长期施氮磷化肥对不同种植体系土壤有效硫累积研究

以22 a定位试验为基础,在黄土高原旱地研究了长期施用氮磷化肥,对不同种植体系土壤有效硫在剖面上分布与累积状况。结果表明,在60-80 cm土层各处理出现第一个累积峰,累积峰值为:玉米-小麦(2 a)+糜子轮作27.07 mg/kg,豌豆-小麦(2 a)+糜子轮作25.42 mg/kg,小麦(2 a)+糜子-玉米轮作24.23 mg/kg,豌豆-小麦(2 a)+玉米轮作22.61 mg/kg,小麦连作16.56 mg/kg,红豆草-小麦(2 a)轮作15.14 mg/kg;在120-180 cm土层又出现有效硫的第二个累积峰,累积峰值为:小麦(2 a)+糜子-玉米轮作34.20 mg/kg,豌豆-小麦(2 a)+糜子轮作32.16 mg/kg,豌豆-小麦(2 a)+玉米轮作31.00 mg/kg,红豆草-小麦(2 a)轮作30.32mg/kg,玉米-小麦(2 a)+糜子轮作29.16 mg/kg,小麦连作26.22 mg/kg。0-200 cm土层有效硫总累积量玉米-小麦+糜子轮作高达559.64 kg/hm2,其次是小麦+糜子-玉米轮作为538.88 kg/hm2,豌豆-小麦+糜子轮作为514.34 kg/...

黄土区不同土地利用方式下径流量的神经网络模拟

基于黄土坡面降雨—径流关系的复杂性且非线性特性,引用3层前馈型BP网络模型,对不同土地利用方式(草灌地、刈割地、翻耕地)径流量进行模拟,以植被盖度、降雨强度、坡度、土壤前期含水率和土壤容重5个因子作为输入层变量,次降雨下径流量作为输出层变量,并利用野外人工模拟降雨试验所得到不同降雨强度下各类土地利用径流小区的径流量实测资料,对网络进行模拟训练和预测,取得了较好的结果,平均误差不超过10%。研究结果表明,与传统回归统计方法进行了误差比较,该模型的预测精度更高。

功能化聚喳琳的合成与性质

为了合成功能化聚哇琳（如质子传导聚喳琳或旋光性聚唆琳）和研究聚哇琳结构与性能之间的关系，合成了含毗咯基单元或含联蔡基单元的聚喳琳和聚葱琳，并对其性质进行了研究，主要内容如下：（1）建立了二乙酰吡咯的合成方法；合成并表征了四种二苯酞基一二氨基单体和五种新型的含毗咯基或联蔡基的二乙酞基单体；并对部分合成方法进行了改进，简化了实验步骤，提高了产率。（2）合成、表征了8种含吡咯基单元的聚喳琳和聚葱琳，这些新的聚合物具有较高的玻璃化转变温度（242-339℃）和出色的热稳定性（514-554℃）。与聚葱琳系列相比，聚哇琳具有较高的热稳定性，在普通溶剂中较好的溶解性和较低的最大吸收波长（λamax）。含有2，5-亚吡咯基的固态聚葱琳表现出少见的高人arnax（565nln）和低的带隙能量（2.02eV）。所有的聚合物在溶液中具有很低的光量子效率（0.01％一10-5％）。它们的激发态寿命为0.28-1.29ns。通过比较聚合物异构体的性质，探讨了分子结构，尤其亚吡咯基结构对聚合物电子结构、热力学和光学性质的影响，提出了聚合物主链上毗咯氢和喳琳氮间的氢键模型并对聚合物异构体性质差异给予解释。（3）考察了聚喳琳的电化学性质，结果表明这些聚合物存在1-3个不可逆氧化电位和1-2个不可逆还原电位，这是聚哇琳文献中未曾报道的现象。（4）以氯化锉作稳定剂，DMAc作溶剂，得到稳定的PBM高浓度溶液；以此溶液浇铸成膜，其热力学性能优良；经磷酸乙醇溶液浸渍掺杂的PBM膜，在157℃质子导电率达到1.5x*10-3Scm-1。（5）合成、表征了含联蔡基团的旋光性聚喳琳，这些新的聚合物具有较高的玻璃化转变温度（201-305℃）、出色的热稳定性（420-497℃）和耐溶剂性能。创门的结晶度较低，在浓硫酸中的旋光活性远大于联蔡单体，其旋光值与聚合物手性单元的过量比例成线性关系，但旋光方向却与单体不同。

