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利用团聚体分形维数、孔隙分形维数等指标,对比分析了秸秆在经过粉碎、氨化及与无机土壤改良剂混合3种措施处理后加入土壤对土壤团聚结构、土壤容重、孔隙度及低吸力段土壤水分蒸发特性的影响,结果表明:粉碎并氨化处理过的秸秆施入土壤后,能显著改善土壤团聚结构,减小土壤容重,增加土壤孔隙度;秸秆加入土壤中会导致处理低吸力段土壤孔隙分形维数变小,孔隙分布均匀性、连通性变差,导致土壤蒸发速率过快,而无机土壤改良剂(氢氧化铁)能有效改善土壤孔隙分布,抑制土壤蒸发,当其与秸秆混合施用时,对雨水保蓄利用效果更好。

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为了探明多年免耕下农田恶性杂草发生的机理,提高保护性耕作下作物对农田恶性杂草持久稳定的抑制效果,依据陕西安塞田间4a的定位试验,采用小区调查取样和室内实验相结合的方法,从物种组成、密度特征、多样性以及相似性特征等方面,研究了黄土丘陵旱作农区大豆(Glycine max)、玉米(Zea mays)、红小豆(Semen Phaseoli)、马铃薯(Solanum tuberosum)在翻耕化肥(CF)、翻耕有机肥(CM)、翻耕无肥(CN)、免耕化肥(NF)、免耕有机肥(NM)、免耕无肥(NN)等水平下的农田土壤种子库。结果表明:(1)4种作物24种土样中共萌发出12个物种1965株幼苗,隶属于7科12属。1年生杂草占94%,棒头草(fugax nees ex steud)、苋菜(Acalypha australis)、马唐(Digitaria sanguinalis)、早熟禾(Poasphondylodes)为优势种,占87%。(2)在0~20cm土层不同处理间,土壤种子库的密度变动于(282.9±63.4)~(7482.5±1078.3)粒.m-2,其中,红小豆小区>马铃薯小区>大豆小区>玉米小区;翻耕小区>免...

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采用DEAE-sephadex A-50、Sephadex G-100、CM-sepharose cl-6B三步柱层析,从烙铁头(T. mucrosquamatus)蛇毒中纯化得到的精氨酸酯酶在聚丙烯酰胺凝胶电泳(pH 8.3)和SDS-聚丙烯酰胺凝胼电泳中均呈现单一的蛋白带。其分子量为29000,等电点pI为5.2;由225个氨基酸残基组成,其中Gly,Asp和Glu的含量较高。它是一个糖蛋白,含有0.5%的中性已糖和0.75%的唾液酸,对热及酸碱变化较稳定。在280nm波长处有典型的蛋白质吸收峰,此时的消光数E0.1%/1cm为1.332。该酶具有较强的精氨酸酯酶活性和纤维蛋白原溶解活性,无出血活性、酪蛋白水解活性以及粗毒中含有的其它酶活性。从烙铁头(T. mucrosquamatus)蛇毒中纯化的具纤维蛋白原溶解活性的精氨酸酯酶(MFAE)是一丝氨酸蛋白酶,其活性可被PMSF抑制而不受EDTA的影响。MFAE酶促反应的最适pH为8.4,最适温度55 ℃; pH7.6、37 ℃时水解BAEER的米氏常数K_m为20 * 10~(-3)M。该酶能降解纯化人纤维蛋白原的Bβ链以及纯化牛纤维蛋白原的Aα和Bβ链,并有一定的纤维蛋白溶解活性。它能明显延长兔血浆的凝血酶时间和复钙时间。纯化的MFAE无出血活性、凝血酶样活性及血小板聚集活性,对ADP、AA、TMVA、Melittin等诱导的血小板聚集也无抑制或解聚作用。本文还测定了它对凝血酶及胞浆毒特异性合成三肽底物的水解活性。

