1000 resultados para 60-456A


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采用飞行时间质谱计测量了纳秒激光诱导C60分子碎裂中轻碎片离子Cn+(n≤11)的初始平均动能,结果显示轻碎片离子具有相同的初始平均动能(约为0.34 eV),并且该动能在一定范围内不随激光通量的变化而明显改变.结合前人的实验结果,对纳秒激光诱导C60分子碎裂中轻碎片离子Cn+(n<30)的主要产生模式作了新的阐述,即C60分子级联发射15个C2分子和一个电子形成自身不稳定的C3+0离子,在皮秒时间尺度内C3+0离子的笼形结构塌陷,进而轻碎片离子产生.

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利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5keV/nm时,不同辐照剂量(5×1010—8×1013ions/cm2)下,在C60薄膜中引起的辐照损伤效应。分析表明,Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤。在辐照剂量达到一中间值1×1012ions/cm2,C60分子的损伤得到部分恢复,归因于电子激发引起的退火效应。通过对Raman数据的拟合分析,演绎出Fe离子辐照在C60材料中形成的潜径迹截面或引起损伤的截面约为1.32×10-14cm2。

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用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱、X射线光电子谱和拉曼散射技术分析了能量为GeV量级的S、Fe、Xe、和U离子,以及120keV的H离子在室温下辐照多层堆积C60薄膜的结构稳定性,即快重离子在C60薄膜中由高密度电子激发引起的效应,主要包括C60分子的聚合、分子结构的损伤、新的高温-高压相的形成和晶态向非晶态的转变。

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用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(HTHP)的形成,和在髙电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变。由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径Re,及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律。

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C60 在与重离子作用下的激发机制与入射离子能量、质量及电荷态有关。核阻止主要出现在低能重离子与C60 的碰撞中 ;而高能轻离子作用下 ,电子阻止迅速增强 ,成为主要的激发方式。本文中直接观察到由弹性碰撞引起的C+ 峰 ,及其丰度依赖于入射离子的质量。同时我们还发现电子阻止随入射离子能量 (7~ 2 0keV)增大相应增加 ,这与绝热量子分子动力学计算的结果一致。

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通过60MeV/u18O离子照射天然铀靶产生Ba放射性同位素,使用BaCl2沉淀法从大量铀和其它反应产物混合物中分离出Ba.通过离线γ谱学方法测量了Ba样品的γ射线单谱,根据Ba同位素特征γ射线峰的强度及其它相关数据计算了Ba同位素的生成截面.发现在厚铀靶的情况下,缺中子Ba同位素仍有较高的截面.

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利用能量为 2 0GeV的13 6Xe和 2 7GeV的2 3 8U离子对C60 薄膜进行了辐照 ,并用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱和拉曼散射技术分析了辐照过的C60 样品 ,在傅立叶变换红外光谱上 ,首次观察到一个位于 6 70cm-1处的 ,表征未知结构的新峰 ,研究了其强度随电子能损和辐照剂量的变化规律 .分析结果表明 ,电子能量转移主导了C60 薄膜的损伤过程 ;而损伤的部分恢复是由强电子激发的退火效应引起的 ;另外 ,离子的速度在损伤的建立过程中也起了一定的作用