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用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料,并制成发光二极管,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明,由于能态填充效应的影响,适当增大量子点发光器件有源区长度,更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。

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文章给出了光电子材料InP的(100)和(111)晶面质谱分析的结果,对(100)晶面做了光荧光分析。在300和77 K温度下测量了(100)晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明玷污主要来自硅。

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中科院基金

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Double-crystal X-ray diffraction and I-V characterization have been carried out on the GSMBE grown SiGe/Si p-n heterojunction materials. Results show that the SiGe alloys crystalline quality and the misfit dislocations are critical influences on the reverse leakage current. The crystal perfection and/or the degree of metastability of the Sice alloys have been estimated in terms of the model proposed by Tsao with the experimental results. High-quality p-n heterojunction diodes can be obtained by optimizing the SiGe alloy structures, which limit the alloys in the metastable states. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

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利用高能离子研究了110keV的He+注入Al2O3单晶及随后230MeV的208Pb27+辐照并在不同温度条件下退火样品的光致发光的特性.从测试结果可以清楚地看到在375nm,390nm,413nm和450nm出现了强烈的发光峰.经过600K退火2h后测试结果显示,390nm发光峰增强剧烈,而别的发光峰显示不明显.在900K退火条件下,390nm的发光峰开始减弱相反在510nm出现了较强的发光峰,到1100K退火完毕后390nm的发光峰完全消失,而510nm的发光峰相对增强.从辐照样品的FTIR谱中看到,波数在460—510cm-1间的吸收是振动模式,经过离子辐照后,吸收带展宽,随着辐照量的增大,Al2O3振动吸收峰消失,说明Al2O3振动模式被完全破坏.1000—1300cm-1之间为Al-O-Al桥氧的伸缩振动模式,辐照后吸收带向高波数方向移动.退火后的FTIR谱变化不大.

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描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果。这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm。P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm。当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA。对239Pu α粒子的能量分辨为0.5%~0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%~8%。

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介绍了一种由微机控制的,用于核物理实验中的步进电机光电定位自动控制系统。并对硬件和软件的设计以及工作原理作了较详细的阐述。

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基于已存在的分布式控制系统,采用客户/服务器模式研制开发了兰州重离子加速器(HIRFL)电源设备自动巡检报警和束流状态显示的监测系统软件。介绍了该系统的整体结构及软件设计。

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介绍了一种高速多路模拟求和电路 ,它接收≥ 2 0 m V的小幅度信号 ,在其 SUMBUS(求和总线 )产生每路 5 0 m V的输出信号。求和电路的输出信号可用于多重性鉴别和产生 4π多重探测器数据获取系统的 trigger信号。