1.23GeV Fe离子在C_(60)薄膜中形成潜径迹的Raman谱分析
| Data(s) |
10/09/2005
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| Resumo |
用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(HTHP)的形成,和在髙电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变。由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径Re,及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
金运范,姚存峰,王志光,谢二庆,宋银,孙友梅,张崇宏,刘杰,段敬来,赵志明.1.23GeV Fe离子在C_(60)薄膜中形成潜径迹的Raman谱分析, 核技术, 2005-09-10, 2005( 09):667-670 |
| Palavras-Chave | #潜径迹 #强电子激发效应 #C_(60)薄膜 #快Fe离子 #Raman谱 |
| Tipo |
期刊论文 |
