation of beta-SiC. Moreover, according to Sherrer equation, the average grain size of the films estimated is in nanometer-size. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

硫脲的电化学氧化机理和金在酸性硫脲水溶液中的电化学行为

硫脲做为一种提取黄金的络合剂，在工业上受到人们的普遍重视。近年来，国内外都开展了硫脲提取黄金的研究工作。硫脲做为金的络合剂的最大缺点是易被氧化分解。我们开展了金在酸性硫脲水溶液阳极溶解的研究工作。这项工作在国内外还不多见。在研究金的阳极溶解的同时。我们也研究了硫脲的氧化分解过程。本论主要包括以下两方面的工作。（1）硫脲电化学氧化的研究（2���金在酸性硫脲水溶液中的电化学行为 一.硫脲的电化学氧化机理的研究 我们采用暂态的电化学方法和稳态的电化学方法从不同侧面研究了硫脲的氧化过程。循环伏安法研究结果表明。硫脲氧化在0.5伏出现第一个氧化峰。在1.0伏出现第二个氧化峰。说明在不同的电位区的氧化机理不相同。低电位下硫脲的氧化是一个不可逆的电极过程。峰电流和扫描速度的平方根。浓度都成线性关系。从峰电位和峰电流的关系求出了标准速度常数为10克m/s数量级。不同PH下的循环伏安图表明：随PH的升高，峰电位负移。计时电位法的研究结果表明，硫脲的氧化过程有一个前置的化学转化过程，我们认为那是硫脲的异构化反应。人此方法中还求出硫脲氧化过程的电子转移系数α＝0.47。采用交流阻抗的方法我们还研究了硫脲氧化过程中的阻抗变化规律。发现在平衡电位和低电位下，硫脲氧化的复数平面阻抗图都是半园，并且反应电阻随电位的升高是逐渐地变小的。说明硫脲氧化过程是由简单的电子传递步骤控制的。我们利用旋转玻碳电极和旋转铂电极研究了硫脲的氧化过程。发现随PH的升高，在玻碳电极上，低电位下硫脲的氧化愈困难，而在铂电极上愈容易。说明在两种电极上硫脲的氧化机构是不相同的。在高电位，玻碳电极上，电流随电位一直是上升的。而在铂电极上出现了峰电流。说明在铂电极上有吸附氧的反应存在。二.金电极在酸性硫脲水溶液中的电化学行为循环伏安法研究金在酸性硫脲水溶液中的阳极溶解行为表明，金的阳极溶解电流峰出现在0.3伏左右。0伏左右出现其对应的还原峰。高电位区有硫脲的氧化峰，金电极表面的氧化峰及其还原峰。金溶解电流峰值是和硫脲的浓度。电位扫描速度介质。介质浓度，电位扫描范围有关。金溶解的电流峰的峰电位随电位扫描速度的变化不是太明显。旋转金盘电极实验结果表明：金的溶解过程没有出现极限扩散电流，相反，出现了电流峰。金的溶解过程不是由扩散控制的，E/I曲线上的电流峰和硫脲的浓度，转速有关。随浓度的增大，转速的加大，电流峰值加大，而峰电位负移。测定不同浓度硫脲下的极化曲线得到塔菲尔斜率65mv。库仑电解实验表明：金的阳极溶解反应只有在一定的电位范围内按100%的电流效率进行。这个电位范围和硫脲的浓度有关。一般浓度愈高，电位范围的上限越低。但一般不高于0.4伏。金的溶解速度在相同电位下随硫脲浓度的增加而增大。在相同浓度下，有最大溶解速度的电位存在。

