Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si

Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas em Si foi estudado inicialmente em distintas condições de fluência, temperatura e direção de implantação. Após as implantações, as amostras foram tratadas termicamente a 800°C e analisadas por espectroscopia de retroespalhamento Rutherford em condição de canalização (RBS/C), análise de detecção por recuo elástico (ERDA), espectroscopia por emissão de íons secundários (SIMS) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os resultados experimentais mostraram que implantações de He a temperatura ambiente (Ti=Tamb) levam à formação de defeitos numa região intermediária entre a superfície e a camada onde as bolhas se formam (Rp/2), sendo 5x1015He+cm-2 a fluência mínima para a observação do fenômeno. Sua origem foi atribuída à formação de pequenas cavidades nesta região. O mesmo não é observado em implantações a Ti=350°C devido ao efeito do recozimento dinâmico dos defeitos. Estes resultados mostraram a necessidade de um estudo mais profundo a respeito dos efeitos da temperatura de implantação (Ti) na formação de bolhas em Si. Este estudo foi feito a partir de implantações de He no intervalo de temperatura entre -196°C e 350°C, sendo a fluência e a energia de implantação de 2x1016He+cm-2 e 40keV respectivamente. O efeito da proximidade à superfície foi estudado com implantações a 15keV. As amostras foram analisadas pelas mesmas técnicas referidas anteriormente. Para o caso de implantações feitas a 40keV com Tisistema de cavidades esféricas cujas características são dependentes dos estágios iniciais de implantação. No intervalo onde Ti>Tamb pequenas bolhas são formadas durante a implantação juntamente com defeitos estendidos do tipo {311}. A formação destes defeitos é atribuida ao mecanismo de formação das bolhas baseado na emissão de átomos auto-intersticiais de Si. Distintos regimes são observados após recozimento entre 400°C e 800°C por 600s. Para Ti≤250°C observa-se a dissolução do sistema de cavidades e defeitos devido à interação mutua entre os sistemas. Para Ti>250°C cavidades esféricas e anéis de discordância são observados após recozimentos a 800°C. Finalmente, se observou que a energia de implantação (15keV) não afeta a morfologia do sistema de bolhas e defeitos formados. Porém a perda de He é cinco vezes menor que no caso de amostras implantadas a 40 keV na mesma fluência. Um mecanismo baseado na difusão aumentada por danos de irradiação é sugerido neste trabalho.

Eletrodeposição de Co sobre n-Si(100) e caracterização dos depósitos formados

O presente trabalho tem como objetivo a eletrodeposição de cobalto, metal que apresenta caráter magnético, sobre um substrato de silício (100) tipo “n”, tendo em vista que a eletrodeposição em um substrato semicondutor apresenta diferenças se comparada à eletrodeposição em um substrato metálico (condutor). Investigou-se a possível influência do nível de dopagem do semicondutor nas características do sistema eletroquímico e nos depósitos de cobalto. Para isto foram utilizadas amostras de Si (100) tipo “n”, de duas diferentes resistividades: <0,005Wcm e 50-100Wcm. Os depósitos de cobalto foram obtidos a partir de duas diferentes técnicas: potenciostática e galvanostática. Foram realizadas curvas de voltametria cíclica em solução contendo íon cobalto e em solução isenta do mesmo. Soluções de duas diferentes concentrações, 1mM e 10mM de CoSO4, foram utilizadas nos experimentos. Sacarina foi adicionada eventualmente à solução com o objetivo de refinar o tamanho dos núcleos de cobalto. A cinética de nucleação foi estudada utilizando os modelos teóricos para nucleação instantânea e progressiva propostos por Scharifker e Hills Tanto as curvas de voltametria cíclica quanto as cronopotenciométricas e cronoamperométricas apresentaram comportamento diferenciado quando da utilização de um eletrodo semicondutor com as duas diferentes resistividades. Através da utilização de um eletrodo metálico foi possível verificar as diferenças de comportamento existentes entre um eletrodo condutor e um semicondutor. Os depósitos de cobalto foram morfologicamente caracterizados por microscopia de força atômica e microscopia eletrônica de varredura. A superfície hidrogenada do silício, após a remoção do óxido de silício, foi observada por microscopia de força atômica. A técnica de difração de raios x foi utilizada para a verificação da estrutura do substrato e dos eletrodepósitos de cobalto. A caracterização magnética dos filmes de cobalto foi realizada por um magnetômetro de campo de gradiente alternado (AGFM). Os depósitos de cobalto obtidos potenciostaticamente apresentaram diferenças morfológicas quando obtidos sobre substrato de silício de diferentes resistividades. Apesar das diferenças morfológicas, as curvas de magnetização foram semelhantes. Com relação à microestrutura, houve a ocorrência de orientação preferencial e de ambas as fases do cobalto,hexagonal compacta e cúbica de face centrada. O aditivo sacarina alterou significativamente a morfologia, microestrutura e comportamento magnético dos depósitos. Depósitos galvanostáticos não apresentaram diferença morfológica significativa quando obtidos sobre silício de duas diferentes resistividades, porém, são morfologicamente diferentes dos depósitos potenciostáticos. A microestrutura destes depósitos apresentou predominância da fase amorfa. As curvas de magnetização também apresentaram diferenças das curvas obtidas para os depósitos potenciostáticos.

