1000 resultados para 14-143A
Resumo:
IEECAS SKLLQG
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IEECAS SKLLQG
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研究了 1 5.1 4MeV/u136 Xe离子在不同批次的 3 2k× 8bits静态存储器中所引起的单粒子效应 .获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系 .将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系 ,而不是线性能量转移(LET)值 .估计了灵敏体积的深度和死层的厚度 .
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用同位旋相关的Boltzmann Langevin方程研究了在入射能量为2 8 7MeV/u下 ,不同弹核 14O ,16 O和 18O轰击不同靶核 7Be和 9Be的反应 ,计算了生成碎片的产生截面 ,发现用丰中子 (缺中子 )炮弹或丰中子 (缺中子 )靶进行反应 ,所得到的产物均有丰中子 (缺中子 )的碎片出现 .同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关 ,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数 ,则同位素分布的宽度越大 ,峰位偏离β稳定线值越远 ,其同位旋效应越明显 .