树突状细胞体外分化成熟的时程、mi/mRNA 表达谱分析和共生菌影响的研究

树突状细胞（dendritic cells, DC）作为机体天然免疫和获得性免疫反应的桥梁和枢纽，发挥着重要的启动和调控作用。随着体外诱导方法的建立和生物学技术的进步，有关DC 的基础生物学研究得到了快速的发展，在诱导方法、个体发生及基因表达和调控等方面，涌现出很多新的、未解的关键问题。同时，随着对粘膜免疫机理研究的深入，DC 在粘膜生态环境中的功能和影响，渐已成为免疫学研究前沿领域中的热点和要点。在本研究中，为了确定DC 体外分化成熟的最短时程，同时为了研究DC 分化成熟相关的基因表达调控，我们建立了快速的DC 体外诱导方法，分析了体外快速诱导 DC 的mi/mRNA 表达谱。此外，在原始分离的女性生殖道共生乳酸杆菌的基础上，以THP-1作为DC 前体细胞的细胞系模型，开展了女性生殖道共生乳酸杆菌刺激活化 THP-1 的研究，希望能够为乳酸杆菌作为生殖道粘膜免疫疫苗的应用提供理论基础。首先，采用外周血单个核细胞（peripheral blood mononuclear cells, PBMC）来源的CD14+细胞为DC 前体，经过GM-CSF 和IL-4 的刺激，1-6 天后得到未成熟DC （immature dendritic cells, iDC），并经成熟因子（TNF-α, IL-1β, IL-6 与PGE2）诱导 1-2 天后，获得成熟DC（mature dendritic cells, mDC）。经过比较和分析，明确了完全分化和成熟各2 天，即“2+2”，为DC 诱导分化的最佳和最短时程，从而证实和建立了DC 体外快速诱导的体系和方法。该方法获得的iDC 与mDC，具有与传统的“6+2” 方法获得的DC 相同的形态与表型，而且，利用该方法获得的DC 总数高于“1+1”， “1+2”与“6+2”的方法，为DC 的生物学研究提供了基础数据。我们进而采用芯片技术，对体外快速分化成熟的DC 进行了mi/mRNA 表达谱分析，确定了DC 不同分化发育阶段特征性的mi/mRNA 表达差异。结果发现，与CD14+ 单核细胞即DC 前体相比，iDC 与mDC 之间具有更加相近的mi/mRNA 表达方式。 miRNA 表达谱分析则表明，不同的miRNA 表达与DC 的不同分化和发育阶段相关。而且，位于同一基因簇内的miRNA，呈现协同表达的情况。特别值得注意的是，本研究发现了在DC 的某些发育阶段特异表达的miRNA，它们在DC 发育过程中的功能，还未得到诠释，它们在DC 某些分化阶段的特异表达，提示了DC 各分化阶段的相关性与特异性。结合mRNA 表达谱分析，我们发现miRNA 的表达与其目的基因的表达在mRNA 水平呈现负相关的特性。同时，免疫相关mRNA 与miRNA 在DC 体外不同发育阶段的表达亦呈现差异，其中，miRNA（如hsa-miR-181a, hsa-miR-223, hsa-miR-155, hsa-miR-146, hsa-miR-106a 与hsa-miR-20a 等）与mRNA（如ALM1 等）参与了特定的与免疫相关的GO（Gene Ontology）与通路（Pathway），提示这些miRNA 与mRNA 可能通过不同的方式调节控制着DC 的体外诱导过程。在有关粘膜生态环境中DC 的分化、成熟及其功能影响的研究中，我们首先通过各种乳酸杆菌鉴定方法的综合应用，确定了6 种原始分离的女性生殖道主要共生乳酸杆菌：发酵乳酸杆菌（L.Fermentum）、约氏乳酸杆菌（L.Johnsonni）、卷曲乳酸杆菌（L.Crispatus）、革氏乳酸杆菌（L.Gasseri）、詹氏乳酸杆菌（L.Jensenii）与德氏乳酸杆菌（L.Delbrueckii ）。其中，德氏乳酸杆菌（L.Delbrueckii）和发酵乳酸杆菌（L.Fermentum）具有较高的产H2O2 的能力。在此基础上，我们在与THP-1 的共同培养体系中，将乳酸杆菌对DC 前体的作用和影响进行了比较和研究。结果发现，L.Crispatus 在分离的各原始菌株中，具有最强的刺激THP-1 活化的能力，而且，在相同刺激比例下，L.Crispatus 活菌具有比死菌更强的免疫刺激能力，表现为明显上调THP-1 细胞表面标志CD40、CD80、CD86、 CD1a、CCR6 与CD324 的表达水平，同时可诱导活化THP-1 上调表达Th1 型细胞因子。通过FITC-Dextran 吞噬实验，我们发现，经过L.Crispatus 刺激的THP-1 细胞，其吞噬外来抗原的能力明显下降，但尚未检测到经过活化的THP-1 细胞刺激T 细胞增殖的能力。通过流式细胞术分析的方法，我们检测了TLR1、TLR2、TLR4 与TLR6 在不同的刺激分化阶段的表达水平，结果表明，THP-1 主要通过TLR2 与TLR6 识别女性生殖道L.Crispatus。综上所述，本研究首先通过对DC 体外分化成熟的最短时程的分析，确立了快速诱导DC 的最佳方法，进而利用芯片技术，研究了快速诱导DC 的mi/mRNA 表达谱，揭示了DC 体外分化发育过程中可能的调控途径，为进一步研究DC 的基础生物学提供了恰当的模型和具有指向性的线索。同时，通过与DC 前体THP-1 的共同培养体系，证实了生殖道共生乳酸杆菌的免疫调节作用，为以乳酸杆菌为载体的生殖道粘膜免疫疫苗的研究和应用提供了实验依据