A criação de si e os encontros amorosos no contemporâneo

É próprio do amor carregar as virtualidades que o renovam e transformam em cada dobra do tempo-espaço. Essas se atualizam, mas não se esgotam, continuando a provocar novos devires. A questão, aqui, é acompanhar alguns movimentos subjetivos de uma garota que procura viver o amor no contemporâneo, tomando seus desdobramentos como modos de viver esse tempo, como processos que afirmam uma criação de si, e, porque não dizer, uma despersonalização. A dificuldade se encontra em colocar o amor em relação às singularidades desse tempo, sem que com isso se faça uma leitura nostálgica, dramática, claustrofóbica dos movimentos que, hoje, se insinuam. O conceito escolhido para essa leitura foi o conceito de outrem em Deleuze. Com esse, busca-se garantir as transformações subjetivas ocorridas por quem se aventura amorosamente no contemporâneo em seus diferentes desdobramentos.

Determinação da posição reticular de F em Si

Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a camada amorfa através do processo de Epitaxia de Fase Sólida (EFS). Empregamos as técnicas de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford, na condição de canalização iônica, e de Análise por Reação Nuclear (NRA), através da reação ressonante ( ) O p F 16 19 , αγ , à 5 , 340 keV, para determinar a posição dos átomos de F e, depois, reproduzimos os resultados experimentais através do programa de simulação computacional chamado Simulação Adaptada de Canalização de Íons Rápidos em Sólidos (CASSIS - Channeling Adapted Simulation of Swift Ions in Solids). Os resultados obtidos apontam para duas possíveis combinações lineares distintas de sítios. Uma delas concorda com a proposta teórica de Hirose et al. (Materials Science & Engineering B – 91-92, 148, 2002), para uma condição experimental similar. Nessa configuração, os átomos de F estão na forma de complexos entre átomos de flúor e vacâncias (F-V). A outra combinação ainda não foi proposta na literatura e também pode ser pensada como um tipo de complexo F-V.

Relaxação estrutural de camadas pseudomórficas de SiGe/Si(100) induzida pela implantação iônica de He ou Si e tratamento térmico

O Si tensionado (sSi) é um material com propriedades de transporte eletrônico bastante superiores as do Si, sendo considerado como uma alternativa importante para a produção de dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor) de mais alta performance (e.g. freqüências de operação f>100 GHz). O sSi é obtido através do crescimento epitaxial de Si sobre um substrato de mesma estrutura cristalina, porém com parâmetro de rede diferente. Esta tese apresenta uma investigação detalhada de um novo método que possibilita a produção de camadas relaxadas de Si1xGex com espessuras inferiores a 300 nm, consideradas como a melhor alternativa tecnológica para a produção de sSi. Este método envolve a implantação de íons de He+ ou de Si+ em heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) e tratamentos térmicos. Foram estudados os efeitos dos diversos parâmetros experimentais de implantação e tratamentos térmicos sobre o processo de relaxação estrutural, utilizando-se heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) crescidas via deposição de vapor químico, com distintas concentrações de Ge (0,19x 0,29) e com espessuras entre 70 e 425 nm. Com base no presente estudo foi possível identificar diversos mecanismos atômicos que influenciam o processo de relaxação estrutural das camadas de Si1-xGex/Si(001). O processo de relaxação é discutido em termos de um mecanismo complexo que envolve formação, propagação e interação de discordâncias a partir de defeitos introduzidos pela implantação. No caso das implantações de He, por exemplo, descobrimos que podem ocorrer perdas de He durante as implantações e que este efeito influencia negativamente a relaxação de camadas finas. Além disso, também demonstramos que os melhores resultados são obtidos para energias e fluências de implantação que resultam na formação de bolhas planas localizadas no substrato de Si a uma distância da interface equivalente a uma vez a espessura da camada de SiGe. O grau de relaxação satura em 50% para camadas de SiGe com espessura 100 nm. Este resultado é discutido em termos da energia elástica acumulada na camada de SiGe e da retenção de He. No caso de implantações de Si, discutimos a formação de defeitos tipo {311} e sua transformação térmica em discordâncias. Este estudo resultou numa visão abrangente dos principais fatores limitantes do processo, bem como na otimização dos valores de parâmetros experimentais para a produção de camadas de SiGe com alto grau de relaxação e com baixa densidade de defeitos.

