Informe final. Componente artesanal del proyecto integral de organización social y generación de ingresos para indígenas desplazados a Bogotá por el conflicto Armado.

21 hojas : ilustraciones.

Informe final y cuaderno de diseño. Regional Centro Oriente, municipio de Silvania, departamento de Cundinamarca.

61 hojas : ilustraciones.

Cestería en esparto - Cerinza (Boyacá) Etapa producción y socialización.

38 hojas : fotografías, cuadros.

Oficios de cestería y tejeduría en Cumare Vichada - Cumaribo.

84 hojas.

Diagnóstico sobre los oficios artesanales en Bogotá.

83 hojas : ilustraciones, cuadros, mapas, fotografía a color, anexo.

quipos y herramientas utilizados en el proceso de producción cermámico del taller asociativo del Centro Artesanal de Guatavita.

27 hojas : ilustraciones, fotografías

Ilustraciones del proceso de torneado de arcilla en La Chamba.

6 hojas : ilustraciones, fotografías a color

Escenas de prácticas rituales de los indígenas Wannana.

5 hojas : ilustraciones, fotografías a color.

Ilustración detallada del telar y del proceso de tejido con hilos de colores y decorados con borlas de las capelladas de las cotizas de los indígenas Wayúu Guajira.

18 hojas : ilustraciones, fotografías a color.

Development of germanium/silicon integration for near infrared detection

Silicon (Si) is the base material for electronic technologies and is emerging as a very attractive platform for photonic integrated circuits (PICs). PICs allow optical systems to be made more compact with higher performance than discrete optical components. Applications for PICs are in the area of fibre-optic communication, biomedical devices, photovoltaics and imaging. Germanium (Ge), due to its suitable bandgap for telecommunications and its compatibility with Si technology is preferred over III-V compounds as an integrated on-chip detector at near infrared wavelengths. There are two main approaches for Ge/Si integration: through epitaxial growth and through direct wafer bonding. The lattice mismatch of ~4.2% between Ge and Si is the main problem of the former technique which leads to a high density of dislocations while the bond strength and conductivity of the interface are the main challenges of the latter. Both result in trap states which are expected to play a critical role. Understanding the physics of the interface is a key contribution of this thesis. This thesis investigates Ge/Si diodes using these two methods. The effects of interface traps on the static and dynamic performance of Ge/Si avalanche photodetectors have been modelled for the first time. The thesis outlines the original process development and characterization of mesa diodes which were fabricated by transferring a ~700 nm thick layer of p-type Ge onto n-type Si using direct wafer bonding and layer exfoliation. The effects of low temperature annealing on the device performance and on the conductivity of the interface have been investigated. It is shown that the diode ideality factor and the series resistance of the device are reduced after annealing. The carrier transport mechanism is shown to be dominated by generation–recombination before annealing and by direct tunnelling in forward bias and band-to-band tunnelling in reverse bias after annealing. The thesis presents a novel technique to realise photodetectors where one of the substrates is thinned by chemical mechanical polishing (CMP) after bonding the Si-Ge wafers. Based on this technique, Ge/Si detectors with remarkably high responsivities, in excess of 3.5 A/W at 1.55 μm at −2 V, under surface normal illumination have been measured. By performing electrical and optical measurements at various temperatures, the carrier transport through the hetero-interface is analysed by monitoring the Ge band bending from which a detailed band structure of the Ge/Si interface is proposed for the first time. The above unity responsivity of the detectors was explained by light induced potential barrier lowering at the interface. To our knowledge this is the first report of light-gated responsivity for vertically illuminated Ge/Si photodiodes. The wafer bonding approach followed by layer exfoliation or by CMP is a low temperature wafer scale process. In principle, the technique could be extended to other materials such as Ge on GaAs, or Ge on SOI. The unique results reported here are compatible with surface normal illumination and are capable of being integrated with CMOS electronics and readout units in the form of 2D arrays of detectors. One potential future application is a low-cost Si process-compatible near infrared camera.

Sistema de agronegocios de uva fresca en Perú con fines de exportación

El crecimiento de la demanda de uva fresca en el mundo y las exigencias por los consumidores han hecho que el Sistema de Agronegocios de Uva Fresca con fines de exportación en Perú se esté fortaleciendo día a día mediante la buena coordinación de cada actor del sistema, ello se desenvuelve en un ambiente institucional, organizacional y tecnológico de cada vez mayor desarrollo. Las relaciones entre actores, posible causa de la alta sostenibilidad de los negocios de tipo de frutas frescas con fines de exportación, no han sido muy exploradas en el Perú. En base a esto el objetivo de la investigación consistió en realizar un diagnóstico del sistema de agronegocio de uva fresca en Perú con fines de exportación a fin de describir las fortalezas y debilidades del mismo. Para el logro del objetivo la metodología de trabajo fue el Estudio y Planificación Estratégica de los Sistemas de Agronegocios

Preparación del manuscrito y ejemplos de artículos enviados para su publicación

En este capítulo se dan indicaciones para escribir un manuscrito y se presentan algunos ejemplos de artículos enviados para su publicación. En este documento he resumido algunas de las normas para la preparación de un manuscrito mediante un procesador de texto informático y para la escritura de las diferentes partes de las que debe constar un artículo.

Una metodología para el análisis del razonamiento inductivo basada en la resolución de problemas

En este trabajo se presenta una metodología de investigación basada en la resolución de problemas para el análisis del razonamiento inductivo que llevan a cabo un grupo de 359 estudiantes que cursan 3¼ y 4¼ de ESO en España. Tras la justificación del interés en considerar las progresiones aritméticas de números naturales de órdenes 1 y 2 como contenido matemático, se muestran las variables que han permitido identificar unos tipos de problemas adecuados para nuestro objetivo de investigación relacionados con ese contenido matemático. Finalmente, se considera la prueba escrita individual como modo de recogida de información y se introduce la forma en que se realiza la corrección de los problemas seleccionados teniendo en cuenta el razonamiento inductivo y las variables consideradas para la selección de los tipos de problemas.

El análisis didáctico en la formación inicial de profesores de matemáticas de secundaria

En este documento, describo algunos aspectos del significado con el que usamos la expresión "análisis didáctico" en la asignatura Didáctica de la Matemática en el Bachillerato de la Universidad de Granada. En particular, introduzco el análisis didáctico como un nivel del currículo y establezco su papel en la identificación, organización y selección de los múltiples significados de un concepto matemático para efectos de diseñar, llevar a la práctica y evaluar unidades didácticas. Estas consideraciones dan lugar a algunas reflexiones sobre el papel del análisis didáctico en la formación inicial de profesores de matemáticas de secundaria.

How mathematics is defined and measured in PISA 2003

In this report I present a summary of the three dimensions used in PISA 2003assessment in mathematics: Content, Process and Situation, and I includesome examples of items.