掺Er3+玻璃上转换发光特性研究

采用高温熔制工艺制备了掺Er3+硅酸盐玻璃，应用Judd-Ofelt 理论计算了Er3+光谱参数， 发现玻璃中含有0.15 mol%Er2O3 时各参数取得最大值；分析了玻璃的吸收光谱随Er3+离子浓度的变 化关系；上转换光谱分析表明在522 nm、544 nm、658 nm 处有较强的绿光和红光，分别对应于 2H11/2→4I15/2、4 S3/2→4I15/2、4 F9/2→4I15/2 的跃迁，且522 nm 绿光强度和658nm 红光强度要远大于544 nm 绿光强度. 分析了上转换发光强度随泵浦功率和Er3+离子浓度的变化关系，揭示了上转换发光机制 主要是激发态吸收和能量转换，且均为双光子吸收过程.

定位施肥对冬小麦生长、产量及水分利用的影响

基于长期定位施肥试验,研究了不同施肥对冬小麦生长、产量及水分利用的影响。结果表明:不同施肥均能促进冬小麦株高、叶面积、生物量的增长,株高、叶面积、生物量均为:单施氮肥处理(N)高于不施肥处理(CK),氮磷配施处理(NP)显著高于CK和N处理,三个有机肥处理(M、NM和NPM)均较高。不同施肥对冬小麦光合速率影响显著,NPM处理的光合速率在各个生育期均最高;其次分别为NM处理和NP处理,而M处理在前期较高,后期下降较快,N和CK处理均较低。不同施肥处理小麦产量:NPM>NM>M>NP>N>CK,不同施肥均能显著增加小麦产量(增产量为341～4388kg/hm2),除M和NM处理,其他处理均有显著差异;冬小麦耗水量和水分利用效率均随施肥水平提高而增加,NPM和NP处理显著高于N和CK处理。表明在本试验年单施氮肥对小麦生长及产量影响较小,单施有机肥及不同肥料配施均能显著促进小麦生长及产量提高,有机肥的增产效应显著高于无机肥,其中NPM处理的产量及水分利用效率均最高。

低压条件下滴灌灌水均匀度试验研究

低压滴灌毛管进口工作压力、铺设长度、地面坡度及毛管管径是影响滴灌灌水均匀度的重要参数。试验研究结果表明,低压条件下毛管进口压力的变化对灌水均匀度的影响并不明显;灌水均匀度随着毛管铺设长度的增大呈降低趋势,管径越小,降低越显著,但在一定管长范围内,毛管铺设长度对灌水均匀度的影响并不明显;逆坡情况下,灌水均匀度随着坡度的增大而减小,顺坡情况下,灌水均匀度随着坡度的增大呈先增大而后减小的趋势,在2‰的坡度时达到峰值;灌水均匀度随着管径的增大而增大,当管径增大到一定程度后,灌水均匀度随管径增大的幅度减缓。

黄土丘陵区植被次生演替灌木种群的土壤养分效应

研究黄土丘陵区植被次生演替灌木群落形成过程中土壤养分的变化情况。【方法】以白羊草群落为对照,选取杠柳、狼牙刺、丁香、虎榛子和柠条5种乡土树种为研究对象,测定其土壤养分含量,计算灌木群落形成变化过程中的土壤养分指数(Soil Nutrient Index,SNI),分析了各养分因子间的线性相关关系。【结果】不同灌木初期对土壤养分的适应能力大小顺序为:柠条(0.072)>狼牙刺(0.114)>杠柳(0.163)>丁香(0.172)>虎榛子(0.292)。不同植被物种群落土壤SNI值大小顺序为:虎榛子群落(0.979)>狼牙刺群落(0.535)>柠条群落(0.457)>丁香群落(0.341)>杠柳群落(0.333)>白羊草群落(0.145)。从不同灌木群落形成过程所产生的土壤养分改善效应来看,各参试群落相对于白羊草群落土壤养分的增幅分别为:虎榛子(4.740倍)、狼牙刺(2.909倍)、柠条(2.661倍)、杠柳(1.169倍)和丁香(1.168倍)。各土壤养分因子间除土壤全磷与有效磷和有效钾的相关性不显著外,其余各土壤养分因子间均表现出极显著的线性相关关系(P<0.01)。【结论】不同灌木种群所需的适宜土...

