宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.

Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100)

Highly oriented voids-free 3C-SiC heteroepitaxial layers are grown on φ50mm Si (100) substrates by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). The initial stage of carbonization and the surface morphology of carbonization layers of Si(100) are studied using reflection high energy electron diffraction (RHEED) and scanning electron microscopy (SEM). It is shown that the optimized carbonization temperature for the growth of voids-free 3S-SiC on Si (100) substrates is 1100 ℃. The electrical properties of SiC layers are characterized using Van der Pauw method. The I-V, C-V, and the temperature dependence of I-V characteristics in n-3C-SiC-p-Si heterojunctions with AuGeNi and Al electrical pads are investigated. It is shown that the maximum reverse breakdown voltage of the n-3C-SiC-p-Si heterojunction diodes reaches to 220V at room temperature. These results indicate that the SiC/Si heterojunction diode can be used to fabricate the wide bandgap emitter SiC/Si heterojunction bipolar transistors (HBT's).

半导体微碟激光器设计原理与工艺制作

用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理，采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单，对有效光子状态密度调制较大，是比较理想的半导体微腔激光器。

黄方程与极化激元

于2010-11-23批量导入

The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si

Carbonized buffer layers were formed with C2H4 on Si(100) and Si(111) substrates using different methods and SIC epilayers were grown on each buffer layer at 1050 degrees C with simultaneous supply of C2H4 and Si2H6. The structure of carbonized and epitaxy layers was analyzed with in situ RHEED. The buffer layers formed at 800 degrees C were polycrystalline on both Si(100) and Si(111) substrates whereas they were single crystals, with twins on Si(100) and without tu ins on Si(111)substrates. when formed with a gradual rise in substrate temperature from 300 degrees C to growth temperature. Raising the substrate temperature slowly results in the formation of more twins. Epilayers grown on carbonized polycrystalline lavers are polycrystalline. Single crystal epilayers without twins grow on single crystalline buffer layers without twins or with a few twins. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

长白山阔叶红松林冠层光合生产力的模拟研究

森林作为陆地生态系统的主体，在碳的生物地球化学循环中起着关键的作用，因此对森林生态系统生产力的研究具有重要意义。本文以长白山阔叶红松林为研究对象，在2005年7月~9月对其主要优势种红松、紫椴、蒙古栎、水曲柳的生理生态学参数进行了测定，并利用单叶尺度的光合作用-气孔导度-能量平衡耦合模型，以及冠层尺度的多层模型，对单叶尺度以及冠层尺度的光合作用进行了模拟，主要的结论有： （1）长白山阔叶红松林主要优势树种红松、紫椴、蒙古栎、水曲柳的生理生态学参数：光合有效辐射吸收率a、初始量子效率α、光饱和时的最大净光合作用速率Pmax、最大的Rubisco催化反应速率Vcmax、CO2饱和时的最大净光合作用速率Jmax有着明显且不同的季节变化。7、8月水曲柳的α值最大，分别为0.077、0.064，9月紫椴的最大，为0.051。红松的Vcmax值在7、9月为四个树种中最大的，分别为：49.085、43.072μmol•m-2•s-1，8月为水曲柳最大，为66.041μmol•m-2•s-1。 （2）对优势树种单叶尺度的净光合作用速率An和气孔对CO2的导度gsc进行模拟发现：紫椴、蒙古栎、水曲柳的An、gsc的值在7~9月要大于红松，进入植物生长末期的9月则随着生理活性的下降而迅速下降，而红松则表现较为平稳且略有上升。7月蒙古栎的An、gsc的最大值最大分别为15.055μmol•m-2•s-1、0.400 mol•m-2•s-1；8月水曲柳的最大分别为22.944μmol•m-2•s-1、0.567 mol•m-2•s-1；9月紫椴的最大分别为12.045μmol•m-2•s-1、0.249 mol•m-2•s-1。 （3）通过模拟得到：长白山阔叶红松林冠层2005年8月的净光合作用速率An有着明显的日变化特征， 8月林冠的净光合作用速率最大值可以达到44.880μmol•m-2•s-1，该月白天净光合作用速率的总量可以达到23.580 mol•m-2。通过与观测值比较发现模拟结果能够较好地反映冠层光合作用的特征。