Estudo da aplicação de adesivos de cura UV em conservação e restauro de vidro e vitral

Do presente trabalho resultou a submissão de um artigo, com o título UV Curing Adhesives for Conservation of Glass- Chemical and Mechanical Stability, para comunicação oral em conferência internacional intitulada Recent Advances in Glass and Ceramics Conservation, a ocorrer em Wroclaw, Polónia, de 25 a 29 de Maio de 2016, no âmbito do ICOM-CC Glass and Ceramics Working Group Interim Meeting.

Specific heat of UPdâ Siâ

The specific heat of single-crystal U Pd2 Si2 has been studied using both the step heating and continious heating methods for the temperature range 2 to 250 K. Successive phase transitions at Tl = 136I< and T2 = 108I< are reported, which are consistent with current publications. The transition at 40K, which was previously reported, has not been detected. Recent published elastic neutron scattering data, magnetic susceptibility and resistivity results suggest that U Pd2 Si2 may be a heavy fermion compound, however, the electronic specific heat coefficient I (= 18.97 ;~), obtained from the specific heat Cv measurements, is smaller than that of the conventional heavy fermion system. The Debye temperature of U Pd2Si2 is found to be 116.55K. The possibility is discussed that the maximum in CIT in the low-temperature range 2 to 4K corresponds to Schottky anomaly induced by localized magnetic impurities .

Nuevos materiales orgánicos luminiscentes vía condensación aldólica

Tesis ( Maestro en Ciencias de la Ingeniería Mecánica con Especialidad en Materiales) U.A.N.L.

Mechanism of electrical conduction in plasma polymerized furfural thin films

Polyfurfural thin films lying in the thickness range of 1300–2000 A˚ were prepared by ac plasma polymerization technique. The current–voltage characteristics in symmetric and asymmetric electrode configuration were studied with a view to determining the dominant conduction mechanism.It was found that the Schottky conduction mechanism is dominant in plasma polymerized furfural thin films.The predominance of Schottky mechanism was further confirmed based on the thermally stimulated current measurements.

Formation and characterisation of indium selenide thin films by elemental evaporation

This thesis deals with preparing stoichiometric crystalline thin films of InSe and In2Se3 by elemental evapouration and their property investigation.In the present study three temperature( or Elemental evapouration) method is utilized for the deposition of crystalline thin films . The deposition mechanism using three temperature method deals’ with condensation of solids on heated surfaces when the critical supersaturation of the vapour phase exceeds a certain limit. The critical values of the incident flux are related to substrate temperature and the interfacial energies of the involved vapours. At a favorable presence of component atoms in the vapour phase these can react and condense onto a substrate even at a elevated temperature. In the studies conducted the most significant factor is the formation of single compositional film namely indium mono selenide in the In –se system of compounds .Further this work shows the feasibility of thin film photovoltaic junctions of the schottky barrier type

Quantum suppression of shot noise in field emitters

We have analyzed the shot noise of electron emission under strong applied electric fields within the Landauer-Bttiker scheme. In contrast to the previous studies of vacuum-tube emitters, we show that in new generation electron emitters, scaled down to the nanometer dimensions, shot noise much smaller than the Schottky noise is observable. Carbon nanotube field emitters are among possible candidates to observe the effect of shot-noise suppression caused by quantum partitioning.

Low k thin films based on rf plasma-polymerized aniline

Thermally stable materials with low dielectric constant (k < 3.9) are being hotly pursued. They are essential as interlayer dielectrics/intermetal dielectrics in integrated circuit technology, which reduces parasitic capacitance and decreases the RC time constant. Most of the currently employed materials are based on silicon. Low k films based on organic polymers are supposed to be a viable alternative as they are easily processable and can be synthesized with simpler techniques. It is known that the employment of ac/rf plasma polymerization yields good quality organic thin films, which are homogenous, pinhole free and thermally stable. These polymer thin films are potential candidates for fabricating Schottky devices, storage batteries, LEDs, sensors, super capacitors and for EMI shielding. Recently, great efforts have been made in finding alternative methods to prepare low dielectric constant thin films in place of silicon-based materials. Polyaniline thin films were prepared by employing an rf plasma polymerization technique. Capacitance, dielectric loss, dielectric constant and ac conductivity were evaluated in the frequency range 100 Hz– 1 MHz. Capacitance and dielectric loss decrease with increase of frequency and increase with increase of temperature. This type of behaviour was found to be in good agreement with an existing model. The ac conductivity was calculated from the observed dielectric constant and is explained based on the Austin–Mott model for hopping conduction. These films exhibit low dielectric constant values, which are stable over a wide range of frequencies and are probable candidates for low k applications.

