高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光
| Data(s) |
08/11/2001
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| Resumo |
采用能量 2 Ge V、剂量 10 1 0— 10 1 3cm- 2的 Ar+辐照 P型 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te材料 ,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究 .实验结果和分析表明 ,Ar+ 辐照在 Cd0 .96 Zn0 .0 4Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心 ,引起材料载流子 (空穴 )浓度的增大和迁移率的降低 .随着辐照剂量的增大 ,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快 ,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
裴慧元,李向阳,方家熊,侯明东.高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光, 半导体学报, 2001-11-08, 2001( 11):1392-1396 |
| Palavras-Chave | #CdZnTe #电学特性 #光致发光 |
| Tipo |
期刊论文 |
