High-power operation of uncoated strain-compensated quantum cascade lasers at 4.8 mu m

High-power operation of uncoated 22-mu m-wide quantum cascade lasers (QCLs) emitting at lambda approximate to 4.8 mu m is reported. The emitting region of the QCL structure consists of a 30-period strain-compensated In0.68Ga0.32As/In0.37Al0.63As superlattice. For a 4-mm-long laser in pulsed mode, a peak output power is achieved in excess of 2240mW per facet at 81K with a threshold current density of 0.64kA/cm(2). The effects of varying the cavity lengths from 1 to 4mm on the performances of the QCLs are analysed in detail and the low waveguide loss of only about 1.4 cm(-1) is extracted.

High responsivity resonant-cavity-enhanced InGaAs/GaAs quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature

The characteristics of a resonant cavity-enhanced InGaAs/GaAs quantum-dot n-i-n photodiode with only a bottom distributed Bragg reflector used as the cavity mirror, are reported. To suppress the dark current, an AlAs layer is inserted into the device structure as the blocking layer. It turns out that the structure still possesses the resonant coupling nature, and makes Rabi splitting discernible in the photoluminescence spectra. The measured responsivity spectrum of the photocurrent shows a peak at lambda = 1030 nm, and increases rapidly as the bias voltage increases. A peak responsivity of 0.75 A/W, or equivalently an external quantum efficiency of 90.3%, is obtained at V-bias = -1.4 V.

Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (InyGa1-yAs/GaAs1-x Sb-x)/ GaAs bilayer quantum wells

Molecular beam epitaxy (MBE) growth of (InyGa1-yAs/GaAs1-xSbx)/GaAs bilayer quantum well (BQW) structures has been investigated. It is evidenced by photo luminescence (PL) that a strong blue shift of the PL peak energy of 47 meV with increasing PL excitation power from 0.63 to 20 mW was observed, indicating type II band alignment of the BQW. The emission wavelength at room temperature from (InyGa1-yAs/GaAs1-xSbx)/GaAs BQW is longer (above 1.2 μ m) than that from InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs SQW structures (1.1 μ m range), while the emission efficiency from the BQW structures is comparable to that of the SQW. Through optimizing growth conditions, we have obtained room temperature 1.31 μ m wavelength emission from the (InyGa1-yAs/GaAs1-xSbx)/GaAs BQW. Our results have proved experimentally that the GaAs-based bilayer (InyGa1-yAs/GaAs1-xSbx)/GaAs quantum well is a useful structure for the fabrication of near-infrared wavelength optoelectronic devices. © 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

Room temperature 1.25 mu m emission from high indium content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Long-wavelength high indium content InxGa1-xAs/GaAs single/multi quantum wells (QWs) structures have been successfully grown by molecular beam epitaxy. It is evidenced by X-ray measurements that the critical thickness of the well width of InxGa1-xAs/GaAs QWs with an indium content x of 47.5% can be raised up to 7nm without strain relation. 1.25μ m photoluminescence (PL) emission is obtained from the QWs with narrower full-width at half maximum (FWHM) less than 30meV. Our results are important basements which are useful for further fabricating GaAs-based long-wavelength devices. © 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

1.55-mu m Ridge DFB laser and electroabsorption modulator integrated with buried-ridge-stripe dual-waveguide spot-size converter output

A 1.55-mu m ridge distributed feedback laser and electroabsorption modulator monolithically integrated with a buried-ridge-stripe dual-waveguide spot-size converter (SSC) at the output port for low-loss coupling to a cleaved single-mode optical fiber was fabricated by means of selective area growth, quantum-well intermixing, and dual-core technologies. These devices exhibit threshold current of 28 mA, 3-dB modulation bandwidth of 12.0 GHz, modulator extinction ratios of 25.0-dB dc. The output beam divergence angles of the SSC in the horizontal and vertical directions are as small as 8.0 degrees x 12.6 degrees, respectively, resulting in 3.2-dB coupling loss with a cleaved single-mode optical fiber.

