Globalización Homogenización o fragmentación.

El origen del auge económico de 1983 a 1989 se encuentra en el mecanismo de déficit del tesoro norteamericano, que alcanzó la cifra de 134 billones de dólares en 1982; 230,8 billones en 1983, manteniéndose en este escalón hasta 1989 (237.8 billones); este déficit se habían elevado en la década de los 70 en torno a los 50 billones de dólares anuales, lo que llevó a un amplio movimiento por la contención de los gastos o por el aumento de los impuestos en el país. Reagan eliminó la segunda hipótesis (llegando inclusive a reducir los impuestos sobre el capital y las rentas elevadas) y realizó cortes en los presupuestos, solamente de los gastos sociales, bajo la presión del establishment de investigación y desarrollo militar dedicado a la tecnología; aumentaron drásticamente los gastos militares y en particular aquellos relacionados con investigaciones de las tecnologías de punta que se sintetizaron en la iniciativa de la defensa estratégica, la ridícula guerra de las galaxias que se convirtió en objeto de crítica de las mayores autoridades científicas del país por su inviabilidad y por el desperdicio de recursos que representaba y aún representa. De alguna manera, podemos comparar la guerra de las galaxias con el papel económico que Keynes atribuía a las pirámides egipcias: un enorme gasto estatal para generar empleo y renta y permitir así el funcionamiento de la economía. El diagnóstico neoliberal coincide en que una de las causas inmediatas de la crisis económica de América latina se encuentra en la recesión internacional de los años ochenta, en especial por la combinación de caídas acentuadas en los precios de las exportaciones y agudas alzas en la tasas de interés reales en el mercado internacional, lo que provocó un cuantioso déficit en las cuentas externas de la región. La actual corriente de pensamiento denominada neoestructuralismo afirma, en lo fundamental, que los problemas económicos principales y la condición de subdesarrollados que aún prevalece en los países latinoamericanos no se debe tanto a distorsiones inducidas por la política económica sino que, más bien, son de origen histórico y de índole endógena y estructural. A juicio de Rosales (1988), una muestra palpable de esta * Economista, profesor investigador del Grupo de realidad subyace en tres características cruciales de la economía latinoamericana de fines de los años ochenta: a) la vigencia de un patrón de inserción externa que, dadas las tendencias del comercio y el sistema financiero internacional, conduce a una especificación empobrecedora; b)el predominio de factor productivo desarticulado, vulnerable y muy heterogéneo y concentrador del progreso técnico, incapaz de absorber productivamente el aumento de la fuerza de trabajo; y c) la persistencia de una distribución de ingreso muy concentrada y excluyente, que evidencia la incapacidad del sistema para disminuir la pobreza. El presente documento se presenta en tres partes, iniciando por un acercamiento al modelo que hoy conocemos como neoliberal; para posteriormente hacer un intento de comparar el modelo neoestructuralista con el modelo neoliberal, teniendo como hecho presente que este intento está enmarcado en los años noventa; y finalmente se esboza un marco teórico en cuanto a la posición del neoestructuralismo frente a los problemas del desarrollo latinoamericano; este documento solamente intenta dar una breve mirada al neoliberalismo en América latina, sin desestimar los alcances del mismo dentro y fuera de nuestras latitudes. 

Diseño de un banco comunal para familias reubicadas de la zona de Santa Inés-El Cartucho

La pobreza en el contexto urbano colombiano, ha adquirido un carácter estructural, como resultado de la superposición de varios factores. En primer lugar, las migraciones de las zonas rurales a la ciudad, derivadas de la violencia política, han ocasionado no sólo un crecimiento demográfico y urbanístico desordenado, sino que dada la baja capacidad de la economía citadina para absorber en el mercado de trabajo la creciente mano de obra inmigrante, -que por demás en su mayoría tiene bajos niveles educativos- para esta población , solo queda como alternativa de supervivencia, el ejercicio de actividades informales, ilegales, o formales de bajo perfil con precaria remuneración, lo cual no sólo impide que logren mejorar su calidad de vida mediante la satisfacción de sus necesidades básicas, sino que además, determina la reproducción de los círculos de pobreza e inequidad, creando una singular patología social. En

Cálculo de constantes ópticas de películas delgadas de Cu3BiS3 a través del método de Wolfe

Se calculó la obtención de las constantes ópticas usando el método de Wolfe. Dichas contantes: coeficiente de absorción (α), índice de refracción (n) y espesor de una película delgada (d ), son de importancia en el proceso de caracterización óptica del material. Se realizó una comparación del método del Wolfe con el método empleado por R. Swanepoel. Se desarrolló un modelo de programación no lineal con restricciones, de manera que fue posible estimar las constantes ópticas de películas delgadas semiconductoras, a partir únicamente, de datos de transmisión conocidos. Se presentó una solución al modelo de programación no lineal para programación cuadrática. Se demostró la confiabilidad del método propuesto, obteniendo valores de α = 10378.34 cm−1, n = 2.4595, d =989.71 nm y Eg = 1.39 Ev, a través de experimentos numéricos con datos de medidas de transmitancia espectral en películas delgadas de Cu3BiS3.

ESTUDIO ESTRUCTURAL DE SEMICONDUCTORES USADOS EN APLICACIONES FOTOVOLTAICAS

Se presenta un estudio de las propiedades estructurales de los semiconductores Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 y Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) usados como capa absorbente en dispositivos optoelectrónicos. Todas las muestras fueron crecidas por procesos de co-evaporación de sus especies metálicas sobre sustratos de vidrio. El efecto de las condiciones de preparación sobre las propiedades estructurales y composición química han sido analizados y obtenidos a partir de difracción de rayos-X (XRD) y espectroscopia de electrones Auger (AES). Los resultados revelan que todos los compuestos crecen con estructura ortorrómbica, a diferencia del SnS2 y el CIGS, que crecen con estructura hexagonal y tetragonal, respectivamente. Los resultados composicionales revelaron que a partir de la deconvolución de sus picos se encontraron fases asociadas a Cu2Se y In2Se3

Hall Effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films

Se presentan las propiedades eléctricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporación. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a través de medidas de efecto Hall y fotovoltaje superficial transiente (SPV). A través de medidas de efecto Hall se encontró que la concentración de portadores de carga n es del orden de 1016 cm-3 independiente de la relación de masas de Cu/Bi. También se encontró que la movilidad de este compuesto (μ del orden de 4 cm2V -1s-1) varía de acuerdo con los mecanismos de transporte que la gobiernan en dependencia con la temperatura. A partir de las medidas de SPV se encontró alta densidad de defectos superficiales, defectos que son pasivados al superponer una capa buffer sobre el compuesto Cu3BiS3.