通过倾斜多晶硅p-n结光电器件提高光电转换性能
| Data(s) |
2003
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| Resumo |
本研究针对多晶硅p-n结光伏器件开展工作。基于倾斜光电转换器件的思想，倾斜本研究采用的光电转换器件使入射光线与器件表面法线成75度的夹角，从而使红外光在器件内形成多次全反射。这种内部全反射增加了光在器件内的光程，使得光在器件内的吸收得以增加。从采光的角度上发现，倾斜多晶硅光电转换器件可使器件的光电转换效率提高15%。此外，还发现了由倾斜器件造成开路电压稍微减小的现象并给予了解释。 本研究针对多晶硅p-n结光伏器件开展工作。基于倾斜光电转换器件的思想，倾斜本研究采用的光电转换器件使入射光线与器件表面法线成75度的夹角，从而使红外光在器件内形成多次全反射。这种内部全反射增加了光在器件内的光程，使得光在器件内的吸收得以增加。从采光的角度上发现，倾斜多晶硅光电转换器件可使器件的光电转换效率提高15%。此外，还发现了由倾斜器件造成开路电压稍微减小的现象并给予了解释。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:34导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4973.pdf: 303198 bytes, checksum: 9739a4c5e9241978064ed69a7cd0e19e (MD5) Previous issue date: 2003 中国科学院院长基金资助项目 中国科学院半导体研究所;北京市太阳能研究所 中国科学院院长基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李建明;种明;衡扬;徐嘉东.通过倾斜多晶硅p-n结光电器件提高光电转换性能,光电子技术,2003,23(4):221-223 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
