Estado actual de la ablación de la fibrilación auricular

La fibrilación auricular es la arritmia más común en la práctica clínica. La ablación se considera el tratamiento de elección (indicación clase I) en los pacientes sintomáticos con recurrencias a pesar del tratamiento con fármacos antiarrítmicos. El presente artículo revisa tanto los mecanismos propuestos de esta arritmia como las diferentes metodologías de ablación con catéter y sus indicaciones.

Ablación o drogas en la fibrilación auricular paroxística

Resumen Durante años las drogas antiarrítmicas (DAA) han constituido el tratamiento fundacional para los pacientes con fibrilación auricular paroxística (FAP) en los cuales se desea mantener el ritmo sinusal. Debido a las limitaciones en su eficacia, principalmente a largo plazo, sumado a la gran proporción de pacientes que discontinúan la terapia por efectos adversos, nuevas terapias no farmacológicas han sido desarrolladas con el fin de lograr un adecuado control del ritmo. En la última década la ablación por catéter se ha mostrado como la terapia más efectiva y posiblemente la más segura en aquellos pacientes con falla del tratamiento antiarrítmico. Estudios randomizados y metaanálisis recientemente publicados indican que la ablación podría ser considerada como primera línea de terapia en pacientes seleccionados con FAP en quienes se busca controlar el ritmo. Por lo tanto, en este artículo revisaremos la evidencia actual que avala el uso de DAA o ablación en la FAP.

Ablación por catéter de fibrilación auricular en Latinoamérica: resultados del primer registro de la Sociedad Latinoamericana de Estimulación Cardíaca y Electrofisiología (SOLAECE)

Objetivo: conocer los resultados de la ablación por catéter de fibrilación auricular (FA) en Latinoamérica. Material y método: se analizaron los resultados (éxito agudo, complicaciones totales y complicaciones mayores) de los procedimientos de ablación de FA paroxística (FA-P), FA-NO paroxística (FA-NP) y FA total (FA-P + FA-NP) incluidos en el Primer Registro Latinoamericano de Ablación por Catéter dirigido y coordinado por la Sociedad Latinoamericana de Estimulación Cardíaca y Electrofisiología (SOLAECE), y su relación con las características de los centros. Las variables categóricas se expresaron como proporciones y se compararon utilizando la prueba de chi cuadrado. Se consideró diferencia estadísticamentemente significativa un valor de P < 0,05. Resultados: la FA fue el cuarto sustrato más frecuentemente abordado con 1.649 procedimientos (11%). De ellos, 1.161 fueron de FA-P (70,4%) y 488 de FA-NP (29,6%). El número de ablaciones de FA al año fue de 30 o menos en 46 centros (81%); 50 o más en siete centros (12%), y 100 o más en cinco centros (9%). El promedio por centro fue de 26. El éxito agudo de la ablación de FA total fue de 90%. No se observaron diferencias entre FA-P y FA-NP (88,9% versus 90,8%, P=NS). La tasa de complicaciones totales fue de 8,31%, y tampoco se observaron diferencias entre los dos sustratos (FA-P 8,4% versus FA-NP 8,2%, P=NS). Las complicaciones mayores fueron de 4,12%. El resultado de la ablación (éxito agudo y complicaciones) se relacionó principalmente con el volumen de procedimientos de los centros. Conclusiones: los resultados de la ablación de FA en Latinoamérica son similares a los reportados en el resto del mundo. La experiencia del centro se relacionó directamente con los resultados, en particular con las complicaciones. Aquellos centros con tasas elevadas de complicaciones mayores deberían reanalizar sus programas de ablación de FA a fin de mejorar la seguridad de este tratamiento.

