Estudo do efeito inibidor do solicato de sódio na corrosão de uma liga de ali-mg-si, em meio de diferentes concentrações de cloreto

No presente trabalho, estudou-se o efeito inibidor do silicato de sódio na corrosão de uma liga de AI-Mg-Si em meio arejado e desarejado, contendo quantidades variadas de Ion cloreto no pW = 10,O . Nos diferentes tipos de ensaios realizados, tais como, traçado de curvas de polarização, ensaios galvanostáticos e com par galvânico, utilizou-se corpos de prova anodizados ou polidos. Os resultados experimentais mostraram que 1 g/l de silicato de sódio neutro de composição Na2O : 3.3 SiO2, demonstrou total efeito inibidor da corrosão da liga de A1-Mg-Si, em solução contendo até 60 p.p.m. de NaC1. Em concentrações de 1060 p.p,m. e maiores de NaC1, o silicato mostrou apenas efeito retardador da corrosão, com diminuição da incidência de pites. A análise dos produtos de corrosão, formadas sobre a superficie dos pites, feita usando-se raio-X e espectroscopia de infravermelho, mostrou que esses produtos têm estrutura amorfa e contêm silicato e grupos hidroxila. Finalmente, medidas de capacitância da dupla camada, confirmaram a existência de uma película que se forma sobre a superfície da liga de alumínio, quando em solução de silicato.

Clown, o avesso de si : uma análise do clownesco na pós-modernidade

A partir das novas configurações da sociedade contemporânea, esta dissertação tem como objetivo principal analisar como o clown (ou palhaço) habita a cultura pós-moderna, fazendo ver e reverberar o seu potencial de clínica e a inseparabilidade entre palco e vida. Tratamos o clown como caso-pensamento e como figura que foi apropriada pelo imaginário social, com uma história de transgressões, o que permite que se diga ser ele produtor dos "avessos" a partir da perspectiva do humorismo. Além disso, é considerado como um devir que se espalha no cotidiano da cidade. A sociedade pós-moderna (e a cultura) é percebida como dada pelas transformações do capitalismo mundial, onde há uma multiplicidade de escolhas e achatamento da experiência subjetiva. Baseados na experiência da pesquisadora, entrevistas com profissionais e análise de espetáculos clownescos, passamos a entender como pode estar atuando o clown hoje (que se faz na exposição dos ridículos de si mesmo) e sua importância clínica numa cultura onde o glamour de um espetáculo serve cada vez mais para vender sabonetes.

Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si

O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo método de deposição química de organometálicos na fase vapor (MOCVD) sobre Si, contendo uma camada interfacial oxinitretada em NO (óxido nítrico). A caracterização foi realizada utilizando-se técnicas de análise por feixes de íons e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS). Também foram realizadas medidas elétricas sobre os filmes. Os estudos indicaram que esta estrutura é essencialmente estável aos tratamentos térmicos quando é feito um pré-tratamento térmico em atmosfera inerte de argônio, antes de tratamento em atmosfera reativa de oxigênio, exibindo uma maior resistência à incorporação de oxigênio do que quando foi diretamente exposta à atmosfera de oxigênio. Tal estabilidade é atribuída a um sinergismo entre as propriedades do sistema HfO2/Si e a barreira à difusão de oxigênio constituída pela camada interfacial oxinitretada. A composição química dos filmes após os tratamentos térmicos é bastante complexa, indicando que a interface entre o filme e o substrato tem uma composição do tipo HfSixOyNz. Foi observada a migração de Hf para dentro do substrato de Si, podendo esta ser a causa de degradação das características elétricas do filme.

Obtenção de material magnético macio de Fe-Si pelo processo de injeção de pós metálicos

O presente trabalho tem como objetivo estabelecer uma rota alternativa para obtenção de ímãs de Fe-Si pelo processo de injeção de pós metálicos. Utilizando uma matéria-prima de custo mais baixo do que a tradicional e o processo de Mecano Síntese, deseja-se obter um ímã de baixo custo e boas propriedades magnéticas.