Surface morphology and optical property of 1.3 mu m In0.5Ga0.5As/GaAs self-organized quantum dots grown by MBE

Surface morphology and optical properties of 1.3 mum self-organized InGaAs/GaAs quantum dots structure grown by molecular beam epitaxy have been investigated by atomic force microscopy and photoluminescence measurements. It has been shown that the surface morphology evolution and emission wavelengths of InGaAs/GaAs QDs can be controlled effectively via cycled monolayer deposition methods due to the reduction of the surface strain. Our results provide important information for optimizing the epitaxial parameters for obtaining 1.3 mum long wavelength emission quantum dots structures. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

铬系催化剂聚合1,3-双烯烃的研究

铬系催化剂是合成1,2-聚丁二烯和3,4-聚异戊二烯的一种主要催化剂体系，1,2-聚丁二烯和3,4-聚异戊二烯是制造高性能轮胎的重要原料。本论文研究了以含氮化合物和含磷化合物为配体的铬催化剂合成1,2-聚丁二烯和3,4-聚异戊二烯的反应规律。 1. 以邻菲咯啉为配体的铬催化剂在己烷中50℃下可获得1,2-结构、顺-1,4-结构和反-1,4-结构单元含量分别约为50%、30%和20%，分子量呈双峰分布的聚丁二烯。改变聚合温度，可有效控制聚合物的1,2-结构含量和分子量及分布。催化剂通过预陈化方式，可有效抑制低聚物的生成。 2. 以亚磷酸二烷基酯为配体的铬催化剂是合成1,2-聚丁二烯的高效催化剂，所得聚合物具有高的1,2-结构含量（> 78%）。改变烷基铝和亚磷酸二烷基酯的结构，可以得到高熔点或低熔点间同1,2-聚丁二烯和无规1,2-聚丁二烯。催化剂以现配方式的活性最高。 3. 以磷酸三苯酯为配体的铬催化剂可获得间同1,2-聚丁二烯，而聚合物中含有低聚物。催化剂以现配方式的活性最高。聚合物的熔点，低聚物的含量与磷酸三苯酯的结构有一定的关系。 4. 以邻菲咯啉为配体的铬催化剂在50℃下聚合异戊二烯，具有高的催化活性，可获得3,4-结构含量约67%的高分子量无规3,4-聚异戊二烯。催化剂的组成对聚合物的微观结构无明显影响。改变聚合温度，可有效控制聚合物的3,4-结构含量和分子量及分布。

（一）2，4－二甲基戊二烯基烯土氯化物的合成及其对丁二烯的聚合活性（二）酞菁铜衍生物 LB 膜材料的合成及其气敏特性

本文通过元素分析，红外光谱，热失重分析，质谱。X 光电子能谱的测定以及对化合水解产物的分析。确认合成了下列三种新型 2，4－二甲基戊二烯基稀土氯化物。（I）[2,4-(CH_3)_2C_5H_5]LnCl_2·nTHF (2,4-(CH_3)_2C_5H_5 = 2, 4－二甲基戊二烯基；Ln = Pr, Nd, Sm, Gd; n = 3)。（II）[2,4-(CH_3)_2C_5H_5]LnCl_2·nTHF (Ln = Pr, Nd; n = 2, 3)。（III）[2,4-(CH_3)_2C_5H_5]LnCl_2·nTHF (Ln = Nd, Sm; n = 1)。在稀土金属有机化合物中尚未见此类化合物的报导。化合物的质谱分析结果表明，配位的四氢呋喃分子容易从配合物分子中脱落，形成带一个四氢呋喃，甚至不带四氢呋喃的配合物。说明配合物分子中不带四氢呋喃的形式是较稳定的。化合物的 X 光电子能谱结果表明化合物不是混合物。化合物水解产物的定量气相色谱分析进一步证实所合成的化合物为我们所预期的产物。实验结果表明，单体转化率受溶剂影响较大。在以环戊烷为溶剂的聚合反应中，聚合活性较高。而以甲苯为溶剂的聚合反应中，其聚合活性较低。在主催化剂不变的条件下，改变 Al/Nd 摩尔比，单体的转化率有明显的变化。同一 Al/Nd 摩尔比，不同催化剂用量也对单体的转化率有较大的影响。对聚合物的微观结构分析表明，溶剂，铝钕摩尔比催化剂用量对聚丁二烯的顺－1，4 含量均有影响，但影响不大。