高分子化的茂金属催化剂的合成及乙烯聚合的研究

本论文合成了高分子化的茂金属烯烃聚合催化剂, 通过常规方法对催化剂和聚合物进行了表征, 并在常压和高压下采用不同的均相和非均相催化剂进行了乙烯聚合的研究. 采用相转移和富烯转化法合成了六种含烯烃基团的配体, 并利用这六种配体合成了均配和混配的茂金属化合物, 由于含烯烃基团的茂金属化合物在烯烃聚合方面的研究相对较少. 本文采用这些含烯烃基的茂金属化合物在不同温度, 不同Al/M(M=Ti,Zr)下进行了乙烯聚合的研究, 研究表明: 1. 含烯烃基的茂金属化合物在MAO的作用下对乙烯聚合具有较高的催化活性; 2. 在不同的温度和Al/M的情况下, 乙烯聚合活性有最佳值, 但变化规律同传统的取代的茂金属化合物有区别; 3. 提出了烯烃基取代的茂金属化合物上的烯烃基可以以分子间的形式聚合在聚乙烯分子链上而形成非均相催化剂的假设. 在自由基聚合引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)的存在下, 含烯烃基的茂金属化合物与苯乙烯、二乙烯基苯共聚形成线性、网状和体型的高分子化的茂金属化合物. 改变不同单体的投料比, 得到一系列不同茂金属化合含量的高分子化的催化剂, 通过竞聚率和Q-e值的计算, 发现苯乙烯基取代的茂金属化合物与苯乙烯共聚能力最强, 其次是乙烯基取代的茂金属化合物。改变二乙烯基苯的含量得到的高分子化的催化剂的吸附表征发现当二乙烯基苯与乙烯投料比在0.08的情况下, 催化剂的吸附能力, 孔径和孔容积达到最优。在MAO存在下, 高分子化的茂金属化合物催化乙烯常压聚合的研究得到如下主要结论: 1. 线性的高分子化的催化剂比未高分子的茂金属化合物催化乙烯聚合的活性高; 2. 由于二乙烯基苯的存在而交联的高分子化的茂金属催化剂比线性的高分子化的催化剂化活性低; 3. 在不同的温度和Al/M下, 催化剂的催化活性有最佳值。为了提高取乙烯的形态和堆密度, 设计合成了壳一核结构的高分子化的茂金属催化剂。根据烯烃聚合的模板效应, 催化剂的形态影响聚合物的形态。因此将形态较好的SiO_2作为催化剂的核, 而高分子化的茂金属催化剂作为催化剂的壳, 目的是将SiO_2的优良的形态和高分子化催化剂的高催化活性结合在一起。SEM的表征表明催化剂的形态得到很大程度的提高, 由不规则的形态变成规整的球形。在常压下催化乙烯聚合的结果表明: 1. 壳一核结构高分子化的茂金属催化剂具有很高的乙烯聚合活性。2. 采用壳一核结构的高分子化的茂金属催化剂得到的聚乙烯在常压下的堆密度高于非均相的高分子化的茂金属催化剂。采用高分子化的茂金属催化剂和壳一核结构的高分子化的茂金属催化剂进行乙烯的2升釜高压聚合。研究了共单体, 温度, Al/M对聚合活性和堆密度的影响。得到如下主要结论: 1. 高分子化茂金属催化剂和壳一核结构高分子化的茂金属催化剂具有催化乙烯聚合的高活性(6.48 * 10~7gPE/molZr); 2. 催化聚合所得的聚乙烯分子量在16-18万, 分子量分布窄(2.7); 3. 催化聚合所得聚乙烯的堆密度可以达到0.341, 说明已经达到可以工业化的标准。4. 催化聚合所得的聚乙烯具有优良的物理性能。5. SEM表征结果表明, 采用非均相高分子化的茂金属催化剂催化所得的聚乙烯呈多孔状, 而采用壳一核结构的催化剂催化得到的聚乙烯要紧密得多, 这一点正符合烯烃聚合的模板效应。总之, 高分子化的茂金属催化剂和壳一核结构高分子化的茂金属催化剂是一类很有工业化前景的烯烃聚合催化剂。

