Indagación sobre la naturalización de las prácticas : La práctica de la enseñanza del fútbol y el orden del discurso

Esta pequeña investigación que realicé sobre la práctica de enseñanza del Fútbol, tendrá como objetivo descubrir e interpretar por qué este deporte, tan popular por cierto y apasionante para toda la humanidad, se ha investigado haciendo hincapié en lo biológico y psicológico, apelando a modelos tecnocráticos que restringen y limitan la enseñanza a la transmisión de técnicas, dejando afuera los factores culturales y sociales que se encuentran en las prácticas. Por eso pienso que esta investigación aportará e implicará una (re)visión crítica sobre el problema de la enseñanza del fútbol mediante la recuperación de prácticas que permiten suponer, que diversos conceptos que se han naturalizado en las experiencias de los entrenadores y profesores en Educación Física sin los debidos análisis. Realizaré una indagación sobre los términos de enseñanza y aprendizaje, cómo son tomados cada uno en la práctica entendida en sentido amplio, cómo funcionan, qué importancia se les ha dado a cada uno de los conceptos, llevándonos a decir que se ha construido la enseñanza (descriptiva) en relación directa (causal) con las teorías del aprendizaje (prescriptiva). También abordaré tres textos que están vinculados a cada una de las formas de pensar que encontró el grupo de Investigación en Educación Corporal, realizando un análisis de tipo genealógico, tratando de interpretar la influencia de estos pensamientos en la enseñanza del fútbol, como en la construcción de los conceptos para decir que las prácticas discursivas son tomadas de otros campos para figurar y configurar una manera de enseñar y pensar el fútbol.

Carmen de Carlos Saura : El personaje de Antonio en diálogo con el pasado literario y operístico

Nos proponemos en este trabajo analizar la lectura que el cineasta español Carlos Saura realiza, hacia 1983, de dos textos que preceden al film: la nouvelle 'Carmen' de Próspero Mérimée, de 1845, y la ópera del mismo nombre, estrenada en Francia en 1875, de Georges Bizet. Estas dos obras constituyen una referencialas necesaria en este trabajo, pero nuestro análisis focaliza la original construcción que el cineasta español hace del personaje de Antonio. Consideramos que la 'Carmen' de Carlos Saura y el tratamiento que le da al coprotagonista de la historia, nos enfrenta a un nuevo fenómeno estético que desestabiliza los términos de lo convencional. Intermedialidad, intertextualidad, arte postmoderno son categorías teóricas que nos permiten hacer una lectura del film, a través del tratamiento particular que Saura da a la figura de Antonio, para poner en evidencia la complejidad de la relación cine-literatura

Carmen de Carlos Saura : El personaje de Antonio en diálogo con el pasado literario y operístico

Nos proponemos en este trabajo analizar la lectura que el cineasta español Carlos Saura realiza, hacia 1983, de dos textos que preceden al film: la nouvelle 'Carmen' de Próspero Mérimée, de 1845, y la ópera del mismo nombre, estrenada en Francia en 1875, de Georges Bizet. Estas dos obras constituyen una referencialas necesaria en este trabajo, pero nuestro análisis focaliza la original construcción que el cineasta español hace del personaje de Antonio. Consideramos que la 'Carmen' de Carlos Saura y el tratamiento que le da al coprotagonista de la historia, nos enfrenta a un nuevo fenómeno estético que desestabiliza los términos de lo convencional. Intermedialidad, intertextualidad, arte postmoderno son categorías teóricas que nos permiten hacer una lectura del film, a través del tratamiento particular que Saura da a la figura de Antonio, para poner en evidencia la complejidad de la relación cine-literatura

Indagación sobre la naturalización de las prácticas : La práctica de la enseñanza del fútbol y el orden del discurso