SHEAR-DEFORMATION-POTENTIAL CONSTANT OF THE CONDUCTION-BAND MINIMA OF SI - EXPERIMENTAL-DETERMINATION BY THE DEEP-LEVEL CAPACITANCE TRANSIENT METHOD

The shear-deformation-potential constant XI-u of the conduction-band minima of Si has been measured by a method which we called deep-level capacitance transient under uniaxial stress. The uniaxial-stress (F) dependence of the electron emission rate e(n) from deep levels to the split conduction-band minima of Si has been analyzed. Theoretical curves are in good agreement with experimental data for the S0 and S+ deep levels in Si. The values of XI-u obtained by the method are 11.1 +/- 0.3 eV at 148.9 K and 11.3 +/- 0.3 eV at 223.6 K. The analysis and the XI-u values obtained are also valuable for symmetry determination of deep electron traps in Si.

STUDY OF THE LONG-TERM STABILITY OF THE EFFECTIVE CONCENTRATION OF IONIZED SPACE CHARGES (N-EFF) OF NEUTRON-IRRADIATED SILICON DETECTORS FABRICATED BY VARIOUS THERMAL-OXIDATION PROCESSES

Experimental study of the reverse annealing of the effective concentration of ionized space charges (N-eff, also called effective doping or impurity concentration) of neutron irradiated high resistivity silicon detectors fabricated on wafers with various thermal oxides has been conducted at room temperature (RT) and elevated temperature (ET). Various thermal oxidations with temperatures ranging from 975 degrees C to 1200 degrees C with and without trichlorethane (TCA), which result in different concentrations of oxygen and carbon impurities, have been used. It has been found that, the RT annealing of the N-eff is hindered initially (t < 42 days after the radiation) for detectors made on the oxides with high carbon concentrations, and there was no carbon effect on the long term (t > 42 days after the radiation) N-eff reverse annealing. No apparent effect of oxygen on the stability of N-eff has been observed at RT. At elevated temperature (80 degrees C), no significant difference in annealing behavior has been found for detectors fabricated on silicon wafers with various thermal oxides. It is apparent that for the initial stages (first and/or second) of N-eff reverse annealing, there may tie no dependence on the oxygen and carbon concentrations in the ranges studied.

隔离反馈式开关电源的稳定性分析

由于开关电源的非线性,用包络方法对隔离反馈的开关电源的动态特性进行分析较为复杂,本文采用连续建模的状态空间平均法,建立了隔离反馈的正激式开关电源的小信号模型,并利用控制理论,分析了隔离反馈的开关电源的稳定性问题.研究表明,隔离反馈引入的延时,将会导致系统动态的性能的下降,严重时可能导致系统发生振荡,为此在设计时需考虑采用补偿的方法加以解决.

静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究

由于腔模与激子对压力的依赖关系不同，所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态，从而实现对耦合的调谐。利用这种办法，我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小，与以前报道的温度、电场等调谐方式相比，这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度，而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合，得出了正确的Rabi分裂值。

通过倾斜多晶硅p-n结光电器件提高光电转换性能

本研究针对多晶硅p-n结光伏器件开展工作。基于倾斜光电转换器件的思想，倾斜本研究采用的光电转换器件使入射光线与器件表面法线成75度的夹角，从而使红外光在器件内形成多次全反射。这种内部全反射增加了光在器件内的光程，使得光在器件内的吸收得以增加。从采光的角度上发现，倾斜多晶硅光电转换器件可使器件的光电转换效率提高15%。此外，还发现了由倾斜器件造成开路电压稍微减小的现象并给予了解释。

光生物传感技术与癌症易感性的检出

介绍了检测肿瘤易感个体的新方法-光生物传感技术。由此可作出细胞癌变的易感个体的预警,并给出针对性的预防措施。

一种纳米分辨率近场光学显微镜-光子扫描隧道显微镜

报导了一台光子扫描隧道显微镜。论述了原理，结构，光纤探针制造，信号放大以及调试中解决的几个技术问题等。图像的横向分辨率优于10nm,纵向分辨率约1nm，扫描范围10μm×10μm。还观察了云母、高密度乙烯HDPE高取向薄膜等透明材料及铌酸锂(LiNbO_3+T_i)波导的电光效应等。

Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots

The photoluminescence (PL) of In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As self-assembled quantum dots has been measured at 15 and 80 K under hydrostatic pressure. The lateral size of the dots ranges from 7 to 62 nm. The emissions from the dots with 26, 52 and 62 nm size have a blue shift under pressure, indicating that these quantum dots have the normal type-I structure with lowest conduction band at the Gamma -valley. However, the PL peak of dots with 7 nm diameter moves to lower energy with increasing pressure. It is a typical character for the X-related transition. Then these small dots have a type-II structure with the X-valley as the lowest conduction level. An envelope-function calculation confirms that the Gamma -like exciton transition energy will rise above the X-like transition energy in the In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As structure if the dot size is small enough.