Estudo de propriedades magnéticas de filmes finos de cobalto sobre Si(111)

O crescimento de lmes nos ferromagnéticos sobre uma superfícies vicinal induz uma anisotropia uniaxial que atua juntamente com a anisotropia magnetocrislanina. Neste estudo, lmes nos de Co foram depositados sobre Si(111) para investigar o papel dessa anisotropia nas propriedades magnéticas do lme. Os substratos foram preparados quimicamente via uma solução de NH4F e caracterizados via microscopia de força atômica. Os lmes, depositados via desbaste iônico, foram caracterizados estruturalmente via difratometria de raio-x e microscopia de tunelamento. As propriedades magnéticas foram determinadas via magnetometria a efeito Kerr magnetoóptico, onde observou-se a presen ça de uma anisotropia uniaxial dominante. Um modelo fenomelógico de reversão da magnetização via rotação coerente foi aplicado para ajustar as curvas de histerese, e as constantes de anisotropia uniaxial para cada espessura foram determinadas.

Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si

Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Esses filmes foram submetidos a diferentes seqüências de tratamentos térmicos em atmosferas inerte e de O2, e foram caracterizados através de análises de feixe de íons e espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS). Nesse estudo foi observado que a incorporação de oxigênio se dá através da troca com N ou O previamente existente nos filmes. Em filmes de aproximadamente 50 nm de espessura foi observado que a presença do N limita a difusão de oxigênio de forma que a frente de incorporação avança em direção ao interior do filme com o aumento do tempo de tratamento, enquanto nos filmes de HfSiO/Si o oxigênio é incorporado ao longo de todo o filme, mesmo para o tempo mais curto de tratamento. Diferentemente de outros materiais high- estudados, não foi possível observar migração de Si do substrato em direção a superfície dos filmes de HfSiON/Si com aproximadamente 2,5 nm de espessura. Os resultados obtidos nesse trabalho mostram que filmes de HfSiON/Si são mais estáveis termicamente quando comparados com outros filmes dielétricos depositados sobre Si anteriormente estudados, mas antes que ele se torne o dielético de porta é ainda necessário que se controle a difusão de N em direção ao substrato como observado nesse trabalho.

A não espacialidade das coisas em si mesmas à luz da interpretação de Henry Allison

A presente dissertação consiste em um exame do argumento que Kant apresenta na ‘Estética Transcendental’ (Crítica da Razão Pura, A26/B42) em defesa da não espacialidade das coisas em si mesmas. Esse exame está amplamente baseado na interpretação de Henry Allison, seja por assimilar algumas de suas teses interpretativas centrais, seja por insistir no diálogo com os textos do intérprete nos momentos em que deles se distancia ou diverge. São dois os eixos principais da leitura desenvolvida na dissertação. O primeiro é a compreensão da distinção transcendental entre coisas em si mesmas e aparições [Erscheinungen] conforme a assim chamada “teoria dos dois aspectos”. Fruto dos trabalhos de Gerold Prauss e de Allison, essa tese de interpretação reza que a distinção transcendental deve ser entendida não como uma oposição entre reinos disjuntos de entidades, mas como uma distinção de aspectos. O segundo pilar da leitura proposta é a defesa de uma concepção moderada da tese da não espacialidade. Nessa versão moderada, diversamente da formulação mais forte à qual a maioria dos intérpretes costuma aderir, a tese kantiana não estabeleceria que as coisas em si mesmas seriam não-espacias em todo e qualquer sentido que se pudesse conferir ao adjetivo ‘espacial’. Os primeiros capítulos da dissertação concentram-se em averiguar a solidez da teoria dos dois aspectos, em especial, em demonstrar sua compatibilidade com duas importantes teses kantianas, a afirmação que as aparições do sentido externo são espaciais e a referida tese da não espacialidade. O trabalho de conciliação resume-se a esclarecer como é possível afirmar, sem contradição, que aparições e coisas em si mesmas são as mesmas coisas (conquanto consideradas sob aspectos distintos) e que aparições possuem certas propriedades (determinações espaciais) que as coisas em si mesmas não possuem.A solução dessa dificuldade resultou na identificação de duas premissas fundamentais que uma caridosa interpretação baseada na teoria dos aspectos deveria reconhecer no argumento kantiano: de um lado, o princípio do caráter constitutivo da relação cognitiva, de outro, a admissão de uma estrutura judicativa peculiar: o juízo reduplicativo. O terceiro capítulo trata, por fim, do sentido da tese da não espacialidade. Em primeiro lugar, procurou-se desqualificar aquelas interpretações que pretendem fortalecer o peso lógico da tese. Essencial para essa fase crítica da argumentação foi a discussão de dois paradoxos recorrentes na literatura secundária: a célebre objeção suscitada por A. Trendelenburg (a alternativa negligenciada) e a dificuldade de conciliação entre as afirmações da não espacialidade e da incognoscibilidade das coisas em si mesmas. Em um segundo momento, buscou-se apresentar os fundamentos conceituais e exegéticos em favor de uma versão mais fraca da tese kantiana. Em síntese, a investigação pretendeu confirmar a proposição segundo a qual a não espacialidade das coisas em si mesmas, ainda que baseada nas condições ontológicas do representado, estaria prioritariamente fundada nas condições de representação, i.e., nas condições de atribuição dos conteúdos de uma representação consciente objetiva (cognição) ao representado.