Caracterização elétrica de estruturas metal/dielétrico high-k/Si

Foram estudadas as propriedades elétricas de estruturas MOS envolvendo materiais com Zr e Hf: Al/HfO2/Si, Al/HfAlO/Si, Al/ZrO2/Si e Al/ZrAlO/Si depositadas por JVD (Jet Vapor Deposition) submetidas a diferentes doses de implantação de nitrogênio e tratamentos térmicos; Au/HfO2/Si e Au/HfxSiyOz/Si preparadas por MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) e Au/HfxSiyOz/SiO2/Si preparadas por sputtering reativo em O2 submetidas a tratamentos térmicos distintos. Para isso, além das medidas de C-V e I-V padrão, foi desenvolvido o método da condutância para estudo da densidade de estados na interface dielétrico/Si, o qual mostrou-se mais viável para as estruturas com dielétricos alternativos. A inclusão de Al na camada de dielétrico, bombardeamento por íons de nitrogênio, e tratamentos térmicos rápidos em atmosferas de O2 e N2 foram responsáveis por mudanças nas propriedades das amostras. Diversos mecanismos físicos que influenciam as propriedades elétricas dessas estruturas foram identificados e discutidos. Foi constatado que as interfaces com menores densidades de estados foram as das amostras preparadas por MOCVD e sputtering reativo.

Estudo da perda de energia de Be, B e O em direções aleatórias e canalizadas de alvos de Si e determinação da respectiva contribuição Barkas

Neste trabalho de tese, foi estudada a perda de energia de íons de Be, B e O incidindo em direção aleatória e ao longo dos canais axiais <100> e <110> do Si. Os intervalos de energia nos quais as medidas experimentais foram realizadas variaram entre 0,5 e 10 MeV para Be, entre 0,23 e 9 MeV para B e entre 0,35 e 15 MeV para O. Posteriormente, o efeito do “straggling” (flutuação estatística da perda de energia) nas medidas em direção aleatória também foi analisado, para íons de Be e O, nas regiões de energia entre 0,8 e 5 MeV e 0,35 e 13,5 MeV, respectivamente. As medidas relacionadas à perda de energia em direção aleatória e ao “straggling” em função da energia dos íons foram realizadas combinando-se a técnica de retroespalhamento Rutherford (RBS) ao emprego de amostras de Si implantadas com marcadores de Bi. Os resultados relativos à perda de energia ao longo dos canais <100> e <110> do Si em função da energia dos íons foram obtidos através de medidas de RBS canalizado feitas em amostras tipo SIMOX (Separated by IMplanted OXygen). A perda de energia foi calculada teoricamente, através de três abordagens diferentes: a) a Aproximação de Convolução Unitária (UCA); b) o método não-linear baseado na seção de choque de transporte e na regra da soma de Friedel estendida (TCS-EFSR); c) a teoria binária. A combinação dos cálculos UCA com os resultados experimentais para a perda de energia canalizada de Be, B e O em Si permitiu isolar a contribuição do efeito Barkas para a perda de energia. Essa contribuição mostrou ser bastante grande, chegando a 45% do valor das outras contribuições para o caso do Be, 40% para o caso do B e 38% para o caso do O. Esses resultados são comparáveis aos previamente obtidos no Laboratório de Implantação Iônica da UFRGS para íons de He e Li. As teorias TCS-EFSR e binária permitiram o cálculo do efeito Barkas para a perda de energia devida aos elétrons de valência. Os resultados teóricos e experimentais para a contribuição Barkas total e relativa foram comparados e analisados em função da carga média e da energia dos íons para as energias de 300, 400, 500 e 700 keV/uma. O acordo teórico-experimental é razoável para as energias mais baixas, melhorando com o aumento da energia dos íons incidentes.

