慢光在光子晶体弯折波导中的高透射传播

研究了慢光模式在SOI(silicon-on-insulator)材料光子晶体线缺陷弯折波导中的传输特性.通过优化波导弯折处的结构参数,慢光模式在光子晶体60°与120°弯折波导中的透射率提高10倍以上,归一化透射率分别达到80%和60%以上.为了进一步减慢光速,设计了新颖的高Q值耦合腔弯折波导结构,在归一化透射率达到75%的基础上,光波群速度低至c/170(c为真空光速).研究结果对于增强光子晶体的慢光效应,提高光子晶体慢光器件的微型化和集成化都有一定的积极意义.

Bandwidth Design for CMOS Monolithic Photoreceiver

A monolithic photoreceiver which consists of a double photodiode (DPD) detector and a regulated cascade(RGC) transimpedance amplifier (TIA) is designed. The small signal circuit model of DPD is given and the band width design method of a monolithic photoreceiver is presented. An important factor which limits the bandwidth of DPD detector and the photoreceiver is presented and analyzed in detail. A monolithic photoreceiver with 1.71GHz bandwidth and 49dB transimpedance gain is designed and simulated by applying a low-cost 0. 6um CMOS process and the test result is given.

Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备

用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2(GeO2-SiO2)粉末,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃.用光学显微镜观察了样品表面形貌,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响.用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度.结果表明,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2具有表面平整光滑,折射率和厚度可调等优点,适合用作Si基SiO2波导器件的芯层.

MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文）

提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH_3为源，用MOVPE方法生长Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N四元合金的推热力学模型。该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的，其特点是考虑了NH_3的分解效率，并用N、H、Ga、Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程。计算了各种生长条件对于与GaN晶格匹配的Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响。计算表明，几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N四元合金中，而In则富集在气相。为增强铟的并入，应采用低的生长温度，高的Ⅴ/Ⅲ比，氮载气而且须要设法降低到达生长界面前氨的分解。

Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well

We have investigated GaNAs/GaAs single quantum wells (SQWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) using photoluminescence (PL), time-resolved PL (TRPL) and photovoltaic (PV) techniques. The low temperature PL is dominated by spatially direct transitions involving electrons confined in GaNAs well and holes localized in the same GaNAs layer. This assignment was supported by PL decay time measurements and absorption line-shape analysis derived from the PV measurements. By fitting the experimental data with a simple calculation, the band offset of the GaN0.015As0.985/GaAS heterostructure was estimated, and a type II band lineup in GaN0.015As0.985/GaAs QWs was suggested. Moreover, DeltaE(C), the discontinuity of conductor band, is found to be a nonlinear function of the nitrogen (N) composition (x), and the average variation of DeltaE(C) is about 0.110eV per %N, The measured band bowing coefficient shows a strong function of x, giving an experimental support to the theoretic calculation of Wei et al [Ref.2].

兰州重离子研究装置辐射环境安全性评估

描述了兰州重离子研究装置(HIRFL)运行10多年来对其周围中子、γ辐射水平,环境中水、土、植物等介质的总α、总β放射性水平以及屏蔽周围的中子、γ辐射水平和工作人员个人剂量的测量结果,并进行了初步评价。监测结果表明,兰州重离子研究装置的运行没有造成环境的放射性污染,运行是安全的。

SUPER-FRS/CR超导磁体力学性能分析

中国签订了为德国FAIR国际大科学工程加工SUPER-FRS/CR超导二极磁铁样机的合作备忘录。该超导二极磁铁属于常温铁芯、低温线圈的超导磁铁，该磁铁的磁场强度0.15～1.6T，偏转角度15°，偏转半径8125mm，磁场精度要求±1×10-4，磁铁总重量约50吨。磁铁铁芯采用0.5mm的硅钢片叠压成型，由中科院近代物理研究（IMP）所计算、设计制造，线圈采用4.2K液氦浸泡式超导线圈，由合肥等离子体所设计制造（IPP）。 超导磁体的力学性能分析一直是超导磁体的基础问题。本文利用有限元分析方法，借助有限分析工具ANSYS、ADINA、OPERA等，分析了超导磁体的电磁场，着重模拟计算了SUPER-FRS/CR超导二极磁铁的电磁力作用；模拟了降温过程，计算了杜瓦、线圈热应力的作用；并对SUPER-FRS/CR超导线圈进行地震载荷作用的模拟。对以上不同的受力作用所遵循的不同的机械设计准则，进行不同的分析，最后计算结果证明设计的结构是安全、可靠的。由于超导线圈的结构复杂，导致在线圈拐角的地方应力有些集中，但是并不影响结构的可靠性。 本文还介绍了超导实验线圈的一些工艺设计，例如超导线圈的绕制，低温材料的选择，电流引线的设计工艺，以及VPI工艺。并对实验磁体进行了一系列的低温性能测试，例如短样测试、降温实验等，获得了一些重要的低温实验参数。这些参数将为以后超导磁体的研制提供宝贵的依据