中国部分地区未经治疗HIV-1 感染者耐药基因研究

高效抗逆转录病毒治疗(HAART)的应用，极大的降低了AIDS发病率和死亡 率，延长了HIV感染者的生命。但HIV耐药在很大程度上影响了HAART的疗效， 耐药株的产生成为影响抗病毒治疗效果的主要因素。欧洲、美国的耐药监测技术 规范均推荐在新感染未经抗病毒药物治疗的患者中进行原发耐药检测。我国政府 于2003年底出台了艾滋病治疗的“四免一关怀”政策，陆续在全国范围内开展了大 规模的免费抗病毒治疗，监测我国未经抗病毒药物治疗HIV-1感染者中的耐药情 况可以为制定合理的用药方案和减少耐药毒株出现提供科学依据。 根据世界卫生组织(WHO)的“HIV 耐药监测指南”，无偿献血者中的HIV-1 感染者，可以认定为HIV 新诊断未治疗人群。分析了云南无偿献血者的血浆和 外周血单核细胞(PBMC)，研究云南无偿献血人群的耐药状况。 已有实验室血清学方法识别HIV-1 新近感染和长期感染，用BED-CEIA 方 法，在河南、安徽、山西自愿咨询检测(VCT)人群中检出新近感染人群，进行耐 药基因研究, 对照研究了部分长期感染人群。 样品提取核酸后，巢式聚合酶链反应(nested-PCR)扩增pol 基因区(含蛋白酶 区1～99 氨基酸全长和逆转录酶区1～242 氨基酸)。PCR 产物双脱氧法测序，所 得序列与洛斯阿拉莫斯HIV 核酸序列库(Los Alamos HIV Database)标准株构建系 统进化树分析亚型；用斯坦福大学耐药数据库(Standford HIV Drug Resistance Database)分析耐药。 研究发现，云南省2005～2006 年无偿献血者中，有52 例为HIV-1 阳性，其 中49 例血浆和相应的PBMC 样品病毒基因扩增成功。序列分析表明，HIV 病毒 的亚型分布为CRF08_BC (51.0%), CRF07_BC (24.5%), CRF01_AE (20.4%)和B (4.1%)；所有样品均未发现蛋白酶抑制剂（PI）耐药基因位点主要突变，只在6 例(11.7%)样品中发现7 例次PI 次要耐药位点突变；另外，在9 例(18.4%)样品中发现10 例次核苷类逆转录酶抑制剂(NRTI) 耐药突变，1 例(2.0%)发生非核苷类 逆转录酶抑制剂(NNRTI) 耐药突变；针对具体药物PI/NRTI/NNRTI 均只有1 例 有潜在的低度耐药，临床仍对药物敏感。PBMC 和血浆的病毒耐药没有显著差异。 从河南、安徽、山西27 个VCT 检测点2006～2007 年采集的10310 例样品 中，通过WB 和BED-CEIA 检测出新近感染人群63 例，分析成功50 例血浆样 品；河南VCT 长期感染样品中随机抽样，分析成功19 例样品。分析成功的69 例VCT 样品中，HIV 病毒株的亚型分布分别为B’ (95.7%)，CRF01_AE(2.9%)和 C(1.4%)。上诉样品均未检出PI 主要耐药相关突变，只在26 例(37.7%)样品中存 在27 例次PI 次要耐药相关突变；3 例(4.3%)样品出现6 例次NRTI 耐药相关突 变，7 例(10.1%)样品出现8 例次NNRTI 耐药相关突变。通过与斯坦福大学耐药 数据库比对，没有发现针对PI 类药物的临床耐药；但有2 例(2.8%)针对NRTI 类 药物耐药，1 例有M184V 突变导致对拉米夫定(3TC)和氟代拉米夫定(FTC)高度 耐药；1 例样品存在T215Y、M41L、L210W 三重突变位点，对阿巴卡韦(ABC)、 去羟肌苷(ddI)和坦那夫韦(TDF)中度耐药，对齐多夫定(AZT)和司他夫定(d4T)高 度耐药；针对NNRTI 类药物，有3 例(4.3%)毒株有耐药，1 例有K103N 突变导 致对奈韦拉平(NVP)、地拉韦啶(DLV)和依菲韦伦(EFV)的高度耐药；1 例有Y188L 突变导致对NVP 和EFV 的高度耐药；1 例存在K101E 和G190A 双重突变，导 致对NVP 的高度耐药，对DLV、EFV 和依曲韦林(ETR)中度耐药。 比较长期感染和新近感染者之间的亚型和耐药，未发现显著差异。 研究结果表明，云南、河南和安徽未经治疗HIV-1 感染者中耐药处于低流行 状态。亚型分布云南无偿献血者以CRF_BC 为主，河南、安徽VCT 人群以B’ 为主。应持续在未经治疗人群中进行耐药监测。

