SnO2 nanoparticles functionalized in amorphous silica and glass

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Very Intense Distinct Blue and Red Photoluminescence Emission in MgTiO3 Thin Films Prepared by the Polymeric Precursor Method: An Experimental and Theoretical Approach

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Effect of oxidizing atmosphere on ferroelectric and piezoelectric response of CaBi2Nb2O9 thin films

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Effect of niobium dopant on fatigue characteristics of BiFeO3 thin films grown on Pt electrodes

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Redução de crômio hexavalente por substâncias húmicas aquáticas imobilizadas em aminopropil sílica

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Eletrodo de pasta de carbono em minicavidade de contato sólido

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Relações solo-paisagem em topossequência de origem basáltica

Variações nos atributos do solo dependem da posição do solo na paisagem e processos de drenagem, erosão e deposição. Este estudo objetivou avaliar os atributos físicos e químicos do solo, em uma topossequência de origem basáltica, na região de Batatais (SP). A área possui relevo aplanado e altitude oscilando entre 740 m e 610 m, em região dominada por basaltos. Foi estabelecido caminhamento de 3.000 m, a partir do espigão da vertente, no seu declive mais suave. As superfícies geomórficas foram identificadas e delimitadas conforme critérios topográficos e estratigráficos, com base em intensas investigações detalhadas de campo. Foram coletadas amostras laterais aos perfis modais representativos das diversas superfícies geomórficas (S.G.) da topossequência (S.G. I = topo; S.G. II = meia encosta e sopé de transporte; S.G. III = ombro e sopé de deposição), totalizando 142 amostras. Além disto, foram abertas trincheiras, nos segmentos de vertente inseridos nas superfícies geomórficas mapeadas. As amostras coletadas foram analisadas quanto à densidade do solo, textura, bases trocáveis (Ca2+, K+ e Mg2+), soma de bases, capacidade de troca catiônica, saturação por bases, pH (água e KCl), SiO2, Al2O3, Fe2O3 (ataque por H2SO4), óxidos de Fe livres extraídos com ditionito-citrato-bicarbonato e Fe mal cristalizado extraído com oxalato de amônio. Os resultados revelaram que os solos oriundos de basalto apresentaram atributos físicos e químicos com comportamento dependente das formas do relevo. Com o uso de técnicas estatísticas multivariadas, foi possível distinguir três diferentes ambientes, que equivalem às três superfícies geomórficas.

Modelos de paisagem e susceptibilidade magnética na identificação e caracterização do solo

O conhecimento detalhado do solo e de seus atributos, ao longo da paisagem, é uma demanda permanente dos sistemas urbanos e agroindustriais, para o planejamento sustentável de uso e ocupação. O presente trabalho objetivou estudar o potencial de modelos de paisagem e susceptibilidade magnética na identificação e caracterização de latossolos, em Guariba (SP). Foram coletadas 514 amostras de solo, em 110,0 ha, às profundidades de 0,0-0,20 m e 0,60-0,80 m. Foram identificados diferentes compartimentos de paisagem, com base no modelo de superfície geomórfica e segmento de vertente. em cada compartimento de paisagem, foram abertas trincheiras, para classificação do solo. As amostras foram analisadas quanto à granulometria e atributos químicos, pH (água, CaCl2 e KCl), matéria orgânica, P extraível, K+, Ca2+, Mg2+ e H+ + Al3+. Também foram determinados os teores de SiO2, Al2O3, Fe2O3 e óxidos de Fe livres (Fe d) e pouco cristalizados (Fe o), nas amostras das trincheiras, além da susceptibilidade magnética (SM). Solos taxonomicamente iguais, porém em diferentes compartimentos da paisagem, apresentaram valores distintos, para os atributos estudados, indicando que os modelos de paisagem e a susceptibilidade magnética podem ser viáveis, como técnica de campo, para auxiliar no detalhamento da variação dos atributos do solo. A susceptibilidade magnética demonstrou ter potencial para delimitação das superfícies geomórficas mapeadas no campo, o que indica o seu potencial de uso, na identificação e caracterização de áreas mais homogêneas.

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 processados em forno microondas

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 foram depositados em substratos de Pt/Ti/SiO2/Si e, pela primeira vez, sinterizados em forno microondas doméstico. Os padrões de difração de raios X mostraram que os filmes são policristalinos. O processamento por microondas permite utilizar baixa temperatura na síntese e obter filmes com boas propriedades elétricas. Ensaios de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de Força Atômica (MFA) revelam boa aderência entre filme e substrato, com microestrutura de superfície apresentando grãos finos e esféricos e rugosidade de 4,7 nm. A constante dielétrica e o fator de dissipação, para freqüência de 100 KHz, à temperatura ambiente, foram de 77 e 0,04, respectivamente. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 miC/cm² e 33 kV/cm. O comportamento da densidade de corrente de fuga revela três mecanismos de condução: linear, ôhmico e outro mecanismo que pode ser atribuído à corrente de Schottky. Dos padrões de DRX, análises das imagens por MEV e topografia de superfície por MFA observa-se que 10 min de tratamento térmico a 550 ºC, em forno microondas, é tempo suficiente para se obter a cristalização do filme.