Fantoches de si mesmos : a dinâmica de reprodução social da empresa pab à luz da teoria de pierre bourdieu

O mercado de mineração mundial nos últimos quatro anos apresentou crescimento constante, porém diante das atuais oscilações econômicas questiona-se por quanto tempo essa tendência permanecerá voltada aos resultados positivos. Esse contexto engloba a realidade brasileira que possui sua concentração de projetos mínero-industriais localizada no Pará, mais especificamente na região da Amazônia Oriental, e é nesta que está instalado o empreendimento que é o objeto de estudo da presente dissertação, a empresa PAB (nome fictício). Por estar fixada nessa região recebe pressões tanto de questões internas e particulares da condução do seu negócio, quanto de demandas advindas de debates internacionais relacionados às questões sócio-ambientais do aquecimento global e do futuro dos ecossistemas. Diante dessa realidade, tem como desafio persistir a essas ondas de turbulência, através da manutenção do seu status quo, ou seja, de reproduzir a ordem social vigente ao longo dos anos, ordem esta que provavelmente a conduziu até a posição de líder mundial em produção no seu ramo de negócio. O presente estudo tem o objetivo de identificar a dinâmica de reprodução da ordem social operante na PAB (nome fictício), à luz da teoria de Pierre Bourdieu, utilizando para tal a metodologia estruturalista de investigação da práxis, alicerçado, principalmente, no arcabouço literário do autor citado em complementação ao de Lévi-Strauss. Tal vertente metodologia possibilitou as análises sobre o tipo de relação existente entre as estruturas objetivas formais e declaradas por parte da organização estudada e prática vivenciada pelos empregados. Os resultados obtidos na pesquisa de campo foram organizados a partir da gênese e estrutura dos conceitos de campo, habitus e seus constituintes. Esses aspectos permitiram concluir que a dinâmica identificada está sustentada fortemente pela incongruência entre o discurso organizacional e a prática operante, sendo essa mantida através de disputas por posições de poder que significam possuir cargos e/ou desempenhar atividades que estejam diretamente relacionadas à produção fabril; tais disputas possuem como principais jogadores os empregados antigos contra os novos, e os que possuem cargos ligados diretamente com a operação fabril contra os que não os possuem. A violência simbólica emerge no formato de favorecimento daqueles que possuem uma rede diferenciada de relações internas, predominantemente de caráter familiar. Os rituais de reconhecimento restritos a apenas uma parte dos empregados, os incentivam a cada vez mais participar do jogo, que estrutura o agente que é também o estruturante, os tornando fantoches de si mesmos. A compreensão da dinâmica citada, por um lado sugere a reflexão sobre a forma como o sucesso vem persistindo na PAB ao longo dos anos, e por outro abre espaço para a possibilidade de mudança e inovação social a partir do descolamento existente entre o habitus e o campo do espaço social discutido, representando um meio frutífero para a transformação das relações, e é neste ponto que reside a principal importância do referido trabalho.