La ablación de fibrilación auricular en España

Introducción: la ablación de la fibrilación auricular es uno de los procedimientos más frecuentemente realizados en las unidades de arritmias. La información de los resultados proviene de estudios prospectivos, registros multicéntricos y registros nacionales. Objetivo: evaluar la situación de la ablación de la fibrilación auricular en España a través de los datos recogidos en el Registro Español de Ablación, auspiciado por la Sección de Electrofisiología y Arritmias de la Sociedad Española de Cardiología. Métodos: los datos analizados provienen de los formularios remitidos, de forma voluntaria y anónima, por los diferentes centros hospitalarios, tanto de financiación pública como privada, durante el período 2008-2013. Cada centro fue analizado, año a año, de forma independiente. Analizamos los recursos humanos y materiales de los centros que realizaron procedimientos de ablación de fibrilación auricular durante ese período de tiempo. Asimismo, analizamos la técnica utilizada, el tipo de energía, complicaciones, etcétera. Comparamos todas las variables de forma evolutiva, año a año. Dividimos a los centros en función del número de procedimientos de ablación realizados cada año: 1-49, grupo A; 50-99, grupo B, y 100 o más, grupo C. Resultados: trescientos noventa y un centros (n=391) y 8.926 procedimientos de ablación fueron analizados. Año a año ha aumentado el número de centros que realizan ablación de fibrilación auricular y el número de procedimientos que realiza cada centro. El porcentaje de complicaciones se ha mantenido estable reduciéndose ligeramente la mortalidad. Los centros con mayor volumen tienen mayor dotación de recursos humanos y materiales. Realizan ablación de fibrilación auricular persistente con mayor frecuencia y realizan crioablación con menor frecuencia. Asimismo, estos centros tienen una menor incidencia de complicaciones. Conclusiones: la ablación de fibrilación auricular en España ha aumentado en los últimos años y presenta resultados similares a los recogidos en otros registros nacionales y multinacionales.

Influence of implant-abutment angulations and crown material on stress distribution on central incisor: a 3D FEA

Aim: To investigate the effect of implant-abutment angulation and crown material on stress distribution of central incisors. Finite element method was used to simulate the clinical situation of a maxillary right central incisor restored by two different implant-abutment angulations, 15° and 25°, using two different crown materials (IPS E-Max CAD and zirconia). Methods: Two 3D finite element models were specially prepared for this research simulating the abutment angulations. Commercial engineering CAD/CAM package was used to model crown, implant abutment complex and bone (cortical and spongy) in 3D. Linear static analysis was performed by applying a 178 N oblique load. The obtained results were compared with former experimental results. Results: Implant Von Mises stress level was negligibly changed with increasing abutment angulation. The abutment with higher angulation is mechanically weaker and expected to fail at lower loading in comparison with the steeper one. Similarly, screw used with abutment angulation of 25° will fail at lower (about one-third) load value the failure load of similar screw used with abutment angulated by 15°. Conclusions: Bone (cortical and spongy) is insensitive to crown material. Increasing abutment angulation from 15° to 25°, increases stress on cortical bone by about 20% and reduces it by about 12% on spongy bone. Crown fracture resistance is dramatically reduced by increasing abutment angulation. Zirconia crown showed better performance than E-Max one.

Polymeric implant of methylprednisolone for spinal injury: preparation and characterization

Purpose: To improve the effectiveness and reduce the systemic side effects of methylprednisolone in traumatic spinal injuries, its polymeric implants were prepared using chitosan and sodium alginate as the biocompatible polymers. Methods: Implants of methylprednisolone sodium succinate (MPSS) were prepared by molding the drug-loaded polymeric mass obtained after ionotropic gelation method. The prepared implants were evaluated for drug loading, in vitro drug release and in vivo performance in traumatic spinal-injury rat model with paraplegia. Results: All the implant formulations were light pale solid matrix with smooth texture. Implants showed 86.56 ± 2.07 % drug loading. Drug release was 89.29 ± 1.25 % at the end of 7 days. Motor function was evaluated in traumatic spinal injury-induced rats in terms of its movement on the horizontal bar. At the end of 7 days, the test group showed the activity score (4.75 ± 0.02) slightly higher than that of standard (4.62 ± 0.25), but the difference was not statistically different (p > 0.05). Conclusion: MPSS-loaded implants produces good recovery in traumatic spinal-injury rats.

Spoken Language in Hearing Impairment Children with Digital Hearing-Aid or Cochlear Implant: Grammatical Strenghts and Weaknesses

In this study, semi spontaneous samples of spoken language are analysed. Participants are 30 children with severe or profound deafness who employ digital hearing-aid or cochlear implant. The main goal is to find out the strengths and weaknesses of their grammatical skills in order to employ that information in dessigning speech therapy programs.

Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but d’améliorer ses propriétés d’émission. Le recuit est nécessaire afin de recristalliser la couche amorphisée lors de l’implantation, donnant lieu à un polycristal rempli de défauts de recristallisation. On constate cependant que les matériaux implantés Fe offrent de meilleures performances que ceux simplement endommagés au Ga. Dans le but de départager l’effet des défauts de recristallisation et des impuretés de Fe, des mesures de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et de DLTS en courant (I-DLTS), ainsi que de spectrométrie de masse d’ions secondaires par temps de vol (ToF-SIMS) ont été effectuées sur des échantillons non implantés et d’autres recristallisés. Les mesures DLTS et I-DLTS ont pour but de caractériser les niveaux profonds générés par ces deux procédures postcroissance, tout en identifiant le rôle que jouent les impuretés de Fe sur la formation de ces niveaux profonds. De plus, le voisinage des atomes de Fe dans le matériau recristallisé a été étudié à l’aide des mesures ToF-SIMS. Les mesures DLTS sur matériau recristallisé sont peu concluantes, car la mesure de capacité est faussée par la haute résistivité du matériau. Par contre, les mesures I-DLTS sur matériau recristallisé ont permis de conclure que les impuretés de Fe sont responsables de la formation d’une grande variété de niveaux d’énergie se trouvant entre 0,25 et 0,40 eV, alors que les défauts de structure induisent des niveaux de moins de 0,25 eV. La concentration de Fe est élevée par rapport au seuil de solubilité du Fe dans le matériau recristallisé. Il serait donc plausible que des agrégats de Fe se forment. Toutefois, cette hypothèse est infirmée par l'absence de pic aux masses correspondant à la molécule ^(56)Fe_2^+ sur les spectres ToF-SIMS. De plus, un modèle simple est utilisé afin d’estimer si certaines masses présentes sur les spectres ToF-SIMS correspondent à des liaisons non induites par la mesure dans le matériau recristallisé. Bien qu’aucune liaison avec le Ga et l'As n’est détectable, ce modèle n’exclut pas la possibilité de liens préférentiels avec l’In.

Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but d’améliorer ses propriétés d’émission. Le recuit est nécessaire afin de recristalliser la couche amorphisée lors de l’implantation, donnant lieu à un polycristal rempli de défauts de recristallisation. On constate cependant que les matériaux implantés Fe offrent de meilleures performances que ceux simplement endommagés au Ga. Dans le but de départager l’effet des défauts de recristallisation et des impuretés de Fe, des mesures de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et de DLTS en courant (I-DLTS), ainsi que de spectrométrie de masse d’ions secondaires par temps de vol (ToF-SIMS) ont été effectuées sur des échantillons non implantés et d’autres recristallisés. Les mesures DLTS et I-DLTS ont pour but de caractériser les niveaux profonds générés par ces deux procédures postcroissance, tout en identifiant le rôle que jouent les impuretés de Fe sur la formation de ces niveaux profonds. De plus, le voisinage des atomes de Fe dans le matériau recristallisé a été étudié à l’aide des mesures ToF-SIMS. Les mesures DLTS sur matériau recristallisé sont peu concluantes, car la mesure de capacité est faussée par la haute résistivité du matériau. Par contre, les mesures I-DLTS sur matériau recristallisé ont permis de conclure que les impuretés de Fe sont responsables de la formation d’une grande variété de niveaux d’énergie se trouvant entre 0,25 et 0,40 eV, alors que les défauts de structure induisent des niveaux de moins de 0,25 eV. La concentration de Fe est élevée par rapport au seuil de solubilité du Fe dans le matériau recristallisé. Il serait donc plausible que des agrégats de Fe se forment. Toutefois, cette hypothèse est infirmée par l'absence de pic aux masses correspondant à la molécule ^(56)Fe_2^+ sur les spectres ToF-SIMS. De plus, un modèle simple est utilisé afin d’estimer si certaines masses présentes sur les spectres ToF-SIMS correspondent à des liaisons non induites par la mesure dans le matériau recristallisé. Bien qu’aucune liaison avec le Ga et l'As n’est détectable, ce modèle n’exclut pas la possibilité de liens préférentiels avec l’In.