Narrativas de si : o olhar feminino nas Histórias de Trabalho

Resumo não disponível.

Cuidar de si, cuidando do outro, ampliando a consciência do eu

Este estudo busca compreender de que forma os cuidadores de enfermagem se percebem no ampliar da consciência de si, cuidando do outro. A investigação caracteriza-se como um estudo qualitativo, exploratório, descritivo. A pesquisa desenvolveu-se em um Hospital Universitário, geral e de grande porte, localizado na cidade de Porto Alegre, RS, Brasil, com sete cuidadores de enfermagem. Para produção e coleta das informações realizaram-se oito oficinas de criatividade e sensibilidade que foram posteriormente transcritas e analisadas através da metodologia de análise de Conteúdo proposta por Bardin. A percepção dos cuidadores de enfermagem sobre o ampliar da consciência de si, desvela-se, neste estudo, através das categorias: Eu - Olhando-me no espelho; Meu “estar-com” o outro; Eu- um ser de cuidado; Eu- sentindo o mundo do cuidado, com suas respectivas subcategorias. A primeira se caracteriza pela percepção que o cuidador de enfermagem tem de si mesmo,de como se percebe como ser de sensibilidade, estético, de possibilidades e possuidor de crenças e valores. A segunda, se caracteriza pela relação que o cuidador de enfermagem tem com a sua família, seus colegas e com o Ser cuidado/paciente. A terceira, caracteriza-se pela compreensão do cuidado relacionado à existencialidade do cuidador e, como eles percebem o (des)cuidado de si. A quarta categoria caracteriza-se por expressar os sentimentos dos cuidadores em relação ao mundo do cuidado no hospital, bem como ele vivencia as condições laborais, neste contexto.

Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si

Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas em Si foi estudado inicialmente em distintas condições de fluência, temperatura e direção de implantação. Após as implantações, as amostras foram tratadas termicamente a 800°C e analisadas por espectroscopia de retroespalhamento Rutherford em condição de canalização (RBS/C), análise de detecção por recuo elástico (ERDA), espectroscopia por emissão de íons secundários (SIMS) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os resultados experimentais mostraram que implantações de He a temperatura ambiente (Ti=Tamb) levam à formação de defeitos numa região intermediária entre a superfície e a camada onde as bolhas se formam (Rp/2), sendo 5x1015He+cm-2 a fluência mínima para a observação do fenômeno. Sua origem foi atribuída à formação de pequenas cavidades nesta região. O mesmo não é observado em implantações a Ti=350°C devido ao efeito do recozimento dinâmico dos defeitos. Estes resultados mostraram a necessidade de um estudo mais profundo a respeito dos efeitos da temperatura de implantação (Ti) na formação de bolhas em Si. Este estudo foi feito a partir de implantações de He no intervalo de temperatura entre -196°C e 350°C, sendo a fluência e a energia de implantação de 2x1016He+cm-2 e 40keV respectivamente. O efeito da proximidade à superfície foi estudado com implantações a 15keV. As amostras foram analisadas pelas mesmas técnicas referidas anteriormente. Para o caso de implantações feitas a 40keV com Tisistema de cavidades esféricas cujas características são dependentes dos estágios iniciais de implantação. No intervalo onde Ti>Tamb pequenas bolhas são formadas durante a implantação juntamente com defeitos estendidos do tipo {311}. A formação destes defeitos é atribuida ao mecanismo de formação das bolhas baseado na emissão de átomos auto-intersticiais de Si. Distintos regimes são observados após recozimento entre 400°C e 800°C por 600s. Para Ti≤250°C observa-se a dissolução do sistema de cavidades e defeitos devido à interação mutua entre os sistemas. Para Ti>250°C cavidades esféricas e anéis de discordância são observados após recozimentos a 800°C. Finalmente, se observou que a energia de implantação (15keV) não afeta a morfologia do sistema de bolhas e defeitos formados. Porém a perda de He é cinco vezes menor que no caso de amostras implantadas a 40 keV na mesma fluência. Um mecanismo baseado na difusão aumentada por danos de irradiação é sugerido neste trabalho.