Aprendizagem organizacional e alinhamento das estratégias de negócio e de SI

Vários estudos sobre o alinhamento estratégico e a aprendizagem organizacional ressaltam sua relevância e atualidade, porém evidenciam dificuldades na sua avaliação e mensuração, apresentam lacunas e poucos abordam estes temas conjuntamente. Alguns autores criticam a não inclusão de ações individuais e coletivas de natureza mais espontânea, que fazem com que as estratégias de negócio e de sistemas de informação (SI) muitas vezes sejam construídas com base na improvisação, política, adaptação e aprendizagem. Com o objetivo de verificar de que modo a promoção do alinhamento entre as estratégias de negócio e as estratégias de SI é influenciada pela aprendizagem organizacional (AO), para o presente trabalho, de caráter exploratório-descritivo, optou-se pelo estudo de dois casos, as instituições de ensino superior (IES) UNIJUÍ e UNIVATES, que consideram a participação e as discussões em colegiados. A partir de múltiplas fontes de evidências e utilizando-se métodos qualitativo e quantitativo para a análise das estratégias de negócio e de SI, do alinhamento estratégico (AE) e da AO, trabalhou-se com categorias e elementos previamente definidos e também inferidos. O modelo conceitual da pesquisa emprega o referencial dos tipos estratégicos defensor, analisador e prospector e das aprendizagens adaptativa e generativa Os resultados apontaram haver alinhamento na UNIJUÍ a partir de estratégias de negócio e de SI do tipo defensor e na UNIVATES, onde o alinhamento ocorre a partir do tipo defensor e analisador das suas estratégias. O estudo também identificou o perfil da AO através de oito diferentes fatores, encontrando-se comunicação como o de mais alta percepção e todos eles apresentando resultados positivos nas duas IES, assim como as aprendizagens adaptativa e generativa. A análise comparativa entre as IES e a análise das inter-relações entre o AE e a AO são exemplificadas com resultados obtidos, que mostram algumas características de aprendizagem generativa e fatores da AO, como desenvolvimento intelectual, gestão do capital intelectual e obtenção de conhecimento externo, vinculados a algumas estratégias de SI.

Docência artista : arte, estética de si e subjetividades femininas

Partindo do pressuposto de que a formação docente em arte (de professoras de Educação Infantil, Ensino Fundamental e Médio) é bastante precária, e que as relações de gênero estão implicadas na definição do discurso sobre arte e na constituição da docente em arte, pergunto pela possibilidade da constituição de uma “docência artista”. Na pesquisa, relaciona-se a docência artista com as práticas da escrita de si e das relações de amizade, como formas possíveis de resistência e de subversão aos poderes subjetivantes (principalmente aqueles que envolvem relações de poder e gênero), a partir da análise de um trabalho de formação docente em arte, que vem sendo desenvolvido há cinco anos com um grupo de professoras na Universidade de Santa Cruz do Sul (Santa Cruz do Sul, RS). Este é um trabalho profundamente marcado pelas teorizações de Michel Foucault, pela escuta atenta às reverberações nietzscheanas e às produções teóricas dos Estudos Feministas, ligadas à arte e educação. A tese procura estabelecer uma relação entre gênero, artes visuais e ensino de arte, a partir de uma problematização que se faz em três tempos: o mito da genialidade artística e do sujeito criador, arte e imagens de mulheres e uma estética da intimidade presente nas artes domésticas femininas -- procurando articulá-los com a produção da docência em arte. A partir das teorizações de Michel Foucault sobre estética da existência, ética, escrita de si e relações de amizade, problematiza-se a possibilidade de uma docência artista. Os eixos de análise para o material empírico (textos diversos, cartas, memoriais, portfólios, diários de campo) emergem da produção teórica do filósofo: escritas de si; jogos de desaparecimento; amizades, arte e docência e uma etopoética docente. A docência artista em debate nesta tese contrapõe-se a uma docência pasteurizada, ou a modelos feitos para vestir, marcada por rótulos de manuais didáticos, endereçados a supostas “professoras criativas”.

Construindo ferramentas e a si mesmos: os ferramenteiros da indústria automobilística

O estado teve como objetivo central a análise das condições de formação profissional dos ferramenteiros que atuam nas indústrias automobilísticas do ABC, em São Paulo. O levantamento do material empírico foi realizado no período de 1979/80, através de pesquisa direta com os trabalhadores, e através de registro de dados junto às empresas e às agências do sistema de formação profissio - nal, que atuam na região: o SENAI, as escolas profissio - nais particulares e as escolas das empresas. Os ferramenteiros foram escolhidos por se constituirem em trabalhadores altamente especializados, e por terem elevado grau de prestígio e valor no mercado de tra balho. E especificamente, os das indústrias automobilísticas pelo papel desempenhado pelo setor na estrutura industrial brasileira. O desenvolvimento do estudo foi todo ,norteado pela análise da relação entre educação e trabalho, e as implicações desta relação sobre o processo de formaçãopr~ fissional dos trabalhadores industriais. Para a análise desta relação se fez necessário inicialmente observar as indústrias automobilísticas no modelo de desenvolvimento recente do Brasil, e a luta dos trabalhadores contra a indústria, através do atual movi - mento sindical. Em uma segunda etapa partiu~se para o estudo e~ pecífico dos ferramenteiros da indústria automobilística mediante a compreensão da ferramentaria dentro da organização do processo de trabalho das empresas e a inserção e a trajetória dos ferramenteiros dentro deste processo de trabalho. A formação profissional dos ferramenteiros foi analisada através dos mecanismos colocados a disposição dos trabalhadores pelo sistema de formação profissional e,posteriormente, a importância dos cursos e do trabalho na qualificação profissional dos ferramenteiros. Finalmente, se observou que a formação profissi~ nal dos ferramenteiros das indústrias automobilísticas pe~ corre os caminhos do sistema de formação profissional e da atuação no próprio local de trabalho.