Esta pequeña investigación que realicé sobre la práctica de enseñanza del Fútbol, tendrá como objetivo descubrir e interpretar por qué este deporte, tan popular por cierto y apasionante para toda la humanidad, se ha investigado haciendo hincapié en lo biológico y psicológico, apelando a modelos tecnocráticos que restringen y limitan la enseñanza a la transmisión de técnicas, dejando afuera los factores culturales y sociales que se encuentran en las prácticas. Por eso pienso que esta investigación aportará e implicará una (re)visión crítica sobre el problema de la enseñanza del fútbol mediante la recuperación de prácticas que permiten suponer, que diversos conceptos que se han naturalizado en las experiencias de los entrenadores y profesores en Educación Física sin los debidos análisis. Realizaré una indagación sobre los términos de enseñanza y aprendizaje, cómo son tomados cada uno en la práctica entendida en sentido amplio, cómo funcionan, qué importancia se les ha dado a cada uno de los conceptos, llevándonos a decir que se ha construido la enseñanza (descriptiva) en relación directa (causal) con las teorías del aprendizaje (prescriptiva). También abordaré tres textos que están vinculados a cada una de las formas de pensar que encontró el grupo de Investigación en Educación Corporal, realizando un análisis de tipo genealógico, tratando de interpretar la influencia de estos pensamientos en la enseñanza del fútbol, como en la construcción de los conceptos para decir que las prácticas discursivas son tomadas de otros campos para figurar y configurar una manera de enseñar y pensar el fútbol.

Si(100) versus Ge(100): Watching the interface formation for the growth of III-V-based solar cells on abundant substrates

We investigated the atomic surface properties of differently prepared silicon and germanium (100) surfaces during metal-organic vapour phase epitaxy/chemical vapour deposition (MOVPE/MOCVD), in particular the impact of the MOVPE ambient, and applied reflectance anisotropy/difference spectroscopy (RAS/RDS) in our MOVPE reactor to in-situ watch and control the preparation on the atomic length scale for subsequent III-V-nucleation. The technological interest in the predominant opto-electronic properties of III-V-compounds drives the research for their heteroepitaxial integration on more abundant and cheaper standard substrates such as Si(100) or Ge(100). In these cases, a general task must be accomplished successfully, i.e. the growth of polar materials on non-polar substrates and, beyond that, very specific variations such as the individual interface formation and the atomic step structure, have to be controlled. Above all, the method of choice to grow industrial relevant high-performance device structures is MOVPE, not normally compatible with surface and interface sensitive characterization tools, which are commonly based on ultrahigh vacuum (UHV) ambients. A dedicated sample transfer system from MOVPE environment to UHV enabled us to benchmark the optical in-situ spectra with results from various surfaces science instruments without considering disruptive contaminants. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) provided direct observation of different terminations such as arsenic and phosphorous and verified oxide removal under various specific process parameters. Absorption lines in Fourier-transform infrared (FTIR) spectra were used to identify specific stretch modes of coupled hydrides and the polarization dependence of the anti-symmetric stretch modes distinguished different dimer orientations. Scanning tunnelling microscopy (STM) studied the atomic arrangement of dimers and steps and tip-induced H-desorption proved the saturation of dangling bonds after preparati- n. In-situ RAS was employed to display details transiently such as the presence of H on the surface at lower temperatures (T <; 800°C) and the absence of Si-H bonds at elevated annealing temperature and also surface terminations. Ge buffer growth by the use of GeH4 enables the preparation of smooth surfaces and leads to a more pronounced amplitude of the features in the spectra which indicates improvements of the surface quality.

Integration of III-V materials on Silicon Substrates for Multi-junction Solar Cell Applications

The work presented here aims to reduce the cost of multijunction solar cell technology by developing ways to manufacture them on cheap substrates such as silicon. In particular, our main objective is the growth of III-V semiconductors on silicon substrates for photovoltaic applications. The goal is to create a GaAsP/Si virtual substrates onto which other III-V cells could be integrated with an interesting efficiency potential. This technology involves several challenges due to the difficulty of growing III-V materials on silicon. In this paper, our first work done aimed at developing such structure is presented. It was focused on the development of phosphorus diffusion models on silicon and on the preparation of an optimal silicon surface to grow on it III-V materials.

