35MeV/u~(40)Ar+~(197)Au反应中复合核的激发能与温度

利用大面积位置灵敏气体探测器对 35MeV u4 0Ar +197Au反应中形成的裂片进行了符合测量 ,由此得到了裂变复合核的速度分布 .在大质量转移假设下扣除前平衡发射粒子的影响 ,得到复合核的激发能 .另外利用望远镜探测器对反应中出射的轻带电粒子也进行了符合测量 ,并由后角α ,p ,d ,t的能谱提取了复合核的温度 .温度与激发能的关系没有表现出理论预言的相变特征 .

55MeV/u~(40)Ar~(17+)离子在生物等效材料中产生的核碎片

利用HIRFL(兰州重离子研究装置 )产生的 5 5MeV/u的4 0 Ar17+ 离子束 ,在辐照生物学实验终端 ,测量了其经过 1.5mm厚有机玻璃后三个不同角度的碎片分布情况。探索了应用由CsI(Tl) +快塑料闪烁探测器组成的Phoswich探测器研究重离子在生物材料中产生的核碎片角分布测量的可行性 ,结果表明这种实验方法是可行的 ,实验结果令人鼓舞。本工作为进一步的实验积累了可靠的经验。

30MeV/u~(40)Ar+~(112,124)Sn反应中的同位素产额比与核温度

系统研究了 3 0MeV u40 Ar+ 1 1 2 ,1 2 4 Sn反应中的轻粒子同位素产额比随角度和初始激发能的变化关系 .对于两个反应体系 ,均观察到3He 4He和6Li 7Li的产额比随角度的增加而增加 ,6He 4He和8Li 7Li随角度的增加而减小 .统计发射的运动学效应不能完全符合实验结果 .各种单同位素产额比与靶核的N Z比有关 ,表现出同位旋效应 ,而由双同位素比提取的核温度几乎没有靶核相关性

高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

采用能量 2 Ge V、剂量 10 1 0— 10 1 3cm- 2的 Ar+辐照 P型 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te材料 ,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究 .实验结果和分析表明 ,Ar+ 辐照在 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心 ,引起材料载流子 (空穴 )浓度的增大和迁移率的降低 .随着辐照剂量的增大 ,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快 ,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大

35MeV/u~(40)Ar+~(197)Au反应中热核的碎裂密度

许多提取核反应过程中熵产生的方法只适用于高能核反应过程 ,而约化d的产额方法可以用于较低能量的重离子核反应中 .对于 3 5MeV/u40 Ar+ 197Au的核反应过程 ,利用这种方法所得的熵和约化带电粒子多重性提取的熵结果一致 .对于后角热核发射体系 ,实验提取的核温度为 ( 4.7± 1 .2 )MeV ,熵为S/A =2 .5± 0 .5,根据实验提取的熵和核温度可以确定其碎裂密度小于 0 .1 ρ0

30MeV/u~(40)Ar+~(112,124)Sn反应后角能谱温度的同位旋效应

在 30MeV/u4 0 Ar +112 ,12 4 Sn反应中用平行板雪崩计数器实现了前冲余核的测量 .在不同的线性动量转移下用运动源模型拟合了后角的3 He,α和6He能谱 ,发现3 He的能谱斜率温度在12 4 Sn系统中高于112 Sn系统 ,而6He的温度在112 Sn系统中更高 ,α粒子在两个系统中没有明显差别 .用热核粒子蒸发过程衰变道的选择性对这种同位旋相关性进行了解释 .GEMINI的计算不能重现实验结果

35MeV/u~(36,40)Ar+~(112,124)Sn反应中同位旋自由度的弛豫

35MeV/u 36 ,40　Ar+ 112 ,12 4Sn反应中 ,在前角 5°和 2 0°观测到丰中子核与稳定核的产额比随粒子出射动能的增加而减小 ,而缺中子核与稳定核的产额比随动能的增加而增加 .对于某种元素 ,随着动能的减小 ,其平均中质比逐渐由弹核N/Z向靶核N/Z过渡 .这些现象表明在这样的入射能量下 ,周边或近周边碰撞过程中同位旋自由度没有完全达到平衡 .这种行为对两个靶核系统是相似的 ,但是同位素产额比的绝对值在 5°没有靶核相关性 ,而在 2 0°处却表现出明显的靶核相关性 .

35MeV/u~(40)Ar+~(197)Au中的熵产生

根据量子统计模型 (QSM )的计算分析 ,找到了一个提取核反应过程中熵产生的新的可观测量 .核反应过程中约化d的产额d/ (d +t+3 He+4 He)和熵有单调的函数关系 ,并且和体系的碎裂密度 (ρ/ ρ0 )及体系的N/Z都无关 ,可以作为提取核反应过程中熵产生的一个观测量 .和目前已经有的其他方法相比 ,约化d产额这一提取熵方法可以用于较低能量的重离子核反应中 ,并且数据处理分析简单 .对于 35MeV/u4 0 Ar +197Au的核反应过程所提取的熵和利用约化带电粒子多重性提取的熵结果一致 .结合后角类靶热核发射体系实验提取的同位素核温度为 4 7±1 2MeV及S/A =2 5± 0 5 ,根据熵和核温度的关联关系 ,可以确定其Breakup密度接近但小于 0 1(ρ/ ρ0 )