Conduction mechanism in plasma polymerized aniline thin films

Electrical properties of ac plasma polymerized aniline thin films are investigated with a view of determining the dominant conduction mechanism. The current–voltage (I–V) characteristics in symmetric and asymmetric electrode configuration for polyaniline thin films in the thickness range from 1300 to 2000 A ° are investigated. From the studies on asymmetric electrode configuration, it is found that the dominant conduction mechanism in these films is of Schottky type

Simulation and Design of a high speed Solid State Switch for Excimer Laser

Excimerlaser sind gepulste Gaslaser, die Laseremission in Form von Linienstrahlung – abhängig von der Gasmischung – im UV erzeugen. Der erste entladungsgepumpte Excimerlaser wurde 1977 von Ischenko demonstriert. Alle kommerziell verfügbaren Excimerlaser sind entladungsgepumpte Systeme. Um eine Inversion der Besetzungsdichte zu erhalten, die notwendig ist, um den Laser zum Anschwingen zu bekommen, muss aufgrund der kurzen Wellenlänge sehr stark gepumpt werden. Diese Pumpleistung muss von einem Impulsleistungsmodul erzeugt werden. Als Schaltelement gebräuchlich sind Thyratrons, Niederdruckschaltröhren, deren Lebensdauer jedoch sehr limitiert ist. Deshalb haben sich seit Mitte der 1990iger Jahre Halbleiterschalter mit Pulskompressionsstufen auch in dieser Anwendung mehr und mehr durchgesetzt. In dieser Arbeit wird versucht, die Pulskompression durch einen direkt schaltenden Halbleiterstapel zu ersetzen und dadurch die Verluste zu reduzieren sowie den Aufwand für diese Pulskompression einzusparen. Zudem kann auch die maximal mögliche Repetitionsrate erhöht werden. Um die Belastung der Bauelemente zu berechnen, wurden für alle Komponenten möglichst einfache, aber leistungsfähige Modelle entwickelt. Da die normalerweise verfügbaren Daten der Bauelemente sich aber auf andere Applikationen beziehen, mussten für alle Bauteile grundlegende Messungen im Zeitbereich der späteren Applikation gemacht werden. Für die nichtlinearen Induktivitäten wurde ein einfaches Testverfahren entwickelt um die Verluste bei sehr hohen Magnetisierungsgeschwindigkeiten zu bestimmen. Diese Messungen sind die Grundlagen für das Modell, das im Wesentlichen eine stromabhängige Induktivität beschreibt. Dieses Modell wurde für den „magnetic assist“ benützt, der die Einschaltverluste in den Halbleitern reduziert. Die Impulskondensatoren wurden ebenfalls mit einem in der Arbeit entwickelten Verfahren nahe den späteren Einsatzparametern vermessen. Dabei zeigte sich, dass die sehr gebräuchlichen Class II Keramikkondensatoren für diese Anwendung nicht geeignet sind. In der Arbeit wurden deshalb Class I Hochspannungs- Vielschicht- Kondensatoren als Speicherbank verwendet, die ein deutlich besseres Verhalten zeigen. Die eingesetzten Halbleiterelemente wurden ebenfalls in einem Testverfahren nahe den späteren Einsatzparametern vermessen. Dabei zeigte sich, dass nur moderne Leistungs-MOSFET´s für diesen Einsatz geeignet sind. Bei den Dioden ergab sich, dass nur Siliziumkarbid (SiC) Schottky Dioden für die Applikation einsetzbar sind. Für die Anwendung sind prinzipiell verschiedene Topologien möglich. Bei näherer Betrachtung zeigt sich jedoch, dass nur die C-C Transfer Anordnung die gewünschten Ergebnisse liefern kann. Diese Topologie wurde realisiert. Sie besteht im Wesentlichen aus einer Speicherbank, die vom Netzteil aufgeladen wird. Aus dieser wird dann die Energie in den Laserkopf über den Schalter transferiert. Aufgrund der hohen Spannungen und Ströme müssen 24 Schaltelemente in Serie und je 4 parallel geschaltet werden. Die Ansteuerung der Schalter wird über hochisolierende „Gate“-Transformatoren erreicht. Es zeigte sich, dass eine sorgfältig ausgelegte dynamische und statische Spannungsteilung für einen sicheren Betrieb notwendig ist. In der Arbeit konnte ein Betrieb mit realer Laserkammer als Last bis 6 kHz realisiert werden, der nur durch die maximal mögliche Repetitionsrate der Laserkammer begrenzt war.