天花粉蛋白抗HIV-1构效关系研究及机制探讨

天花粉蛋白（Trichosanthin，TCS）是从葫芦科植物括楼（TrichosanthesKiriloii）球根中提取的一种由247个氨基酸组成的I型核糖体失活蛋白（RibosomeInactivatingProtein，RIP）。TCS具有广谱的生物学和药学活性，包括抗肿瘤、免疫抑制、中期引产以及抗病毒活性，TCS还具有抗白血病和淋巴瘤的作用。TCS能够抑制HI卜1在急性感染的T淋巴细胞和慢性感染的巨噬细胞中的复制。TCS抗HIV的机制还不清楚，一般认为与R1（RibosolneInactivating）活性有关。TCS的毒副作用限制了它在抗HIV／AIDS临床上的进一步应用。人们期望通过改造或修饰，在保留TCS抗HIV活性的同时，降低其神经毒副作用及所引起的变态反应。因此，研究TCS的抗HIV-1作用机制及构效关系，有利于拓宽TCS的临床应用适应症，也对RIP类化合物基础研究和应用研究具有重要的指导作用。本论文在实验室己有研究工作的基础上，对TCS抗HIV-1作用、机制及构效关系进一步研究。首先，采用MTT比色法检侧TcS对人T淋巴细胞系C8166、HIV-1慢性感染细胞系H9／HIV-1IIIB细胞毒性作用以及采用台盼蓝染色法检测了TCs对刺激转化的人外周血单个核细胞（PeriphejralBloodMononuclearCen，PBMC）的细胞毒性作用；以合胞体形成抑制实验检测了TCS对实验株HIV-1ms诱导C8166细胞致细胞病变的抑制作用；以捕捉HIV-1p24抗原ELISA方法检测TCS对实验．株HIV-1IIIB在急性感染C8166，细胞和慢性感染Hg细胞中复制的抑制作用、临床分离株HIV-1KMO18在PBMC中复制的抑制作用、耐药株HIV-174v在C8166细胞中复制的抑制作用。其次，利用荧光实时定量RT-PCR检测了TCS对HIV-IIIB吸附和融合宿主细胞的抑制作用；采用高效液相色谱（HighPerformanceLiquidChromatograPhy，HPLC）检测了TCS脱HIV-IRNA腺嘿呤作用；另外还检测了TCS对病毒颗粒的直接杀伤作用、TCS对HIV感染和未感染细胞融合的抑制以及对HIV重组逆转录酶活性的抑制作用。最后，利用以蛋白工程技术构建的14个TCD突变体研究其抗HIV的构效关系，其中活性中心突变体：结果表明，TCS不仅能够有效抑制实验株HIV-1mB在C8166细胞中的复制和HIV-1ms诱导宿主细胞的病变作用，还能抑制临床分离株HIV-1KM018在PMBC中的复制和耐药株HIV-174v在C8166细胞中的复制，但TCS对HIV-1在慢性感染H9细胞中的复制无直接抑制作用。TCS不能抑制HIV-1进入宿主细胞；对感染细胞和未感染细胞的融合没有抑制作用；TCS也不能抑制HIV-1重组逆转录酶活性；TCS对病毒颗粒的直接杀伤作用不大；但TCS能够使裸露的HIV-1RNA脱腺漂呤，可能TCS的脱缥岭活性或其它酶活性直接损伤病毒或者病毒感染细胞的核酸，而胞质腺嗦岭含量的增高则可以导致线粒体膜电位的降低、细胞色素C的释放、活性氧的增加和抗凋亡因子表达的下降，结果使感染细胞更多的凋亡，这可能是TCS抗HIV的一个机制。结果也表明，活性中心突变体TCSM（120-123）与TCSE160A/E189A，在失去绝大部分R工活"性的同时，也几乎完全失去抗HIV活性。、而另一个活性中心突变体TCSR122G，RI活性下降1的倍，却仍保留一定的抗HIV活性。TcSC末端删除突变体（TCSC2，TCSC4和TCSC14）抗HIV活性的下降（1.4-4.8倍）与其R1活性呈平行下降（1.2-3.3倍）。这些结果表明TCS抗HIV-1活性与其R1活性显著相关，但似乎又不是唯一的决定因素，因为我们发现二个分别在C末端加上末端19个氨基酸延伸肤或KDEL信号肤的突变体TCS饥触与TCSKDEL，虽然保留全部的RI活性，但却几乎完全失去抗HIV活性，表明有其它机制介入了TCS的抗HIV-1活性。TCS抗原决定簇位点突变后对TCS抗HIV-1活性没有显著影响，但当在抗原决定簇突变体所引入的Cys残基上加上PEG漱后，这些突变体则显著降低了抗HIV-1的活性。

