CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料

报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，芯片成品率大于80%。硅外延片的参数指标能满足集成电路制造要求。

用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)

随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展，下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求。与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比，硅外延片一般能满足这些要求。该文报道了应用于先进集成电路的150mmP/P~+ CMOS硅外延片研究进展。在PE2061硅外延炉上进行了P/P~+硅外延生长。外延片特征参数，如外延层厚度、电阻率均匀性，过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征。研究表明:150mm P/P~+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求。

1MeVSi＋衬底加温注入Al（0.3）Ca���0.7）As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射沟道技术研究了1MeVSi~+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下, 观察到Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围, 以及两种速率失去平衡的临界剂量。用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。

维生素 C 二步发酵中伴生菌的研究

在维生素 C 二步发酵中，第二步发酵为混菌发酵。氧化葡萄糖酸杆菌为产酸菌，巨大芽孢杆菌为伴生菌。巨大芽孢杆菌和氧化葡萄糖酸杆菌纯化培养的生物学特性不同于其在混菌培养中的生物学特性。种子液的组成和生物量影响 2－酮基－L－古龙酸的合成。在发酵过程中，采采取适宜的调控措施有利于产酸。Na~+和 H~+可诱导对数生长期的巨大芽孢杆菌发生自溶，Na~+诱导的自溶作用可被 Ca~++抑制。200mM Na~+ 可抑制 2－酮基－L－古龙酸的合成。H~+可抑制稳定期的巨大芽孢杆菌衰亡。本文建立了简便易行的巨大芽孢杆菌的筛选模型，并获得两株耐低 pH 和 2－酮基－L－古龙酸的突变株 Bn 和 B5，与氧化葡萄糖酸杆菌混合培养，发酵转化率可分别提高 4.1%和 3.8%。Bn和 B5 生长的最适 pH 值为 6.0～8.0，可促进氧化葡萄糖酸杆菌的生长，表现为延迟期缩短，稳定期延长。苏云金芽孢杆菌 B529 作为伴生菌与氧化葡萄糖酸杆菌组成的新混合菌系，具有抗污染、稳定高产的特性。B529 和巨大芽孢杆菌释放的分子量在 30～50kDa 和 >100kDa 的组份均可促进氧化葡萄糖酸杆菌产酸，其中 30～50kDa 的组份是促进产酸的关键物质。二菌所释放的活性物质经 Sephadex G-150 柱层析呈现不同的洗脱图谱，说明二菌释放的活性物质成分可能不同。B529 的培养上清液可增强氧化葡萄糖酸杆菌的细胞酶活力和 L－山梨糖胶氢酶的活性。新混全菌系的最适发酵条件被确定，在4M~3 发酵罐中连续被批发酵，平均糖酸转化率提高了 6.4%，发酵周期缩短 7.3h。