Modification and Analysis of Group-13-Nitride Semiconductor Surfaces: Influence of Adsorbates on Device Characteristics and Processing

Im Rahmen dieser interdisziplinären Doktorarbeit wird eine (Al)GaN Halbleiteroberflächenmodifikation untersucht, mit dem Ziel eine verbesserte Grenzfläche zwischen dem Material und dem Dielektrikum zu erzeugen. Aufgrund von Oberflächenzuständen zeigen GaN basierte HEMT Strukturen üblicherweise große Einsatzspannungsverschiebungen. Bisher wurden zur Grenzflächenmodifikation besonders die Entfernung von Verunreinigungen wie Sauerstoff oder Kohlenstoff analysiert. Die nasschemischen Oberflächenbehandlungen werden vor der Abscheidung des Dielektrikums durchgeführt, wobei die Kontaminationen jedoch nicht vollständig entfernt werden können. In dieser Arbeit werden Modifikationen der Oberfläche in wässrigen Lösungen, in Gasen sowie in Plasma analysiert. Detaillierte Untersuchungen zeigen, dass die inerte (0001) c-Ebene der Oberfläche kaum reagiert, sondern hauptsächlich die weniger polaren r- und m- Ebenen. Dies kann deutlich beim Defektätzen sowie bei der thermischen Oxidation beobachtet werden. Einen weiteren Ansatz zur Oberflächenmodifikation stellen Plasmabehandlungen dar. Hierbei wird die Oberflächenterminierung durch eine nukleophile Substitution mit Lewis Basen, wie Fluorid, Chlorid oder Oxid verändert, wodurch sich die Elektronegativitätsdifferenz zwischen dem Metall und dem Anion im Vergleich zur Metall-Stickstoff Bindung erhöht. Dies führt gleichzeitig zu einer Erhöhung der Potentialdifferenz des Schottky Kontakts. Sauerstoff oder Fluor besitzen die nötige thermische Stabilität um während einer Silicium-nitridabscheidung an der (Al)GaN Oberfläche zu bleiben. Sauerstoffvariationen an der Oberfläche werden in NH3 bei 700°C, welches die nötigen Bedingungen für die Abscheidung darstellen, immer zu etwa 6-8% reduziert – solche Grenzflächen zeigen deswegen auch keine veränderten Ergebnisse in Einsatzspannungsuntersuchungen. Im Gegensatz dazu zeigt die fluorierte Oberfläche ein völlig neues elektrisches Verhalten: ein neuer dominanter Oberflächendonator mit einem schnellen Trapping und Detrapping Verhalten wird gefunden. Das Energieniveau dieses neuen, stabilen Donators liegt um ca. 0,5 eV tiefer in der Bandlücke als die ursprünglichen Energieniveaus der Oberflächenzustände. Physikalisch-chemische Oberflächen- und Grenzflächenuntersuchung mit XPS, AES oder SIMS erlauben keine eindeutige Schlussfolgerung, ob das Fluor nach der Si3N4 Abscheidung tatsächlich noch an der Grenzfläche vorhanden ist, oder einfach eine stabilere Oberflächenrekonstruktion induziert wurde, bei welcher es selbst nicht beteiligt ist. In beiden Fällen ist der neue Donator in einer Konzentration von 4x1013 at/cm-2 vorhanden. Diese Dichte entspricht einer Oberflächenkonzentration von etwa 1%, was genau an der Nachweisgrenze der spektroskopischen Methoden liegt. Jedoch werden die elektrischen Oberflächeneigenschaften durch die Oberflächenmodifikation deutlich verändert und ermöglichen eine potentiell weiter optimierbare Grenzfläche.