稀土对铝及变形铝合金性能影响和作用机理研究

稀土对铝及铝合金具有很多良好作用。根据国内外有关铝合金发展趋势的报道，铝合金向中强高工艺高强耐热、超塑、微量元素改善合金性能等方向发展稀土在这些方面对铝合金有着很好的作用效果。因此研制新型铝合金，研究稀土对铝合金组织和性能的影响及稀土作用机现，有着重要的意义。稀土在铝合金中的应用已经引起了国内外研究工作者的关注。近几年此方面研究尤为活跃。我国是一个稀土蕴藏量较大的国家，研究稀土在铝合金中的作用，可以更好地发挥我国的资源优势，对国民经济的发展将起着重要的作用。有关稀土在铝合金中的应用研究，国外开展的较早。我国始于七十年代。合金工作者对稀土在铝合金中的作用进行了大量的研究，确认了稀土可以改善铝合金的组织和性能，改善工艺性能，表面光泽性和耐腐蚀性但是，目前的研究还没有形成系统和全面的理论，由于研究条件和目的不同，很多的研究还处于实验室阶段，对某些问题还研究得不够深入，不够全面。如：1. 稀土对金属铝组织和性能影响；2. 稀土对铝合金枝晶组织细化作用和晶体结构影响；3. 稀土如何改善铝合金的加工工艺性能，提高铝合金的成品率；4. 稀土对提高合金沉淀硬化速度，使GD区快速析出，时效峰提前；5. 铝热还原法，较低温度下制取铝稀土合金，特别是重稀土合金；6. 稀土铝合金的加工硬化过程研究；7. 稀土在变形铝合金中的存在状态和分布规律；基于上述问题和国内对铝合金的需求，本文主要做了如下几个方面的工作：1. 研制了RE-Al-Mg-Si挤压型材合金，稀土是采用向工业电解槽中加入混合稀土化合物同铝一起共电沉积，制取稀土铝合金，然后配制成RE-Al-Mg-Si合金。对其组织，晶体结构，性能，沉淀硬化过程等进行了研究得出如下结论：①. 稀土可使Al-Mg-Si合金强度提高10-20%，硬度提高10%左右；②. 稀土可以改善Al-Mg-Si合金的加工性能，在挤压温度下具有较大的高温塑性。稀土可使铝镁硅合金晶粒细化，再结晶温度和过烧温度提高，允许在较宽温度范围内进行热处理；③. 稀土可使Al-Mg-Si合金表面致密，光亮，改善耐腐蚀性和光学特性；④. 稀土可使铝基体晶胞体积减小，晶胞体积的减小值和强度、硬度提高成很好的直线关系。首次提出稀土对铝合金的“晶胞收缩效应”；⑤. 稀土在铝镁硅合金中分布规律是晶内晶界都有稀土存在，晶界多于晶内。稀土和Si，Fe等共存于晶界。⑥. 稀土可促使GP区快速析出，弥散的第二相质点在位错线上析出，起着钉扎位错，增大位错密度的作用，因而时效硬度提高，时效峰提前；为短时高温时效提供了实验依据；2.研制了RE-Al-Zn-Mg中强合金。稀土的加入是采用对掺法，对合金的组织、性能，加式硬化过程，时效工艺及稀土分布规律进行了研究，得出如下结论：①. 稀土可改善合金加工性能，尤其是高温延伸率，当稀土为0.489%时达到750%，是未加稀土的合金两倍多。该合金具有超塑性。②. 铸态或变形后，稀土对组织都有细化作用；③. 该合金加工硬化过程具有三个阶段，经过线性回归处理成很好的直线关系。④. 稀土可使Al-Zn-Mg合金的时效峰提前约4小时；⑤. 稀土合金的新相在位错密度线上析出，阻碍位错移动，使严结构组织保持较大的位错密度，从而改善合金性能；⑥. 该合金具有满意的强度，可适合挤压，轧制等变形加工。3. 研究了稀土对金属铝组织和性能的影响。用铝热还原法制得Al-RE合金。实现了较低温度下重稀土化合物的铝热还原。采用电解复膜工艺，制得金相样品；使合金的细节组织清晰可见。研究了组织和性能，得出如下结论：①. 稀土对铝的细化作用，枝晶细化更明显，这主要是稀土在铝中的溶质再分配，造成了结晶前沿的过冷区，使铝晶粒以树枝状晶长大，由于稀土元素在铝中的溶质分配系数不同而表现在细化晶粒方面有一定的差异；②. 稀土在铝中主要分布在晶界和枝晶界，晶内也有稀土存在；③. 稀土可以提高纯铝的机械性能和高温塑性；④. 通过铝热还原，可在较低温度不制得Dy、Eu、Gd、Y等重稀土铝合金。