Ar离子辐照PET膜引起的表面结构和组分变化研究

用 35MeV u的Ar离子室温下辐照多层堆叠的半晶质的聚酯 (PET)膜 ,采用X射线衍射技术和X射线光电子谱仪分析研究了辐照引起的表面结构和组分的变化。结果表明 ,Ar离子辐照PET膜引起了明显的非晶化转变和化学键断裂 ,断键主要发生在甲氧基和羰基功能团上 ,并使这两个功能团中的C和O的比分相对减少。非晶化效应和化学键断裂同时依赖于离子的照射剂量和离子在样品表面的电子能量损失 ,剂量越高 ,表面电子能量损失越大 ,效应就明显。同时定性地讨论了结果

25MeV/u~(40)Ar+~(115)In反应碎片和轻带电粒子能量关联

通过对 ２５ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ＋１１５ Ｉｎ反应 θｌａｂ＝ １５°的邻近几何条件下的轻带电粒子和出射碎片之间的关联测量，观察到了两体相继衰变机制的存在．其中，轻带电粒子和碎片的关联角度谱在小角度成峰，最可几角度约２°左右；轻带电粒子能谱峰位，随关联对的质量增加而逐渐增高；质量较轻的原始产物容易受到激发，通过发射轻带电粒子而衰变成轻中等质量碎片．在两体相继衰变中，原始激发产物发射重质量的轻带电粒子的产额或几率要大于质量轻的轻带电粒子，具体测量发现，与轻带电粒子１１，２１Ｈ，３１Ｈ和ａ粒子关联的碎片（Ｚｆ＝４—１４）总的产额比为１：１．３：１．７８：７．５７．

25MeV/u~(40)Ar+~(115)In反应碎片和轻带电粒子的方位角关联

在２５ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ＋１１５Ｉｎ反应的在平面和出平面大角度关联测量中，提取了碎片和α粒子之间的方位角关联函数和方位角非对称性因子．φ＝９０时，方位角关联函数呈现为最小值，表明在集体类转动效应影响下，反应产生的轻带电粒子和碎片优先在反应平面内发射．随着关联对质量的增加，在平面关联粒子的发射相对于束流轴不对称性逐渐增大．随着关联对质量的增加，相继衰变和粒子末态相互作用对φ＝０的关联粒子对方位角关联函数值的影响逐渐降低并直至消失，同时集体转动效应增强，方位角非对称性增加．

高能Ar离子辐照PET膜引起的表面改性研究

采用傅立叶转换的红外光吸收技术在反射方式下分析研究了 35MeV/uAr离子辐照半晶质PET膜引起的表面改性及其对吸收剂量的依赖性。结果表明 ,辐照导致PET膜中与晶态区域相关的吸收带强度随吸收剂量增加普遍减弱 ,而与非晶区域相关的吸收带强度随吸收剂量增加逐渐增加 ,表明辐照使PET膜发生了非晶化转变。化学键断裂主要发生在苯环的对位和酯的C—O键上 ,而苯环的基本结构在整个辐照过程中变化较小。非晶化效应和化学键断裂同时依赖于离子的照射剂量和样品表面的电子能量沉积。此外 ,在约 5.0MGy以上的吸收剂量 ,辐照还引起了炔端基团的形成 ,炔端基团浓度随吸收剂量的增加显著增加。对实验结果进行了定性解释。

35MeV/u~(40)Ar+~(197)Au反应中热核的统计发射研究

利用硅半导体＋ＣｓＩ（Ｔ１）闪烁体望远镜测量３５ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ＋１９７Ａｕ中发射的轻带电粒子，用能谱斜率方法和双同位素产额比方法提取了核温度参量．研究了热核发射过程中的统计发射规律．

30MeV/u~(40)Ar+~(115)In反应中的IMF能谱

测量了 3 0MeV/u40 Ar束流轰击115 In反应靶时出射的中等质量碎片(IMF)的能谱 .通过比较在不同出射角度发射的同一种IMF的能谱 ,得到了IMF的发射机制随出射角的演化关系 .在假定运动源速度和出射离子库仑位垒不随出射角变化的条件下 ,通过改变发射源的强度和核温度参量完成了对实验测得能谱的运动源拟合 ,并详细讨论了 3个发射源所占份额和源强随出射角的演化关系 .

高能Ar离子辐照PET引起的光吸收变化研究

采用紫外 -可见光吸收技术分析和研究了 35MeV/uAr离子辐照聚酯膜引起的光吸收改性 .结果表明 ,Ar离子轰击聚酯膜时引起了碳键的共轭体系形成 ,从而导致了紫外 -可见光区域中光吸收明显增加 ,光吸收增加的幅度依赖于离子的照射剂量、离子在样品中的平均电子能量损失以及光的波长 ,剂量越高 ,电子能损越大 ,光吸收增幅越大 ;而光的波长越长 ,光吸收的增加则越不明显 .利用测量到的光吸收曲线 ,同时还定量地研究了各种辐照条件下聚酯膜的光能隙和碳原子团的尺寸 .