用光化学方法氧化Tb~(3+)、Pr~(3+)、Ce~(3+)离子

本文内容包括Tb~(3+)、Pr~(3+)、Ce~(3+)的光氧化。研究了各种因素对氧化率或四价离子生成量的影响。在Tb~(3+)光氧化的基础上，建立了混合钇族稀土中Tb的光化学分析法及混合稀土中Tb的化学氧化分析方法。Tb~(3+)、Pr~(3+)的光氧化是开创性的工作，Tb的分析方法具有一定的应用价值。1 Ce~(3+)d HZO_3－HClO_4体系中的光氧化 用低压汞灯（254nm)、高压汞灯(366nm)和氩离子激光器(351/364nm, 458 nm, 477nm, 502 nm, 514, nm)光辐照Ce~(3+)-HZO_3-HClO_4溶液，Ce~(3+)发生光氧化反应，生成Ce(ZO_3)_4沉淀 。在低压汞灯254 nm波段可获得较高的氧化率，具它波段下的氧化率低，以低压汞灯为光源辐照。研究了温度、光强、酸度、Ce~(3+)初始浓度及辐照时间对氧化率的影响。降低酸度，选择较高的温度和较大的光强，有利于Ce~(3+)的光氧化。2 Tb~(3+)在KIO_4-KOH体系中的光氧化 用高压汞灯（366nm)光辐照Tb~(3+)-KIO_4-KOH溶液，首次实现了Tb~(3+)的光氧化。研究了碱度、络合剂浓度，Tb~(3+)初始浓度、辐照面积，光强和辐照时间等因素对Tb~(4+)生成的影响。测定了Tb(IV)/Rb(III)的氧化还原电势。适宜的KOH浓度应大于0.3M，KIO_4的浓度要比Tb~(3+)初始浓度大几个数量级。当KOH=0.6M, KIO_4=0.22M, 温度为13 ℃时。E_(Tb(IV)/Tb(III))=0.68优，生成的Tb~(4+)可溶性络离子为红棕色，最大吸收峰在420nm附近，比较稳定。3 用光氧化法分析钇族混合稀土中的Tb 根据Tb~(3+)在KIO_4-KOH体系中的光氧化反应，建立了钇族混合稀土中Tb的分光光度分析方法。在高压汞灯366nm的光辐照不无色的Tb~(3+)转变为红棕色的Tb~(4+)，其谱带的吸收峰值在420nm，其它三价钇族稀土无此反应，故无千扰，在Tb的分析浓度范围为1*10~(-5)M - 1*10~(-3)M时，符合Beer定律，Tb在钇族混合稀土中含量的分析最低限为0.2%。此方法可用于萃取钇族稀土过程中Tb的分析，方法简便快速。4 用化学氧化法分析混合稀土中的Tb 根据Tb~(3+)在KIO_4-KOH-K_2S_2O_8体系中的氧化反应，建立了混和稀土中Tb的分光光度分析方法。Tb~(3+)-KzO_4-KOH-K_2S_2O_8溶液加热，Tb~(3+)被氧化的Tb~(4+)，其颜色由无色转变为红棕色，最大吸收峰在420nm。Ce~(3+)加入KIO＿4－KOH溶液后，立即被完全氧化为Ce~(4+), Ce~(4+)在420nm也有吸收，其干扰可以在本底中排除，其它三价稀土离子在此体系中不能发生氧化反应，故无干扰。在Tb的分析浓度范围为5*10~(-5)-5*10~(-4)M时，符合Beer定律，Tb在混合稀土中含量分析的最低限为1％。此方法可用于萃取稀土过程中Tb的分析和监控，方法简便快速。5 Pr~(3+)在KZO_4－KOH体系中的光氧化用高压汞灯光辐照Pr~(3+)-KZO_4-KOH溶液，首次实现了Pr~(3+)的光氧化。生成的Pr~(4+)为棕褐色，最大吸收峰在400nm附近，稳定性较差，在水溶液中发生自还原反应。按Pr~(4+)在400nm的吸收峰值，研究了辐照时间，Pr~(3+)初始浓度，KOH浓度、KZO＿4浓度及Ce~(4+)共存时对Pr~9(4+)生成的影响。相应增加KOH及KZO＿4用量，有利于Pr~(4+)的生成，Ce~(4+)对Pr~(3+)的光氧化无所谓的“带同氧化作用”。