Diálogos sobre espiritualidade no processo de cuidar de si e do outro para a enfermagem em terapia intensiva

Este estudo teve por objetivo compreender como a espiritualidade permeia o processo de cuidar de si e do outro no mundo da terapia intensiva, sob o olhar das cuidadoras de enfermagem. A pesquisa caracterizou-se por uma abordagem qualitativa do método criativo-sensível de Cabral, que guiou a produção e a análise das informações, seguindo as etapas de codificação, decodificação e recodificação ou aliança de saberes. Contou-se com a participação de nove cuidadoras de enfermagem, duas enfermeiras e sete técnicas de enfermagem, do Centro de Tratamento Intensivo (CTI) de um hospital universitário. Para a produção das informações, foram realizadas nove oficinas de arte e de experiências, sendo que a última destinou-se à validação da análise das informações. Nesse percurso, emergiram os seguintes temas: os significados de espiritualidade; a espiritualidade no cuidado de si e a espiritualidade no cuidado do outro. O primeiro tema exprimiu os significados de espiritualidade como propósito de vida, como conexão com uma Força Superior e com o Cosmo e como autoconhecimento. O segundo tema evidenciou que a espiritualidade no cuidado de si estava nas práticas cotidianas que aconteciam por meio da oração, do contato íntimo com a natureza, assim como no senso de conexão com uma Força Superior que propiciava tranqüilidade, bem-estar e fortalecimento à vida e ao trabalho das cuidadoras no CTI. As participantes demonstraram estar conscientes de si mesmas quando reconheceram que se fragilizavam com o mundo vivido e precisavam também de cuidado, que poderia se dar na ajuda mútua entre os cuidadores. O autoconhecimento revelou-se como uma prática essencial no cuidado de si para melhor cuidar do outro. E o terceiro tema desvelou que a espiritualidade no cuidado do outro partiu da fragmentação do cuidador e do cuidado intensivo para um caminho de reintegração do ser humano, capaz de transformar a cultura que inibiu e oprimiu o cuidado expressivo no CTI. A espiritualidade revelou-se nas práticas de cuidado que incluíam fé, imposição de mãos e oração, assim como foi algo que emergiu da interioridade humana para se manifestar na relação com outro no modo de ser do cuidador e se revelou no olhar, na atenção, no carinho, na amorosidade, no diálogo que tranqüilizava, na mão que dava conforto e segurança, na capacidade de escuta e de construir confiança em uma ambiência de cuidado para os envolvidos neste encontro.

