SIHSUS como fonte para o estudo de morbi-mortalidade por medicamentos no Estado do Rio de Janeiro

A despeito de suas limitações, os dados do SIHSUS são os mais sistemáticos e abrangentes sobre as Reações Adversas e Intoxicações a medicamentos que provocam hospitalização. Eles demonstram a importância das ações de educação e investigação de casos do Programa Nacional de Farmacovigilância para possibilitar o diagnóstico mais acurado e superação do quadro atual de ocorrência desses agravos, além da possibilidade de o SIH/SUS ser utilizado sistematicamente como fonte de dados na detecção e análise dos problemas relacionados a medicamentos. No período de 1999 a 2007, foram emitidas 6.670.609 AIH (tipo 1), entre as quais 3.611 foram classificadas como internações devidas a RAM e 4.675 como Intoxicações, correspondendo, respectivamente, às taxas médias de 5,41 casos por 104 AIH e 7,2 casos por 104 AIH. Ocorreram 137 óbitos (3,79% das AIH) por RAM e 207 (4,43% das AIH) por Intoxicações na população internada. Tanto as RAM como as Intoxicações tiveram menor chance de levar ao óbito quando comparados às outras causas. Uma característica da distribuição dos RAM foi concentrar 62% das AIH nas faixas etárias de 20 a 59 anos de idade (grupo adulto). Nas Intoxicações merece destaque a elevada proporção de AIH na faixa etária de 0-4 anos (14,29%). As AIH registradas com causas básicas relacionados a RAM foram principalmente de pacientes do sexo masculino, já as Intoxicações foram principalmente de pacientes do sexo feminino. Em ambos tipos de agravos estes pacientes foram internados em hospitais que não faziam parte da Rede de Hospitais Sentinelas do Programa Nacional de Farmacovigilância. No entanto, a probabilidade destes hospitais registrarem as AIH com códigos CID-10 referentes às RAM é maior, o que ocorre provavelmente por estarem mais capacitados em diagnosticar este tipo de agravo. Porém este fato não foi observado para as Intoxicações. Os fármacos que causaram os agravos estudados são psicoativos. Este estudo apresentou algumas evidências sobre a distribuição da morbi-mortalidade provocada por medicamentos entre pacientes internados em hospitais conveniados ao SUS no período de 1999-2007, baseadas nas informações das AIH, que podem ser úteis ao Programa de Farmacovigilância no Estado do Rio de Janeiro.

Charge and spin transport in graphene devices

170 p.

La construcción social de la idea de discapacidad en sociedades tecnológicamente globalizadas

207 p.

准分子激光光束均匀技术

由于放电结构及谐振腔的限制，准分子激光光斑呈现不均的分布。介绍了各种均匀器的工作原理，从衡量光束均匀性的各项指标出发，评述分析了各种均匀方法的优缺点及适用范围。

Development of the heterogeneous catalysts for the production of levulinic acid from furfuryl alcohol

207 p.

Bismuth-activated luminescent materials for broadband optical amplifier in WDM system

New broadband near infrared luminescence covering the whole work windows (1260-1625 nm) of the current wavelength division multiplexing (WDM) system was found from bismuth-activated M2O-Al2O3-SiO2 (M = Li, Na) and Li2O-Ta2O5-SiO2 glasses at room temperature in the case of 808 nm-laser excitation. But the near infrared luminescence mechanism of the bismuth-activated glasses is not well understood up to now. The figure-of-merits of bandwidth and gain of the glasses are better than those of Er3+-doped silicate glasses and Ti3+ doped sapphire, implying they are the promising gain-medium candidates for the broadband amplifiers and the widely tunable laser sources. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

Broadband infrared luminescence from bismuth-doped GeS2-Ga2S3 chalcogenide glasses

Near-infrared luminescence is observed from bismuth-doped GeS2-Ga2S3 chalcogenide glasses excited by an 808 nm laser diode. The emission peak with a maximum at about 1260 nm is observed in 80GeS(2)-20Ga(2)S(3):0.5Bi glass and it shifts toward the long wavelength with the addition of Bi gradually. The full width of half maximum (FWHM) is about 200 nm. The broadband infrared luminescence of Bi-doped GeS2-Ga2S3 chalcogenide glasses may be predominantly originated from the low valence state of Bi, such as Bi+. Raman scattering is also conducted to clarify the structure of glasses. These Bi-doped GeS2-Ga2S3 chalcogenide glasses can be applied potentially in novel broadband optical fibre amplifiers and broadly tunable laser in optical communication system.

激光尘埃粒子计数器微型光学传感器的研究

研制成功便携式激光尘埃粒子计数器的核心部件——微型光学传感器。该传感器采用直角散射光收集形式。以高功率半导体激光器作为光源，同时采用高性能的PIN型光电二极管作为光电探测器。散射光收集系统为单一大数值孔径的球面反射镜，其对粒子散射光的收集角范围从20°到160°。粒子散射光信号是脉冲信号，其频谱成份主要在高频段，所以在PIN型光电二极管后用一个带通式前置放大器来消除外界的低频噪声．根据米氏散射理论计算了该光学传感器的光散射响应特性，并用聚苯乙烯标准粒子实测了该光学传感器的性能。结果表明，该系统具有高的信噪