固斑蝰蛇毒C-型凝集素样蛋白Dabocetin及L-氨基酸氧化酶DRS-LAO的研究

本论文研究了从圆斑蛙蛇泰国亚种（Daboia russellii siamensis）蛇毒中纯化的C一型凝集素样蛋白Dabocetin和L一氨基酸氧化酶DRS一AO的理化性质、生物学活性和分子克隆。Dabocetin是分子量约为28扔。的异二聚体蛋白，它由分子量约为15.0kDa和14．5kDa的两个同源亚基以和p共价结合形成。N－末端氨基酸序列比较显示，Dabocetin与目前已知的蛇毒c一型凝集素样蛋白有很高的同源性。即使在终浓度达50．0。叫而时，Dabocetin也不能直接诱导血小板聚集。此外，在终浓度为40.00μg/ml时，Dabocetin几乎不能抑制由AdP，TMVA和stejnulxin诱导的血小板聚集。但是，Dabocetin呈剂量依赖地抑制瑞斯托霉素诱导的血小板凝集，其半数抑制率ICS。值为10.80ug/ml。流式细胞仪分析表明，Dabocetin显著抑制单克隆抗体522与GPIba的结合，提示Dabocetin很可能是一个GPIb结合蛋白。从圆斑蛙蛇的毒腺中克隆到了7个编码不同蛇毒C一型凝集素样蛋白亚基的七DNA（命名为DRs一1至DRs一7）。其中，DRsLS编码Dabocetin的a亚基，DRS一6编码Dabocetin的p亚基。DRs一1和DRS一2很可能是圆斑蛙蛇毒腺中表达的X因子激活剂的两条轻链LCZ和LCI的山NA。DRS一3，DRS毛4和DRSL7可能是圆斑蛙蛇毒腺中表达的C一型凝集素样蛋白p亚基的。NA。DRsLAO是一个新的L一氨基酸氧化酶，比活力为1．98U加噶。十二烷基磺酸钠一聚丙烯酞氨凝胶电泳（SDs-PAGE）分析显示，该酶在还原和非还原条件下均呈现一条蛋白带，表观分子量约为58kDa。N-末端氨基酸序列比较显示，DRS一AO与目前已知的蛇毒L一氨基酸氧化酶有很高的同源性。该酶的最适底物为L一亮氨酸，最适pH为8．8。DRs一Ao呈剂量依赖地抑制扔P和仆IvA诱导的血小板聚集，其半数抑制率ICS。值分别为32.8μg/ml和32.3μg/ml。DRS-LAO对金黄色葡萄球菌（灯Cc25923）和耐甲氧西林金黄色葡萄球菌有较强的抗菌作用。DRs一AO对金黄色葡萄球菌必Tcc25923）的最低抑菌浓度卿C）和最低杀菌浓度耐甲氧西林金黄色葡萄球菌的孤CS。和呱Cg。值分别为18．。林留时和36.0μg/ml；DRSLAo对耐甲氧西林金黄色葡萄球菌的MBC50和MBCg。值分别为36.0μg/ml和72.0μg/ml。通过对DRS一AO的分子克隆，得到了编码DRS-AO的部分cDNA序列。

ELECTRON-TRANSPORT THROUGH GAALAS BARRIERS IN GAAS

We have analyzed electronic transport through a single, 200-angstrom-thick, Ga0.74Al0.36As barrier embedded in GaAs. At low temperatures and high electric field, the Fowler-Nordheim regime is observed, indicating that the barrier acts as insulating layers. At higher temperatures the thermionic regime provides an apparent barrier height, decreasing with the field, which is equal to the expected band offset when extrapolated to zero field. However, for some samples, the current is dominated by the presence of electron traps located in the barrier. A careful analysis of the temperature and field behavior of this current allows to deduce that the mechanism involved is field-enhanced emission from electron traps. The defects responsible are tentatively identified as DX centers, resulting from the contamination of the barrier by donor impurities.

PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF STRAINED HETEROSTRUCTURE OF INP ON GAAS SUBSTRATE GROWN BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

A high-energy shift of the band-band recombination has been observed in photoluminescence spectra of the strained InP layer grown on GaAs substrate. The InP layer is under biaxial compressive strain at temperatures below the growth temperature, because the thermal expansion coefficient of InP is smaller than that of GaAs. The strain value determined by the energy shift of the band-edge peak is in good agreement with the calculated thermal strain. A band to carbon acceptor recombination is also identified.

Evidence of Gamma-X sequential resonant tunneling in GaAs/AlAs superlattices

We have studied the sequential resonant tunneling of doped weakly coupled GaAs/AlAs superlattices under hydrostatic pressure up to 4.5 kbar. The pressure coefficient obtained from the experiment, 15.3 meV/kbar, provides a strong evidence for the formation of the electric field domain due to Gamma-X sequential resonant tunneling, At the same time, we have observed the transition between two kinds of sequential resonant tunneling processes within the pressure range from 0 to 4.5 kbar, where the transition pressure between Gamma-Gamma and Gamma-X sequential resonant tunneling is P-t similar to 1.6 kbar. For P < P-t, the electric field domain is formed by Gamma-Gamma sequential resonant tunneling, while for P > P-t, the electric field domain is preferably formed by Gamma-X sequential resonant tunneling. (C) 1996 American Institute of Physics.

多层InAs量子点的光致发光研究

采用MBE设备生长了多层InAs／GaAs量子点结构，测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽，并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现，加InGaAs盖层后，量子点发光峰的半高宽进一步减小，最小达到23．6meV，并且发光峰出现红移。原因可能在于InGaAS盖层减小了InAs岛所受的应力，阻止了In组分的偏析，提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量，导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱。

隔离电阻对集成光源特性的影响分析

提出了一种分布反馈(DFB)激光器与电吸收(EA)调制器集成光源(EML)的等效电路模型.该模型考虑了由于隔离电阻不够大而导致的激光器与调制器之间的电耦合,通过对电路模型进行仿真可以看出,对于不同隔离电阻的EML,激光器的阈值电流、调制器的频率响应带宽、集成器件的小信号调制和脉冲调制等多方面特性均有明显不同.分析得到,EML的隔离电阻阻值只有达到10 kΩ量级,才能够忽略电泄漏对器件特性的影响.并指出EML在更高的偏置下,将对隔离电阻提出更高的要求.

掩埋式弱限制MMI的性能模拟

采用精确模式分析方法(EMA)对一种掩埋式折射率差为0.47%的弱限制MMI进行了数值模拟,通过和强限制MMI对比表明,这种弱限制的MMI可以实现良好的均衡性(9.7×10-4dB)和附加损耗(0.13dB),比强限制MMI具有更大的带宽,更好的宽度和长度容差性.虽然这种弱限制MMI的最小附加损耗和最佳均衡性不能在同一长度同时获得,但由于其良好的容差性,在最佳均衡性长度处仍能获得低于0.8dB的附加损耗.用紫外写入波导的方法制作掩埋式结构的弱限制MMI器件是可行的.

光网络中关键性光子集成器件的研究进展

从高速率大容量光纤网络体系基本功能构架（即信息的超大容量传输、灵活的上下载路分插复用、快速的交换共享和高效经济的路由选择）的需求出发，指出光子集成是实现上述功能构架的关键硬件，包括高速响应的集成激光源、波导光栅阵列密集波分复用器、窄带响应集成光电探测器、路由选择的波长变换器、快速响应光开关矩阵以及低损耗多址波导分束器等，并对发展趋向作出评论。