Micro-Raman study on hydrogenated protocrystalline silicon films

Good quality hydrogenated protocrystalline silicon films were successfully prepared by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) with various hydrogen dilution ratios (R = ([H-2]/[SiH4]) from 10 to 100). The photosensitivity of the films is up to 10(6) under the light intensity of 50mW.cm(-2). The microstructure of the films was studied by micro-region Raman scattering spectra at room temperature. The deconvolution of the Raman spectra by Gaussion functions shows that the films deposited under low hydrogen dilution ratios (R < 33) exhibit typical amorphous properties, while the films deposited under high hydrogen dilution ratios (R > 50) possess a diphasic structure, with increasing crystalline volume fraction with R. The size of the crystallites in the diphasic films is about 2.4 mm, which was deduced from the phonon confinement model. The intermediate range order of the silicon film increases with increasing hydrogen dilution ratio.

基于进程行为的异常检测模型

利用系统漏洞实施攻击是目前计算机安全面临的主要威胁.本文提出了一种基于进程行为的异常检测模型.该模型引入了基于向量空间的相似度计算算法和反向进程频率等概念,区分了不同系统调用对定义正常行为的不同作用,提高了正常行为定义的准确性;该模型的检测算法针对入侵造成异常的局部性特点,采用了局部分析算法,降低了误报率.

非线性放大环形镜“8”字腔光纤激光器实验研究

!"#$%&’(!&%"!:%&%")*

注入噪声对光纤激光器锁模启动的影响

国家自然科学基金资助课题(60537060)

两种海洋赤潮微藻赤潮异弯藻和米氏凯伦藻之间的相互作用

在实验生态条件下研究了不同起始生物量比的两种海洋赤潮微藻赤潮异弯藻（Heterosigma akashiwo）和米氏

表面处理对p-GaN欧姆接触的影响

分别用稀盐酸、王水以及(NH_4)_2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH_4)_2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.

非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度，并保持其他的沉积参量不变，用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法成功地制备出非晶/微晶相变过渡区域的硅薄膜样品。测量了样品的室温光电导和暗电导，样品的光电性能优越，在50 mW·cm~（-2）的白光照射下，光电导和暗电导的比值达到10~6。在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性，用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析。结果表明，在我们的样品制备条件下，当H_2和SiH_4的流量比R较小时，样品表现出典型的非晶硅薄膜 的结构特性；随流量比R的增大，薄膜表现出两相结构，其中的微晶成分随氢稀释比的增大逐渐增多；用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品（R > 50）中微晶粒子的平均尺寸大小为2.4 nm左右；样品的中程有序度随氢稀释程度的增加而增大。

纳米尺度表/界面力电耦合的分子动力学/第一原理模拟

<正>在纳米尺度下,表/界面上力、电行为相互影响、密不可分。这种表/界面力电耦合的属性显著地影响着纳米器件的设计、制备和应用。本报告主要从固气、固液界面等方面讨论纳米尺度表/界面动力学的力电耦合属性对于纳米器件的影响。主要内容如下: