Avaliação da ação bactericida e bacteriostática das nanopartículas TiO2 e Ag aplicadas em pinos intraradiculares

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Estudos da preparação de superfície da liga AA6063T5 e do desenvolvimento de revestimentos híbridos orgânico-inorgânicos a base de siloxano-PMMA para aplicação anticorrosiva

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Tratamento fotocatalítico de corante ácido usando filmes finos de vidro/Ti 'O IND. 2' e degradação fotoeletrocatalítica de corante vat sobre eletrodos de filmes finos de Ti/Ti 'O IND. 2'

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Degradação de poluentes orgânicos utilizando filmes de TiO2 modificados com íons prata

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Síntese de cerâmicas nanoestruturadas híbridas

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Estrutura eletrônica e propriedades elétricas fotoinduzidas em filmes finos de SnO2 com dopagem de Sb, e formação de heteroestruturas com TiO2

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Processo de preparação de zirconia dopada e não dopada pela rota sol-gel usando nitrato de zirconila como material de partida

Processo de Preparação de Zirconia Dopada e não Dopada pela Rota Sol-Gel Usando Nitrato de Zirconila como Material de Partida compreendendo as etapas de preparação de uma solução de nitratos de zirconila e outros nitratos metálicos em solução aquosa com composto orgânico de etanol metanol ou acetona, através do controle de molaridade. Embora não limitantes, valores ideais para molaridade das soluções são: entre 1,00 e 0,29 para obtenção de pó entre 0,29 e 0,18 para obtenção de superfície recoberta e entre 0,18 e 0,13 para obtenção de filmes finos. Manter a solução a 0°C para formação de filmes finos por imersão do substrato ou monocristal com velocidade constante ("dip-coating") ou por rotação a velocidade constante ("spinning"), ou para recobrimento de superfícies metálicas através de imersões sucessivas do substrato metálico a velocidade constante ("dip-coating"). Elevar a solução a 50°C para hidrolização e formação de um gel em forma de pó, secagem de pó ou liofilização, calcinação e moagem dos aglomerados.

Desenvolvimento de sistemas multifuncionais baseados em híbridos orgânico-inorgânicos dopados

Pós-graduação em Química - IQ

Photo-Induced Conductivity of Heterojunction GaAs/Rare-Earth Doped SnO2

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Preparation of TiO2/SnO2 Thin Films by Sol-Gel Method and Periodic B3LYP Simulations

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Cerâmicas porosas a base de zircônia na forma de filmes suportados preparados a partir de emulsões

Pós-graduação em Química - IQ

Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Luminescence of Eu3+ in the thin film heterojunction GaAs/SnO2

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Photoluminescence of the Eu-doped thin film heterojunction GaAs/SnO2 and rare-earth doping distribution

Tin dioxide (SnO2) thin films doped with Eu3+, are deposited by the sol-gel-dip-coating process on top of GaAs films, which is deposited by resistive evaporation on glass substrate. This heterojunction assembly presents luminescence from the rare-earth ion, unlike the SnO2 deposition directly on a glass substrate, where emissions from the Eu3+ transitions are absent. The Eu3+ transitions are clearly identified and are similar to the observation on SnO2 pressed powder (pellets), thermally treated at much higher temperatures. However, in the form of heterojunction films, the Eu emission comes along a broad band, located at higher energy compared to Eu3+ transitions, which is blue-shifted as the thermal annealing temperature increases. The size of nanocrystallites points toward quantum confinement or electron transfer between oxygen vacancies, originated from the disorder in the material, and trivalent rare-earth ions, which present acceptor-like character in this matrix. This electron transfer may relax for higher temperatures in the case of pellets, and the broad band is eliminated.

Heterojunction between Al2O3 and SnO2 thin films for application in transparent FET

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)