A experiência de si no trabalho nas ruas através da fotocomposição

Vivemos em um tempo marcado por incertezas, pela introdução de novas tecnologias na produção, pelo aumento do desemprego e pela precarização do emprego de acordo com vários autores que problematizam as formas como se articulam o trabalho e os modos de viver contemporâneos. A situação atual tem feito com que muitos sujeitos busquem formas alternativas de trabalho nas ruas, intensificando o espaço urbano como local de produção e geração de renda. Apesar destas transformações, trabalho ainda se coloca como dispositivo na sustentação do modo de sujeição capitalista e os discursos em relação ao que é trabalho e quem é um “bom trabalhador” se fazem presentes com uma função estratégica na manutenção do poder. Tendo em vista estes aspectos, analisamos as tensões que se colocam entre o trabalho nas ruas e o trabalho moral, ou seja, o trabalho enquanto substância ética. A questão que orientou nosso estudo foi: de que forma os trabalhadores de rua fazem uma experiência de si considerando os jogos de verdade que definem o que é trabalho? A produção de informações foi realizada a partir de dois modos distintos: 1)entrevistas em profundidade e 2)Fotocomposição. As entrevistas em profundidade foram realizadas no local de trabalho, ou seja, as ruas do centro da cidade de Porto Alegre e seguiram o rumo de uma conversa informal, detendo-se nas questões relativas ao trabalho e a forma como percebem aquilo que fazem. A estratégia da fotocomposição consiste em entregar uma câmera aos sujeitos de pesquisa e solicitar que eles fotografem a partir de um tema ou questão Nossa metodologia pressupõe, em um primeiro momento, levar em conta o contexto de concepção da fotografia, partindo da idéia de que uma fotografia se concebe desde a escolha do seu objeto até a captura da cena, em um processo de construção de sentidos. E, em um segundo momento, de nos determos nas reflexões sobre as fotografias reveladas. Nesta pesquisa a fotocomposição consistiu em solicitar que os trabalhadores mostrassem o seu trabalho através de imagens. A pesquisadora também produziu fotografias ao longo da pesquisa de campo. Através das imagens e das entrevistas, percebemos que os trabalhadores de rua andam sempre no limite entre a lógica dominante e uma outra lógica, incipiente: a lógica da rua, do desemprego, da imposição da realidade sobre a moralidade. E, apesar deles se perceberem como seres “sem função” social, sua função na sociedade é a de continuar existindo para criar novas lógicas, ainda que internas e reservadas a espaços de micropolíticas. Suas lutas cotidianas contra a lógica dominante fazem com que eles produzam não apenas uma nova forma de trabalhar, mas uma nova lógica do trabalho, que se parece cada vez menos com a exceção e cada vez mais com uma nova regra.

Junções rasas em Si e SIMOX

Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA, Rapid Thermal Annealing) ou convencional (FA, Furnace Annealing). A caracterização física e elétrica foi feita através do uso de diversas técnicas: SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry), MEIS (Medium Energy Ion Scattering), medidas de resistência de folha, medidas Hall e medidas de perfil de portadores por oxidação anódica. Na comparação entre os substratos SIMOX e Si bulk, os resultados indicaram que o SIMOX se mostrou superior ao Si bulk em todos os aspectos, ou seja, menor concentração de defeitos e menor perda de dopantes para a atmosfera após os recozimentos, maior concentração de portadores e menor resistência de folha. A substitucionalidade do As foi maior no SIMOX após RTA, mas semelhante nos dois substratos após FA. Na comparação entre RTA e FA, o primeiro método se mostrou mais eficiente em todos os aspectos mencionados acima. As explicações para o comportamento observado foram atribuídas à presença de maior concentração de vacâncias no SIMOX do que no Si bulk e à interação destas vacâncias com os dopantes.

Do esgotamento à ultrapassagem de si : desafios clínicos

Este trabalho apresenta uma cartografia das intensidades afetivas na clínica, tomando como ponto de partida a angústia frente às maneiras que o sujeito encontra para delinear sua tessitura frágil e complexa. Problematizamos o cenário contemporâneo, em suas políticas de subjetivação referentes às práticas de saúde vigentes, através do conceito deleuzeano de “gorda saúde dominante”. Tal modo de exercitar a saúde mostra-se limitado, por não permitir a coexistência do adoecer e do sofrimento, impedindo o corpo de experimentar as mil saúdes de que somos capazes, de acordo com os princípios da criação e da singularidade. Acreditamos que a angústia pode ativar uma saúde frágil, que escapa ao padrão, rompendo com a forma identitária mantida pela saúde dominante. Lidar com tal dimensão subjetiva e ultrapassa-la torna-se fundamental para que o sujeito potencialize sua envergadura emocional Escolhemos trabalhar com a clínica como ação de saúde num plano intenso, desenvolvendo ferramentas de intervenção, como a escuta que se amplia em narrativas imagéticas e a produção de um inconsciente através da máquina de pensar. É com este instrumental que pretendemos enfrentar a experiência do vazio que toma o sujeito angustiado. Tal cenário solicitará um terapeuta aberto às variações da atmosfera clínica, que venha a desenvolver um olhar sensibilizado e continente às dores próprias do humano em seu desafio de enfrentar o ilimitado do mundo.