Efectos sesión por sesión de la depilación láser en axilas

Los resultados en depilación láser son variables entre los diferentes equipos y pacientes, alcanzando reducciones de hasta el 25% por sesión en la literatura disponible. En la práctica clínica se utiliza el conteo de pelos como instrumento para modificar parámetros de tratamiento y realizar cambios o combinaciones de los láseres con el fin de alcanzar la máxima reducción posible. Materiales y métodos: En una cohorte histórica se analizaron 298 sesiones (79 pacientes) a los que se determinó variables clínicas registradas de reducción de pelo con tres láseres diferentes, junto a parámetros para cada uno de los equipos, a un intervalo máximo de 90 días entre cada sesión. Resultados: Se evaluaron 79 mujeres para un total de 298 sesiones, con un rango de edad entre los 18 y 67 años, fototipo de piel III-V, intervalo entre sesiones de 14 a 90 días. Los equipos utilizados fueron Soprano XLi® (64.7%), Lightsheer® (18.4%) y Alexandrita (16.9%). Los promedios de reducción fueron en la primera sesión 43.3±32%, segunda sesión 55.8±42.1%, tercera sesión 48.1±16%, cuarta sesión 51.8±26.6%, quinta sesión 61.2±26.7%.(p<0.001). Se encontró una baja incidencia de complicaciones (7.6% de pacientes), siendo significativa la presencia de éstas con Lightsheer® y Alexandrita, a diferencia del Soprano®. Discusión: Éste estudio longitudinal mostró altas reducciones sesión a sesión comparadas con las disponibles en la literatura, independientemente del equipo utilizado. Soprano® presentó un mejor perfil de seguridad que Lightsheer® y Alexandrita.

La orientación en Galicia.

Resumen basado en el de la revista. Simposio del X Congreso Nacional de Modelos de Investigación Educativa

Módulo Activo Recreo Activo -MARA: una estrategia para incrementar la actividad física en niños y niñas de 5º grado en Bogotá.

Objetivo: Evaluar la efectividad de MARA (Modulo Activo Recreo Activo), sobre el tiempo de actividad física moderada vigorosa (AFMV) y de comportamiento sedentario de niños y niñas de 5º grado en 2 instituciones educativas oficiales de la ciudad de Bogotá. Materiales y métodos: Los participantes fueron 128 niños entre 10 y 12 años de edad, de 5to grado que asisten a dos colegios públicos en la localidad de San Cristóbal en Bogotá. La actividad física de los niños fue medida con acelerómetro GT3X+, durante 7 días entre julio y octubre de 2013. Uno de los colegios fue seleccionado aleatoriamente para ser intervenido por Muévete Escolar y su Módulo Activo Recreo Activo (MARA), (CIM) y otro colegio fue el grupo control (CC). El tiempo gastado en actividad física durante el día y en el momento de recreo fue medido antes y en la semana 10 después de la intervención: sedentario ( SED), actividad física leve ( AFL), actividad física moderada(AFM), actividad física vigorosa(AFV) y actividad física moderada a vigorosa (AFMV). Resultados: Posterior al análisis estadístico a través de modelos mixtos multinivel para ajustar por el efecto de conglomerado, se observó diferencia significativa entre CIM y CC (p < 0.0049) representado por incremento en los minutos de AFMV en CIM. Después de la intervención, los CMI disminuyeron los minutos de comportamiento sedentario (p= 0.0029), comparativamente con los CC. Conclusiones: El presente estudio contribuye a investigar sobre los efectos a corto plazo de modificar el momento del recreo, mediante la implementación de actividades guiadas, supervisadas y con el uso de materiales y equipos de juego. Los resultados del estudio sugieren que los efectos de la intervención con MARA fueron significativos especialmente en promover la práctica de AF diaria logrando incrementar los minutos de AFMV diaria, y así mismo disminuyendo comportamiento sedentario en el día. .

Del discurso del desarrollo al buen vivir: una aproximación con enfoque étnico diferencial a la intervención megaminera en el Alto Putumayo

Este estudio de caso aborda el tema de las alternativas al desarrollo convencional, concretamente el concepto de Buen Vivir- Sumak Kawsay, a la luz de la descripción y el análisis de los impactos del auge minero en la región del Alto Putumayo, territorio ancestral de los pueblos indígenas Inga y Camëntsá. Este trabajo quiere mostrar que la apuesta por un modelo económico extractivista, está inspirado en un plan de dominación global de recursos naturales por parte del algunas potencias, que a través del neoliberalismo económico y la globalización han desplegado estrategias de acumulación por desposesión en el Alto Putumayo. Este trabajo cuestiona las raíces históricas del discurso del desarrollo, que legitima las prácticas extractivas y excluye los saberes locales, a la luz de la experiencia recolectada en campo, donde sobresalen los procesos de resistencia de las comunidades por la defensa de la vida y territorio.

Índice de adiposidad corporal como predictor de obesidad y de síndrome metabólico en adultos de Bogotá, Colombia

Recientemente, Bergman et al. desarrollaron el índice de adiposidad corporal (IAC), como un marcador de obesidad por exceso de grasa corporal en la práctica clínica. En este estudio se evaluó la validez del IAC como marcador de obesidad por exceso de adiposidad, además de examinar la capacidad predictiva del IAC con componentes e índices metabólicos asociados al SM en adultos de Bogotá, Colombia.