再论广州七星岗海蚀地形发现的意义

自从笔者发现刊于中山大学日报1937—05—20的《十公尺海蚀台地之发现》一文后，吴尚时已被公认是广州七

Phase diagrams for the MOVPE growth of ZnTe and ZnSeTe

The phase diagrams for the MOVPE growth of ZnTe and ZnSeTe have been proposed for the first time, based on the thermodynamic equilibrium established at the solid-vapor interface, The regions for the single condensed phase of ZnTe(s) and of ZnSeTe(s) have been investigated, respectively, Additionally, the growth conditions of appearance for the double condensed phase of ZnTe(s) + Zn(s or l) and ZnTe(s)+ Te(s or l) for the ZnTe system, of ZnSeTe(s) + Zn(s or l) and ZnSeTe(s)+ Te(s or l) for the ZnSeTe system are discussed.

Aggregation and precipitation in high dose as ion implanted Ge0.5Si0.5 alloy

Thermally stimulated redistribution and precipitation of excess arsenic in Ge0.5Si0.5 alloy has been studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), cross sectional transmission electron microscopy (XTEM) and X-ray energy disperse spectrometry (EDS). Samples were prepared by the implantation of 6 X 10(6) As+ cm(-2) and 100 keV with subsequent thermal processing at 800 degrees C and 1000 degrees C for 1 h. The XPS depth profiles from the implanted samples before and after the thermal annealing indicate that there is marked redistribution of the elements in heavily arsenic-implanted Ge0.5Si0.5 alloys during the annealing, including: (1) diffusion of As from the implanted region to the surface; (2) aggregation of Ge in the vicinity of the surface. A high density of precipitates was observed near the surface which were by XTEM and EDS identified as an arsenide. It is suggested that most of the implanted As in Ge0.5Si0.5 alloy exists in the form of GeAs.

AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band

A power amplifier MIC with power combining based on AlGaN/GaN HEMTs was fabricated and measured. The amplifier consists of four 10×120μm transistors. A Wilkinson splitters and combining were used to divide and combine the power. By biasing the amplifier at V_(DS) =40V, I(DS)= 0. 9A, a maximum CW output power of 41. 4dBm with a maximum power added efficiency (PAE) of 32. 54% and a power combine efficiency of 69% was achieved at 5. 4GHz.

可调谐半导体激光器研究及进展

可调谐半导体激光器是新一代密集波分复用系统以及全光网络中光子交换的关键光电子器件,它的运用使得光纤传输系统容量大大增加,灵活性和可扩展性大大增强,目前已经实现了宽波长范围的连续或准连续调谐,并有相应的产品投放市场.文章介绍了各种基于不同谐振腔结构的可调谐激光器以及各自的调谐机理,对不同类型器件在制作以及实际应用中的优缺点进行了比较.同时总结了国外可调谐半导体激光器的最新进展,并对我国可调谐半导体激光器的研制提出了相应的要求.

掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响

对nc-Si/SiO_2薄膜中纳米硅(nc-Si)、Er~(3+)和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究.在514.5 nm光激发下,nc-Si/SiO_2薄膜在750nm和1.54μm处存在较强的发光,前者与薄膜中的nc-Si有关,后者对应于Er~(3+)从第一激发态4I13/2到基态4I15/2的辐射跃迁.随薄膜中Er3+含量的提高,1.54μm处的发光强度明显增强,750 nm处的发光强度却降低.H处理可以明显增强薄膜的发光强度,但是对不同退火温度样品,处理效果却有所不同.根据以上实验结果,可得如下结论:在nc-Si颗粒附近的Er~(3+)和其他的缺陷组成了nc-Si颗粒内产生的束缚激子的非辐射复合中心,束缚激子通过Er~(3+)的非辐射复合,激发Er~(3+)产生1.54μm处的发光,同时降低了750nm处的发光强度.nc-Si颗粒附近其他非辐射复合中心的存在会降低Er~(3+)被激发的概率,引起1.54μm处的发光强度降低.

RADIATION OF DRESSED EXCITONS IN THE SEMICONDUCTOR MICROCAVITY

于2010-11-23批量导入