Photo-Induced Conductivity of Heterojunction GaAs/Rare-Earth Doped SnO2

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Disorder induced interface states and their influence on the AI/Ge nanowires Schottky devices

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Vanadato de bismuto sintetizado por combustão em solução na presença de diferentes combustíveis: síntese, caracterização e estudo da atividade fotocatalítica

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Estados de impurezas em semicondutores e nanoesetruturas sob campos externos

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Investigação da condução elétrica em fitas duplas de dna imobilizadas em eletrodos de ouro por medidas eletroquímicas

Pós-graduação em Química - IQ

Desenvolvimento de dispositivos eletrônico-orgânicos e sua aplicação como sensores em meio aquoso

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Síntese e caracterização do compósito SnO2/TiO2 nanoestruturado

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Estudo das propriedades ópticas e vibracionais de filmes de GaN dopados com Mn elaborados por RF Magnetron Sputtering Reativo

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Análise de dissipadores de calor com filmes de diamante CVD

Dissipadores de calor recobertos com filmes de diamante CVD foram desenvolvidos para acoplar a semicondutores, utilizando-se do Laboratório de Deposição de Filmes de Diamante CVD, na UNESP - Campus de Guaratinguetá e o Laboratório de Diamantes da Universidade São Francisco, em Itatiba, SP. Analisou-se o filme de diamante CVD sobre o silício, para emprego como dissipador de calor, porque o filme de diamante CVD pode ter o valor da condutividade térmica até cinco vezes superior ao do cobre e de dez vezes a do alumínio. Os filmes foram obtidos via deposição através de reator de filamento quente, trabalhando-se com vários filamentos retilíneos em paralelo, resultando assim em um processo que visou obter um filme mais uniforme e com grande área de deposição. Os dados para análises da composição química superficial dos filmes foram obtidos por Difração de Raios-X, Dispersão de Energia de Raios-X e para a verificação da morfologia e espessura do filme foi utilizada a Microscopia Eletrônica de Varredura. Para a verificação do comportamento da temperatura sobre o dissipador com o filme de diamante CVD foi utilizada uma câmera de imagem termográfica, marca Fluke, modelo Ti 40 FT. Foram obtidos filmes de 2 e 10 ?m sobre o silício. Estas espessuras ainda não oferecem um desempenho mecânico que o torne autosustentado. Do ponto de vista de desempenho térmico as análises mostraram que, mesmo com pequena espessura, o filme de diamante CVD apresentou bom resultado experimental. Os principais desafios de construção para esse dissipador de calor são a obtenção do filme com espessura acima de um mm e a garantia da qualidade do filme com a repetitividade do processo em cujo caso torna-se necessário definir as dimensões do dissipador antes da deposição do filme.

Evaluation of the Parameters Affecting the Photoelectrocatalytic Reduction of CO2 to CH3OH at Cu/Cu2O Electrode

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Phenomenological model for the interpretation of impedance/admittance spectroscopy results in polymer light-emitting electrochemical cells

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Electrical behavior analysis of n-type CaCu3Ti4O12 thick films exposed to different atmospheres

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Mechanisms of SnO2 Nanoparticles Formation and Growth in Acid Ethanol Solution Derived from SAXS and Combined Raman-XAS Time-Resolved Studies

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Geometry effects on the electronic properties of multi-open dots structures

In this paper we show that the electronic properties of multi-open dots structures are strongly modified by even smalt changes in their geometries. Our discussion of these effects is done in terms of the interaction among localized states (dot-like) and extended states (channel-like), from which a Fano resonance situation arises.

Photoelectron multipliers based on avalanche pn - i - pn structures

We present a new physical principle to design an optoelectronic device, which consists of a multilayered semiconductor structure, where the necessary conditions for generation of photoelectrons are met, such that it will enable sequential avalanche multiplication of electrons and holes inside two depletion slabs created around the p - n junctions of a reverse biased pn - i - pn structure. The mathematical model and computer simulations of this Semiconductor Photo-electron Multiplier (SPEM) for different semiconductor materials are presented. Its performance is evaluated and compared with that of conventional devices. The Geiger operational mode is briefly discussed which may be used in Silicon Photomultiplier (SiPM) as an elementary photo detector to enhance its performance.