Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备
| Data(s) |
2004
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| Resumo |
用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2(GeO2-SiO2)粉末,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃.用光学显微镜观察了样品表面形貌,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响.用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度.结果表明,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2具有表面平整光滑,折射率和厚度可调等优点,适合用作Si基SiO2波导器件的芯层. 用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2(GeO2-SiO2)粉末,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃.用光学显微镜观察了样品表面形貌,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响.用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度.结果表明,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2具有表面平整光滑,折射率和厚度可调等优点,适合用作Si基SiO2波导器件的芯层. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:05导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4703.pdf: 195509 bytes, checksum: 0c3b71ba292a5416f8663d3254fb48da (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郜定山;李建光;王红杰;安俊明;李健;夏君磊;胡雄伟.Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备,半导体学报,2004,25(6):674-677 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