Ferroelectric and microstructural characteristics of SrBi2Ta2O9 thin films crystallized by the rapid thermal annealing process

Ferroelectric SrBi2Ta2O9 thin films on Pt/Ti/SiO2/Si were successfully synthesized by the modified polymeric precursor method. The films were deposited by spin coating and crystallized by rapid thermal annealing in a halogen lamp furnace, followed by postannealing at temperatures ranging from 700 degreesC to 800 degreesC in an oxygen atmosphere. Microstructural and phase evaluations were followed by x-ray diffraction and atomic force microscopy. The films displayed spherical grain structures with a superficial roughness of approximately 3-6 nm. The dielectric constant values were 121 and 248 for films treated at 700 degreesC and 800 degreesC, respectively. The P-E curve showed a voltage shift toward the positive side, which was attributed to crystallization under the halogen illumination. The remanent polarization (2P(r)) and coercive field (E-c) were 7.1 muC/cm(2) and 113 kV/cm, and 18.8 muC/cm(2) and 93 kV/cm for the films treated at 700 degreesC and 800 degreesC, respectively. (C) 2001 American Institute of Physics.

Control of retention and fatigue-free characteristics in CaBi4Ti4O15 thin films prepared by chemical method

Ferroelectric CaBi4Ti4O15 (CBTi144) thin films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by the polymeric precursor method. The films present a single phase of layered-structured perovskite with polar axis orientation after annealing at 700 degrees C for 2 h in static air and oxygen atmosphere. The a/b-axis orientation of the ferroelectric film is considered to be associated with the preferred orientation of the Pt bottom electrode. It is noted that the films annealed in static air showed good polarization fatigue characteristics at least up to 10(10) bipolar pulse cycles and excellent retention properties up to 10(4) s. on the other hand, oxygen atmosphere seems to be crucial in the decrease of both, fatigue and retention characteristics of the capacitors. Independently of the applied electric field, the retained switchable polarization approached a nearly steady-state value after a retention time of 10 s. (C) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Soft chemical deposition of BiFeO3 multiferroic thin films

BiFeO3 thin films free of secondary phases were obtained by the soft chemical solution on Pt(111)/Ti/SiO2/Si substrates after annealing at 500 degrees C for 2 h. The film grown in the (100) direction presented a remanent polarization P-r of 31 mu C/cm(2) at room temperature. Electrical measurements using both quasistatic hysteresis and pulsed polarization confirm the existence of ferroelectricity with a switched polarization of 60-70 mu C/cm(2), Delta P=(P-*-P). Low leakage conduction and an out-of-plane piezoelectric (d(3)) coefficient of 40 pm/V were obtained by the improvement of preparation technology.

Microstructural, dielectric and ferroelectric properties of calcium-modified lead titanate thin films derived by chemical processes

Ferroelectric Pb1-xCaxTiO3 (x = 0.24) thin films were formed on a Pt/Ti/SiO2/Si substrate by the polymeric precursor method using the dip-coating technique for their deposition. Characterization of the films bq X-ray diffraction showed a perovskite single phase with a tetragonal structure after annealing at 700 degreesC. Atomic force microscopy (AFM) analyses showed that the film had a smooth and crack-free surface with low surface roughness. In addition, the PCT thin film had a granular structure with an 80 nm grain size. The thickness of the films observed by the scanning electron microscopy (SEM) is 550 nm and there is a good adhesion between the film and substrate. For the electrical measurements metal-ferroelectric-metal of the type capacitors were obtained, where the thin films showed good dielectric and ferroelectric properties. The dielectric constant and dissipation factor at 1 kHz and measured at room temperature were found to be 457 and 0.03. respectively. The remanent polarization and coercive field for the: deposited films were P-r = 17 muC/cm(2) and E-c = 75 kV/cm, respectively. Moreover. The 550-nm-thick film showed a current density in the order of 10(-8) A/cm(2) at the applied voltage of 2 V. The high values of the thin film's dielectric properties are attributed to its excellent microstructural quality and the chemical homogeneity obtained by the polymeric precursor method. (C) 2001 Elsevier science Ltd. All rights reserved.

Improvement of the dielectric and ferroelectric properties in superlattice structure of Pb(Zr,Ti)O-3 thin films grown by a chemical solution route

Making heterolayered perovskite materials constitutes an approach for the creation of better dielectric and ferroelectric properties. In the experiment reported here, heterolayered PZT40/PZT60 films were grown on Pt/Ti/SiO2/Si (100) by a chemical solution deposition. The dielectric constant of the heterolayered thin film was significantly enhanced compared with that of pure PZT40 and PZT60 thin films. A dielectric constant of 701 at 100 kHz was observed for a stacking periodicity of six layers having a total thickness of 150 nm. The heterolayered film exhibited greater remanent polarization than PZT60 and PZT40 films. The values of remanent polarization were 7.9, 18.5, and 31 muC/cm(2), respectively, for pure PZT60, PZT40, and heterolayered thin films, suggesting that the superior dielectric and ferroelectric properties of the heterolayered thin film resulted from a cooperative interaction between the ferroelectric phases made from alternating tetragonal and rhombohedral phases of PZT, simulating the morphotropic phase boundary of this system. (C) 2004 American Institute of Physics.

Microstructure and dielectric properties of (Ba,Sr)TiO3 thin film produced by the polymeric precursor method

BaxSr1-xTiO3 (x = 0.6) (BST) thin films were successfully prepared on a Pt(111)/TiO2/SiO2/Si(100) substrate by spin coating, using the polymeric precursor method. BST films with a perovskite single phase were obtained after heat treatment at 700 degrees C. The multilayer BST thin films had a granular structure will a grain size of approximately 60 nm. A 480-nm-thick film was obtained by carrying out five cycles of the spin-coating/heating process. Scanning electron microscopy and atomic force microscopy analyses showed that the thin films had a smooth, dense, crack-free surface with low surface roughness (3.6 nm). At room temperature and at a frequency of 100 kHz, the dielectric constant and the dissipation factor were, respectively, 748 and 0.042. The high dielectric constant value was due to the high microstructural quality and chemical homogeneity of the thin films obtained by the polymeric precursor method.