Eletrodeposição de Co sobre n-Si(100) e caracterização dos depósitos formados

O presente trabalho tem como objetivo a eletrodeposição de cobalto, metal que apresenta caráter magnético, sobre um substrato de silício (100) tipo “n”, tendo em vista que a eletrodeposição em um substrato semicondutor apresenta diferenças se comparada à eletrodeposição em um substrato metálico (condutor). Investigou-se a possível influência do nível de dopagem do semicondutor nas características do sistema eletroquímico e nos depósitos de cobalto. Para isto foram utilizadas amostras de Si (100) tipo “n”, de duas diferentes resistividades: <0,005Wcm e 50-100Wcm. Os depósitos de cobalto foram obtidos a partir de duas diferentes técnicas: potenciostática e galvanostática. Foram realizadas curvas de voltametria cíclica em solução contendo íon cobalto e em solução isenta do mesmo. Soluções de duas diferentes concentrações, 1mM e 10mM de CoSO4, foram utilizadas nos experimentos. Sacarina foi adicionada eventualmente à solução com o objetivo de refinar o tamanho dos núcleos de cobalto. A cinética de nucleação foi estudada utilizando os modelos teóricos para nucleação instantânea e progressiva propostos por Scharifker e Hills Tanto as curvas de voltametria cíclica quanto as cronopotenciométricas e cronoamperométricas apresentaram comportamento diferenciado quando da utilização de um eletrodo semicondutor com as duas diferentes resistividades. Através da utilização de um eletrodo metálico foi possível verificar as diferenças de comportamento existentes entre um eletrodo condutor e um semicondutor. Os depósitos de cobalto foram morfologicamente caracterizados por microscopia de força atômica e microscopia eletrônica de varredura. A superfície hidrogenada do silício, após a remoção do óxido de silício, foi observada por microscopia de força atômica. A técnica de difração de raios x foi utilizada para a verificação da estrutura do substrato e dos eletrodepósitos de cobalto. A caracterização magnética dos filmes de cobalto foi realizada por um magnetômetro de campo de gradiente alternado (AGFM). Os depósitos de cobalto obtidos potenciostaticamente apresentaram diferenças morfológicas quando obtidos sobre substrato de silício de diferentes resistividades. Apesar das diferenças morfológicas, as curvas de magnetização foram semelhantes. Com relação à microestrutura, houve a ocorrência de orientação preferencial e de ambas as fases do cobalto,hexagonal compacta e cúbica de face centrada. O aditivo sacarina alterou significativamente a morfologia, microestrutura e comportamento magnético dos depósitos. Depósitos galvanostáticos não apresentaram diferença morfológica significativa quando obtidos sobre silício de duas diferentes resistividades, porém, são morfologicamente diferentes dos depósitos potenciostáticos. A microestrutura destes depósitos apresentou predominância da fase amorfa. As curvas de magnetização também apresentaram diferenças das curvas obtidas para os depósitos potenciostáticos.

A criação de si e os encontros amorosos no contemporâneo

É próprio do amor carregar as virtualidades que o renovam e transformam em cada dobra do tempo-espaço. Essas se atualizam, mas não se esgotam, continuando a provocar novos devires. A questão, aqui, é acompanhar alguns movimentos subjetivos de uma garota que procura viver o amor no contemporâneo, tomando seus desdobramentos como modos de viver esse tempo, como processos que afirmam uma criação de si, e, porque não dizer, uma despersonalização. A dificuldade se encontra em colocar o amor em relação às singularidades desse tempo, sem que com isso se faça uma leitura nostálgica, dramática, claustrofóbica dos movimentos que, hoje, se insinuam. O conceito escolhido para essa leitura foi o conceito de outrem em Deleuze. Com esse, busca-se garantir as transformações subjetivas ocorridas por quem se aventura amorosamente no contemporâneo em seus diferentes desdobramentos.

Determinação da posição reticular de F em Si

Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a camada amorfa através do processo de Epitaxia de Fase Sólida (EFS). Empregamos as técnicas de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford, na condição de canalização iônica, e de Análise por Reação Nuclear (NRA), através da reação ressonante ( ) O p F 16 19 , αγ , à 5 , 340 keV, para determinar a posição dos átomos de F e, depois, reproduzimos os resultados experimentais através do programa de simulação computacional chamado Simulação Adaptada de Canalização de Íons Rápidos em Sólidos (CASSIS - Channeling Adapted Simulation of Swift Ions in Solids). Os resultados obtidos apontam para duas possíveis combinações lineares distintas de sítios. Uma delas concorda com a proposta teórica de Hirose et al. (Materials Science & Engineering B – 91-92, 148, 2002), para uma condição experimental similar. Nessa configuração, os átomos de F estão na forma de complexos entre átomos de flúor e vacâncias (F-V). A outra combinação ainda não foi proposta na literatura e também pode ser pensada como um tipo de complexo F-V.

Relaxação estrutural de camadas pseudomórficas de SiGe/Si(100) induzida pela implantação iônica de He ou Si e tratamento térmico

O Si tensionado (sSi) é um material com propriedades de transporte eletrônico bastante superiores as do Si, sendo considerado como uma alternativa importante para a produção de dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor) de mais alta performance (e.g. freqüências de operação f>100 GHz). O sSi é obtido através do crescimento epitaxial de Si sobre um substrato de mesma estrutura cristalina, porém com parâmetro de rede diferente. Esta tese apresenta uma investigação detalhada de um novo método que possibilita a produção de camadas relaxadas de Si1xGex com espessuras inferiores a 300 nm, consideradas como a melhor alternativa tecnológica para a produção de sSi. Este método envolve a implantação de íons de He+ ou de Si+ em heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) e tratamentos térmicos. Foram estudados os efeitos dos diversos parâmetros experimentais de implantação e tratamentos térmicos sobre o processo de relaxação estrutural, utilizando-se heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) crescidas via deposição de vapor químico, com distintas concentrações de Ge (0,19x 0,29) e com espessuras entre 70 e 425 nm. Com base no presente estudo foi possível identificar diversos mecanismos atômicos que influenciam o processo de relaxação estrutural das camadas de Si1-xGex/Si(001). O processo de relaxação é discutido em termos de um mecanismo complexo que envolve formação, propagação e interação de discordâncias a partir de defeitos introduzidos pela implantação. No caso das implantações de He, por exemplo, descobrimos que podem ocorrer perdas de He durante as implantações e que este efeito influencia negativamente a relaxação de camadas finas. Além disso, também demonstramos que os melhores resultados são obtidos para energias e fluências de implantação que resultam na formação de bolhas planas localizadas no substrato de Si a uma distância da interface equivalente a uma vez a espessura da camada de SiGe. O grau de relaxação satura em 50% para camadas de SiGe com espessura 100 nm. Este resultado é discutido em termos da energia elástica acumulada na camada de SiGe e da retenção de He. No caso de implantações de Si, discutimos a formação de defeitos tipo {311} e sua transformação térmica em discordâncias. Este estudo resultou numa visão abrangente dos principais fatores limitantes do processo, bem como na otimização dos valores de parâmetros experimentais para a produção de camadas de SiGe com alto grau de relaxação e com baixa densidade de defeitos.