多层InAs量子点的光致发光研究
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
采用MBE设备生长了多层InAs／GaAs量子点结构，测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽，并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现，加InGaAs盖层后，量子点发光峰的半高宽进一步减小，最小达到23．6meV，并且发光峰出现红移。原因可能在于InGaAS盖层减小了InAs岛所受的应力，阻止了In组分的偏析，提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量，导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱。 采用MBE设备生长了多层InAs／GaAs量子点结构，测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽，并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现，加InGaAs盖层后，量子点发光峰的半高宽进一步减小，最小达到23．6meV，并且发光峰出现红移。原因可能在于InGaAS盖层减小了InAs岛所受的应力，阻止了In组分的偏析，提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量，导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:02导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4410.pdf: 254455 bytes, checksum: f04b9f5f3f6c22128ac07304b9b4a0b3 (MD5) Previous issue date: 2005 厦门大学物理系;中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孔令民;蔡加法;陈厦平;朱会丽;吴正云;牛智川.多层InAs量子点的光致发光研究,半导体光电,2005,26(6):519-522 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
