Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells

A wide bandgap and highly conductive p-type hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) window layer was prepared with a conventional RF-PECVD system under large H dilution condition, moderate power density, high pressure and low substrate temperature. The optoelectrical and structural properties of this novel material have been investigated by Raman and UV-VIS transmission spectroscopy measurements indicating that these films are composed of nanocrystallites embedded in amorphous SiHx matrix and with a widened bandgap. The observed downshift of the optical phonon Raman spectra (514.4 cm(-1)) from crystalline Si peak (521 cm(-1)) and the widening of the bandgap indicate a quantum confinement effect from the Si nanocrystallites. By using this kind of p-layer, a-Si:H solar cells on bare stainless steel foil in nip sequence have been successfully prepared with a V c of 0.90 V, a fill factor of 0.70 and an efficiency of 9.0%, respectively. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Heterojunction solar cells with n-type nanocrystalline silicon emitters on p-type c-Si wafers

Hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) n-layers have been used to prepare heterojunction solar cells on flat p-type crystalline silicon (c-Si) wafers. The nc-Si:H n-layers were deposited by radio-frequency (RF) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and characterized using Raman spectroscopy, optical transmittance and activation energy of dark-conductivity. The nc-Si:H n-layers obtained comprise fine grained nanocrystallites embedded in amorphous matrix, which have a wider bandgap and a smaller activation energy. Heterojunction solar cells incorporated with the nc-Si n-layer were fabricated using configuration of Ag (100 nm)/1T0 (80 nm)/n-nc-Si:H (15 nm)/buffer a-Si:H/p-c-Si (300 mu m)/Al (200 nm), where a very thin intrinsic a-Si:H buffer layer was used to passivate the p-c-Si surface, followed by a hydrogen plasma treatment prior to the deposition of the thin nanocrystalline layer. The results show that heterojunction solar cells subjected to these surface treatments exhibit a remarkable increase in the efficiency, up to 14.1% on an area of 2.43 cm(2). (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells

A wide bandgap and highly conductive p-type hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) window layer was prepared with a conventional RF-PECVD system under large H dilution condition, moderate power density, high pressure and low substrate temperature. The optoelectrical and structural properties of this novel material have been investigated by Raman and UV-VIS transmission spectroscopy measurements indicating that these films are composed of nanocrystallites embedded in amorphous SiHx matrix and with a widened bandgap. The observed downshift of the optical phonon Raman spectra (514.4 cm(-1)) from crystalline Si peak (521 cm(-1)) and the widening of the bandgap indicate a quantum confinement effect from the Si nanocrystallites. By using this kind of p-layer, a-Si:H solar cells on bare stainless steel foil in nip sequence have been successfully prepared with a V c of 0.90 V, a fill factor of 0.70 and an efficiency of 9.0%, respectively. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Heterojunction solar cells with n-type nanocrystalline silicon emitters on p-type c-Si wafers

Hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) n-layers have been used to prepare heterojunction solar cells on flat p-type crystalline silicon (c-Si) wafers. The nc-Si:H n-layers were deposited by radio-frequency (RF) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and characterized using Raman spectroscopy, optical transmittance and activation energy of dark-conductivity. The nc-Si:H n-layers obtained comprise fine grained nanocrystallites embedded in amorphous matrix, which have a wider bandgap and a smaller activation energy. Heterojunction solar cells incorporated with the nc-Si n-layer were fabricated using configuration of Ag (100 nm)/1T0 (80 nm)/n-nc-Si:H (15 nm)/buffer a-Si:H/p-c-Si (300 mu m)/Al (200 nm), where a very thin intrinsic a-Si:H buffer layer was used to passivate the p-c-Si surface, followed by a hydrogen plasma treatment prior to the deposition of the thin nanocrystalline layer. The results show that heterojunction solar cells subjected to these surface treatments exhibit a remarkable increase in the efficiency, up to 14.1% on an area of 2.43 cm(2). (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

CÓLICA em equídeos sob pastejo em Panicum maximum na Região Amazônica.

Equipe multidisciplinar: Ademir Hugo Zimmer (CNPGC) José Diomedes Barbosa Neto (UFPA) Liana Jank (CNPGC) Paulo Vargas Peixoto (UFRRJ) Rodrigo Amorim Barbosa (CNPGC) Vanessa Felipe de Souza (CNPGC)

BRS 1055: híbrido simples de milho.

2009

BRS 1060: híbrido simples de milho.

2009

Manejo do solo no sistema de produção orgânico de hortaliças.

2008

Perdas de água, solo, nutrientes e matéria orgânica em área cultivada em cebola sob diferentes sistemas de manejo de solo.

2009

Diagnóstico dos principais problemas no cultivo de hortaliças no Estado do Amazonas.

2009

Cooperação técnica e produção familiar sustentável de hortaliças: análise dos condicionantes e determinantes para a formulação de uma política nacional de segurança alimentar e nutricional para o Haiti.

2009

Podridões fúngicas de colmo na cultura do milho.

2008

Manejo da antracnose do sorgo pela utilização de híbridos triplos.

A antracnose é considerada a principal doença da cultura do sorgo no Brasil. Embora o uso da resistência genética seja a principal estratégia para o manejo dessa doença, seu uso é dificultado pela elevada variabilidade patogênica apresentada pelo patógeno. Nos últimos anos, grande ênfase tem sido dada à busca por alternativas que permitam ampliar a durabilidade da resistência do sorgo à antracnose. O presente trabalho objetivou avaliar a eficiência da diversificação genética do hospedeiro quanto à resistência, por meio de misturas genéticas em populações de híbridos triplos, no manejo da antracnose do sorgo. Foram obtidos 18 híbridos triplos a partir de sete linhagens contendo genes distintos para resistência. Os 25 genótipos (híbridos triplos e linhagens) foram avaliados, em condição de campo, quanto à resistência à antracnose sob condição de inóculo natural. Foi verificado, em algumas combinações triplas, nível de resistência superior ao verificado para a linhagem mais resistente utilizada nos cruzamentos, sugerindo um efeito aditivo dos genes de resistência das diferentes linhagens na composição da resistência final dos híbridos. Resultados semelhantes foram verificados, também, para produtividade. Além de permitir a redução da intensidade da doença no campo, a estabilização da população do patógeno, impedindo o surgimento ou a seleção de indivíduos mais agressivos, e a promoção de incrementos significativos de produção, esta estratégia traz outra importante vantagem, que é tornar possível a utilização de linhagens que apresentem características agronômicas desejáveis, mas com suscetibilidade à antracnose.

Manejo da antracnose do sorgo pela utilização de híbridos triplos.

2008

Controle genético da resistência do sorgo à antragnose foliar (Colletotrichum sublineolum).

2008