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在黑白仰鼻猴(Rhinopithecus bieti)分布区北端的南仁(99o04’E, 28o34’N), 野外工作分别于2001年4月10日 - 6月30 日(代表冬末和春季),9月14日 - 12月20日(夏秋季)进行。我们分别用粪便取样法、录像带记录和直接观察法收集了猴群生境的垂直利用、过夜处选择和社会组织数据。此外,我们于1998年8月20日到12月31日在中科院昆明动物研究所老所利用全发生取样法(All-Occurence sampling)收集了一个单雄多雌单元(One-male, multi-female unit: OMU)的性行为数据。另外,我们利用昆明动物所1994 - 2003年和昆明动物园1991 - 2003年笼养黑白仰鼻猴群的出生记录来说明出生季节和出生间隔。 黑白仰鼻猴群全年在3500 - 4300 m的林带上活动,集中利用的海拔带为3900 - 4200 m,这可能与猴群的主食(松萝)主要分布于高海拔有关。冬季, 山沟中的粪便密度高于山脊,这可能是猴群在沟中过夜的缘故。猴群喜欢在树高(27.5 ± 3.2 m)较高、胸径(57.9 ± 16.9 cm)和树冠(6.3 ± 1.4 m)大的针叶树(云冷杉)上过夜。猴群冬季喜欢在阳坡中部的针叶树上过夜,这样既安全又可以接受适量的阳光照射。这是猴群在选择最安全和最暖和过夜处的一种折衷策略。 1994年猴群OMUs大小为7.8 ± 1.7(n = 17),成年性比(M/F)是1.0: 3.8。2001年OMUs大小为10.1 ± 3.7 (n = 15),成年性比是1.0: 4.9。1994-2001年,OMUs中每个成年雌性每年的平均增长率是0.04。这种OMU-band两层社会组织与Kirkpatrick(1996)的报道一致。 雌性以匍匐地面或栖木上,同时面部和视线左右摆动,或者坐着上下移动头部的动作邀配;雄性则以伴有特别的叫声、露齿动颌表情邀配。在有射精记录的观察日中,平均每5.2次爬跨有1次射精,而单次爬跨就射精的仅占4.4%。雌性邀配了18次射精爬跨的大多数(72%),但163次非射精爬跨中她们邀配的仅为45%。雄性在射精交配中叫声多于非射精交配。该种交配模式与其它疣猴亚科动物相似,而性内交配竞争可能与这种模式的进化有关。 笼养黑白仰鼻猴群的出生日期为12 - 6月份,出生高峰期为3 - 5月份。猴群的平均出生日期为4月18日(标准差为43天),中位出生日期为4月10日。猴群的出生间隔平均为624 ± 150天(n = 15,范围:332 - 787天)。幼猴可活到1岁后的出生间隔(706 ± 71, n = 12, 498 - 787天)显著长于1岁内死亡或流产后的出生间隔(428 ± 87, n = 5, 332 - 568天)。婴猴性比(M/F)显著偏离1: 1。

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The electronic structures of the zinc-blende GaN/Ga0.85Al0.15N compressively strained superlattices and quantum wells are investigated using a 6 x 6 Hamiltonian model (including the heavy hole, light hole and spin-orbit splitting band). The energy bands, wavefunctions and optical transition matrix elements are calculated. It is found that the light hole couples with the spin-orbit splitting state even at the k=0 point, resulting in the hybrid states. The heavy hole remains a pure heavy hole state at k=0. The optical transitions from the hybrid valence states to the conduction states are determined by the transitions of the light hole and spin-orbit splitting states to the conduction states. The transitions from the heavy hole, light hole and spin-orbit splitting states to the conduction states obey the selection rule Delta n=0. The band structures obtained in this work will be valuable in designing GaN/GaAlN based optoelectronic devices. (C) 1996 Academic Press Limited

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在较高工作气压(332.5~399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman) 测试技术对其进行了测试和分析.结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在(111)、(220)和(331)峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小(2~5nm)符合纳米晶的要求.将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结(HIT)太阳能电池,开路电压(Voc)达404mV,短路电流密度(Jsc)可达到34.2mA/cm2(AM1.5,100mW/cm~2,25℃).

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A technology for the monolithic integration of resonant tunneling diodes (RTDs) and high electron mobility transistors (HEMTs) is developed. Molecular beam epitaxy is used to grow an RTD on a HEMT structure on GaAs substrate. The RTD has a room temperature peak-to-valley ratio of 5.2:1 with a peak current density of 22.5kA/cm~2. The HEMT has a 1μm gate length with a-1V threshold voltage. A logic circuit called a monostableto-bistable transition logic element (MOBILE) circuit is developed. The experimental result confirms that the fabricated logic circuit operates successfully with frequency operations of up to 2GHz.

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A cladding-pumped ytterbium-doped fiber laser is described in this letter. Using unusual pumping source with 915-nm wavelength, slope efficiency up to 75% with respect to absorbed input power and output power is obtained, a maximum output power of 4.006 W with fundamental mode is measured.

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利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV.此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系.

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实验研究了基于电吸收调制器(EAM)的限幅和降噪特性。结果表明,在适当的偏置电压下,EAM有很好的限幅特性;EAM也有一定的降低自发辐射噪声(ASE)的作用。因此, EAM适合作为在线光开关,也可在光纤通信系统中作为限幅器使用。

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在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。