硅多条探测器的研制


Autoria(s): 谭继廉,靳根明,王宏伟,段利敏,袁小华,王小兵,李松林,卢子伟,徐瑚珊,宁宝俊,田大宇,王玮,张录
Data(s)

20/11/2004

Resumo

描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果。这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm。P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm。当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA。对239Pu α粒子的能量分辨为0.5%~0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%~8%。

Identificador

http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/3721

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/130196

Idioma(s)

中文

Fonte

谭继廉,靳根明,王宏伟,段利敏,袁小华,王小兵,李松林,卢子伟,徐瑚珊,宁宝俊,田大宇,王玮,张录.硅多条探测器的研制, 核电子学与探测技术, 2004-11-20, 2004( 06):551-554

Palavras-Chave #硅多条探测器 #微电子工艺 #电特性 #探测特性 #反向漏电流 #能量分辨率
Tipo

期刊论文