导电聚哒嗪的电化学合成与结构、性能表征

在现有导电聚合物中，芳香族杂环聚合物尤为人们所重视，这不仅因为它们能够容易地用电化学方法合成，而且还因为它们具有较好的稳定性。然而在众多的杂环聚合物中，只有聚吡咯、聚噻吩及其取代衍生物得到广泛深入的研究，对其他聚合物则了解甚少。Satoh等曾报道过聚哒嗪的电化学合成，但是却缺乏详细的表征、研究工作。为深入了解聚哒嗪的结构和性质，在本论文中，我们详细讨论了聚哒嗪的电化学合成及其结构、性能表征，并提出了其导电机理。首先，我们按文献方法成功地合成了单体哒嗪，并且对中间产物2���5－二甲氧基－2.5－二氢呋喃的电解合成法作了较大修改。在单体合成的基础上，进行了聚哒嗪的电化学合成。对哒嗪的电化学氧化聚合研究表明，哒嗪具有较高的氧化聚合电位，其值约为1.6 V vs. Ag/AgCl。哒嗪的循环伏安氯化电流峰在1.9V附近；与其它杂环化合物类似，哒嗪氧化聚合时，聚合物同时也发生氧化掺杂，因此，在1.3-1.5V范围内，循环伏安谱上有一小肩峰逐渐形成；与此相对应，还原聚哒嗪膜在不含单体的电解质溶液中扫描时，在1.2V附近有一氧化电流峰出现。由于哒嗪阳离子自由基较高的稳定性，它的一部分能够从阳极表面向溶液扩散而产生可溶性低分子量产物，使哒嗪氧化聚合反应电流效率只达到70％左右。另外对聚哒嗪膜的电化学行为表征表明，聚哒嗪膜的电化氧化－还原活性很差，这使得它的应用价值受到限制。根据元素分析结果，中性聚哒嗪的化学组成符合分子式：(C_4H_2N_2)_n。在它的红外光谱上，840cm~(-1)的δ_(CH)面外吸收的出现证明聚合物主要是α-α'联结的；但聚哒嗪的C1s*PS谱在高结合能侧出现一小峰也意味着其它类型的键接方式的存在。元素分析，红外光谱、XPS等表征均说明，电化学聚合所得的聚哒嗪是高掺杂的，掺杂阴离子含量约为0.2-0.3阴离子／环，而且其N1s*PS谱的不对称性暗示，掺杂聚哒嗪的正电荷存在非均匀分布。另外，掺杂聚哒嗪在1020和920cm~(-1)有两个掺杂诱导吸收带。作为一种导电聚合物，聚哒嗪具有较高的电导率（σ_(max)=2.2s/cm），而且具有较好的环境和空气稳定性。对聚哒嗪的吸收光谱研究表明，中性聚哒嗪只有一个相应于能隙的吸收峰；而掺杂聚哒嗪有两个低于能隙的吸收峰（分别位于0.9eV和1.9eV），从而证明掺杂聚哒嗪中荷电态是双极子，聚哒嗪的主要导电机制为双极子的链内迁移和链间跳跃。ESR研究表明，聚哒嗪中存在着中性自由基，它们大都是由于聚合反应的不完善带来的，而且它能与氨气作用而湮灭。另外，聚哒嗪能溶于二甲基亚砜，且溶液与聚哒嗪膜有相同的光谱和ESR性质，从而证明其电子结构没有发生变化。