EFFECTS OF 1-MEV-ELECTRON IRRADIATION ON A-SI SOLAR-CELLS

In this report we present the effects of 1 MeV-electron irradiation on i a-Si:H films and solar cells. It is observed that in the dose range of 1.4-8.4 x 10(15) cm(-2) the defect creation has not reached its saturation level and the metastable defects caused by the irradiation cannot be completely removed by a two hour annealing at 200 degrees C for i a-Si:H films or at 130 degrees C for a-Si:H solar cells. The results may be understood in terms of a model based on two kinds of metastable defects created by 1 MeV-electron irradiation.

In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性

采用无需在样品上制备电极的电容耦合的光伏谱方法,实验测量了In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点在不同的温度下的光伏谱,对测量谱峰进行了指认,研究了量子点谱峰能量位置随温度的依赖关系。实验结果表明,量子点具有与体材料及二维体系不同的温度特性,对实验所测样品,其激子峰能量随温度增加而红移的速率约为GaAs体材料带隙变化的1.4倍。

Surface morphology and optical property of 1.3 mu m In0.5Ga0.5As/GaAs self-organized quantum dots grown by MBE

Surface morphology and optical properties of 1.3 mum self-organized InGaAs/GaAs quantum dots structure grown by molecular beam epitaxy have been investigated by atomic force microscopy and photoluminescence measurements. It has been shown that the surface morphology evolution and emission wavelengths of InGaAs/GaAs QDs can be controlled effectively via cycled monolayer deposition methods due to the reduction of the surface strain. Our results provide important information for optimizing the epitaxial parameters for obtaining 1.3 mum long wavelength emission quantum dots structures. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.