XPS as Characterization Tool for PV: From the Substrate to Complete III-V Multijunction Solar Cells

This contribution aims to illustrate the potential of the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) technique as a tool to analyze different parts of a solar cell (surface state, heterointerfaces, profile composition of ohmic contacts, etc). Here, the analysis is specifically applied to III-V multijunction solar cells used in concentrator systems. The information provided from such XPS analysis has helped to understand the physico-chemical nature of these surfaces and interfaces, and thus has guided the technological process in order to improve the solar cell performance.

Statistical Calculation of the Main Reliability Functions of GaAs Concentrator III-V Solar Cells

This paper presents some of the results of a method to determine the main reliability functions of concentrator solar cells. High concentrator GaAs single junction solar cells have been tested in an Accelerated Life Test. The method can be directly applied to multi-junction solar cells. The main conclusions of this test carried out show that these solar cells are robust devices with a very low probability of failure caused by degradation during their operation life (more than 30 years). The evaluation of the probability operation function (i.e. the reliability function R(t)) is obtained for two nominal operation conditions of these cells, namely simulated concentration ratios of 700 and 1050 suns. Preliminary determination of the Mean Time to Failure indicates a value much higher than the intended operation life time of the concentrator cells.

Crecimiento, fabricación y caracterización de heteroestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras

Esta memoria está basada en el crecimiento y caracterización de heteroestructuras Al(Ga)N/GaN y nanocolumnas ordenadas de GaN, y su aplicación en sensores químicos. El método de crecimiento ha sido la epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (PAMBE). En el caso de las heteroestructuras Al(Ga)N/GaN, se han crecido barreras de distinto espesor y composición, desde AlN de 5 nm, hasta AlGaN de 35 nm. Además de una caracterización morfológica, estructural y eléctrica básica de las capas, también se han fabricado a partir de ellas dispositivos tipo HEMTs. La caracterización eléctrica de dichos dispositivos (carga y movilidad de en el canal bidimensional) indica que las mejores heteroestructuras son aquellas con un espesor de barrera intermedio (alrededor de 20 nm). Sin embargo, un objetivo importante de esta Tesis ha sido verificar las ventajas que podían tener los sensores basados en heteroestructuras AlN/GaN (frente a los típicos basados en AlGaN/GaN), con espesores de barrera muy finos (alrededor de 5 nm), ya que el canal de conducción que se modula por efecto de cambios químicos está más cerca de la superficie en donde ocurren dichos cambios químicos. De esta manera, se han utilizado los dispositivos tipo HEMTs como sensores químicos de pH (ISFETs), y se ha comprobado la mayor sensibilidad (variación de corriente frente a cambios de pH, Ids/pH) en los sensores basados en AlN/GaN frente a los basados en AlGaN/GaN. La mayor sensibilidad es incluso más patente en aplicaciones en las que no se utiliza un electrodo de referencia. Se han fabricado y caracterizado dispositivos ISFET similares utilizando capas compactas de InN. Estos sensores presentan peor estabilidad que los basados en Al(Ga)N/GaN, aunque la sensibilidad superficial al pH era la misma (Vgs/pH), y su sensibilidad en terminos de corriente de canal (Ids/pH) arroja valores intermedios entre los ISFET basados en AlN/GaN y los valores de los basados en AlGaN/GaN. Para continuar con la comparación entre dispositivos basados en Al(Ga)N/GaN, se fabricaron ISFETs con el área sensible más pequeña (35 x 35 m2), de tamaño similar a los dispositivos destinados a las medidas de actividad celular. Sometiendo los dispositivos a pulsos de voltaje en su área sensible, la respuesta de los dispositivos de AlN presentaron menor ruido que los basados en AlGaN. El ruido en la corriente para dispositivos de AlN, donde el encapsulado no ha sido optimizado, fue tan bajo como 8.9 nA (valor rms), y el ruido equivalente en el potencial superficial 38.7 V. Estos valores son más bajos que los encontrados en los dispositivos típicos para la detección de actividad celular (basados en Si), y del orden de los mejores resultados encontrados en la literatura sobre AlGaN/GaN. Desde el punto de vista de la caracterización electro-química de las superficies de GaN e InN, se ha determinado su punto isoeléctrico. Dicho valor no había sido reportado en la literatura hasta el momento. El valor, determinado por medidas de “streaming potential”, es de 4.4 y 4 respectivamente. Este valor es una importante característica a tener en cuenta en sensores, en inmovilización electrostática o en la litografía coloidal. Esta última técnica se discute en esta memoria, y se aplica en el último bloque de investigación de esta Tesis (i.e. crecimiento ordenado). El último apartado de resultados experimentales de esta Tesis analiza el crecimiento selectivo de nanocolumnas ordenadas de GaN por MBE, utilizando mascaras de Ti con nanoagujeros. Se ha estudiado como los distintos parámetros de crecimiento (i.e. flujos de los elementos Ga y N, temperatura de crecimiento y diseño de la máscara) afectan a la selectividad y a la morfología de las nanocolumnas. Se ha conseguido con éxito el crecimiento selectivo sobre pseudosustratos de GaN con distinta orientación cristalina o polaridad; templates de GaN(0001)/zafiro, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000-1)/Si y GaN(11-20)/zafiro. Se ha verificado experimentalmente la alta calidad cristalina de las nanocolumnas ordenadas, y su mayor estabilidad térmica comparada con las capas compactas del mismo material. Las nanocolumnas ordenadas de nitruros del grupo III tienen una clara aplicación en el campo de la optoelectrónica, principalmente para nanoemisores de luz blanca. Sin embargo, en esta Tesis se proponen como alternativa a la utilización de capas compactas o nanocolumnas auto-ensambladas en sensores. Las nanocolumnas auto-ensambladas de GaN, debido a su alta razón superficie/volumen, son muy prometedoras en el campo de los sensores, pero su amplia dispersión en dimensiones (altura y diámetro) supone un problema para el procesado y funcionamiento de dispositivos reales. En ese aspecto, las nanocolumnas ordenadas son más robustas y homogéneas, manteniendo una alta relación superficie/volumen. Como primer experimento en el ámbito de los sensores, se ha estudiado como se ve afectada la emisión de fotoluminiscencia de las NCs ordenadas al estar expuestas al aire o al vacio. Se observa una fuerte caída en la intensidad de la fotoluminiscencia cuando las nanocolumnas están expuestas al aire (probablemente por la foto-adsorción de oxigeno en la superficie), como ya había sido documentado anteriormente en nanocolumnas auto-ensambladas. Este experimento abre el camino para futuros sensores basados en nanocolumnas ordenadas. Abstract This manuscript deals with the growth and characterization of Al(Ga)N/GaN heterostructures and GaN ordered nanocolumns, and their application in chemical sensors. The growth technique has been the plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). In the case of Al(Ga)N/GaN heterostructures, barriers of different thickness and composition, from AlN (5 nm) to AlGaN (35 nm) have been grown. Besides the basic morphological, structural and electrical characterization of the layers, HEMT devices have been fabricated based on these layers. The best electrical characteristics (larger carriers concentration and mobility in the two dimensional electron gas) are those in AlGaN/GaN heterostructures with a medium thickness (around 20 nm). However, one of the goals of this Thesis has been to verify the advantages that sensors based on AlN/GaN (thickness around 7 nm) have compared to standard AlGaN/GaN, because the conduction channel to be modulated by chemical changes is closer to the sensitive area. In this way, HEMT devices have been used as chemical pH sensors (ISFETs), and the higher sensitivity (conductance change related to pH changes, Ids/pH) of AlN/GaN based sensors has been proved. The higher sensibility is even more obvious in application without reference electrode. Similar ISFETs devices have been fabricated based on InN compact layers. These devices show a poor stability, but its surface sensitivity to pH (Vgs/pH) and its sensibility (Ids/pH) yield values between the corresponding ones of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures. In order to a further comparison between Al(Ga)N/GaN based devices, ISFETs with smaller sensitive area (35 x 35 m2), similar to the ones used in cellular activity record, were fabricated and characterized. When the devices are subjected to a voltage pulse through the sensitive area, the response of AlN based devices shows lower noise than the ones based on AlGaN. The noise in the current of such a AlN based device, where the encapsulation has not been optimized, is as low as 8.9 nA (rms value), and the equivalent noise to the surface potential is 38.7 V. These values are lower than the found in typical devices used for cellular activity recording (based on Si), and in the range of the best published results on AlGaN/GaN. From the point of view of the electrochemical characterization of GaN and InN surfaces, their isoelectric point has been experimentally determined. Such a value is the first time reported for GaN and InN surfaces. These values are determined by “streaming potential”, being pH 4.4 and 4, respectively. Isoelectric point value is an important characteristic in sensors, electrostatic immobilization or in colloidal lithography. In particular, colloidal lithography has been optimized in this Thesis for GaN surfaces, and applied in the last part of experimental results (i.e. ordered growth). The last block of this Thesis is focused on the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE, using Ti masks decorated with nanoholes. The effect of the different growth parameters (Ga and N fluxes, growth temperature and mask design) is studied, in particular their impact in the selectivity and in the morphology of the nanocolumns. Selective area growth has been successful performed on GaN templates with different orientation or polarity; GaN(0001)/sapphire, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000- 1)/Si and GaN(11-20)/sapphire. Ordered nanocolumns exhibit a high crystal quality, and a higher thermal stability (lower thermal decomposition) than the compact layers of the same material. Ordered nanocolumns based on III nitrides have a clear application in optoelectronics, mainly for white light nanoemitters. However, this Thesis proposes them as an alternative to compact layers and self-assembled nanocolumns in sensor applications. Self-assembled GaN nanocolumns are very appealing for sensor applications, due to their large surface/volume ratio. However, their large dispersion in heights and diameters are a problem in terms of processing and operation of real devices. In this aspect, ordered nanocolumns are more robust and homogeneous, keeping the large surface/volume ratio. As first experimental evidence of their sensor capabilities, ordered nanocolumns have been studied regarding their photoluminiscence on air and vacuum ambient. A big drop in the intensity is observed when the nanocolumns are exposed to air (probably because of the oxygen photo-adsortion), as was already reported in the case of self-assembled nanocolumns. This opens the way to future sensors based on ordered III nitrides nanocolumns.

Historia apologética y descripción del Reyno de Navarra y de su mucha antigüedad, nobleza, calidades, y Reyes que dieron principio a su Real casa, y procuraron sus acrecentamientos... : dividida en III libros... / sacada a luz por García de Góngora y Torreblanca.

Sign.: [cruz latina]6, A8, B12, C-D8, E9, F-O8, P4, [calderón]2

Historia, y milagros de la prodigiosa imagen de Nuestra Señora de Begoña, especial abogada, y protectora del muy noble, y muy leal Señorio de Vizcaya / compuesta por el M.R.P. lector Fray Thomas de Granda, del Orden de predicadores, ... ; y sacada à luz,

Sign.: []1, A4, [calderón]9, A-Z4, 2A-2S4

ARXPS analysis of a GaAs/GaInP heterointerface with application in III-V multijunction solar cells

In this contribution, angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy is used to explore the extension and nature of a GaAs/GaInP heterointerface. This bilayer structure constitutes a very common interface in a multilayered III-V solar cell. Our results show a wide indium penetration into the GaAs layer, while phosphorous diffusion is much less important. The physico-chemical nature of such interface and its depth could deleteriously impact the solar cell performance. Our results probe the formation of spurious phases which may profoundly affect the interface behavior.