Gestió de pressupostos per a la construcció

En els últims anys el sector de la construcció ha experimentat un creixement exponencial. Aquest creixement ha repercutit sobre molts aspectes: des de la necessitat de tenir més personal a les obres, la implantació d’unes oficines per a poder gestionar la compatibilitat i portar un control sobre les obres fins a la necessitat d’haver de disposar de programes informàtics específics que ajudin a realitzar la feina de la manera més còmode i àgil possible. El projecte que s’ha dut a terme consisteix a cobrir una d’aquestes necessitats, que és la de la gestió dels pressupostos en les diferents obres que els constructors realitzen. Utilitza la base de dades de l’ITEC (institut de Tecnologia de la Construcció de Catalunya) sobre la qual treballen la immensa majoria dels arquitectes quan dissenyen les obres, però també permet entrar les pròpies dades que el constructor vulgui. L’usuari de l’aplicació podrà fer pressupostos per obres de nova construcció, reformes ... agrupant cada una d’elles per capítols. Aquests capítols els podem entendre com les diferents fases a dur a terme, per exemple: la construcció dels fonaments, l’aixecament de les parets o fer la teulada. Dins dels capítols hi trobem les partides, que és un conjunt de materials i hores de feina i maquinària per a dur a terme una part de l’obra, com per exemple seria fer un envà de separació entre habitacions. En aquest cas hi tindríem els diferents materials que necessitaríem, totxanes, morter; les hores de manobre necessàries per aixecar-la, el transport de tot el material fins a l’obra... Tots aquests paràmetres (materials, hores, transport...) s’anomenen articles i van inclosos a dins de les partides. Aquesta aplicació està dissenyada per funcionar en un entorn client/servidor, utilitzant com a servidor un Linux OpenSuse 10.2 i com a clients estacions de treball amb Windows XP, tot i que també podríem utilitzar d’altres versions dels sistemes operatius de Microsoft. L’entorn de desenvolupament utilitzat és el del llenguatge FDS , el qual ja porta integrat un gestor de fitxers que és el que es farà servir.

Sistemes logístics de codificació i identificació, i perspectives de futur

Comptar amb sistemes sofisticats de gestió o programes ERP (Enterprise Resource Planning) no és suficient per a les organitzacions. Per a què aquests recursos donin resultats adequats i actualitzats, la informació d’entrada ha de llegir-se de forma automàtica, per aconseguir estalviar en recursos, eliminació d’errors i assegurar el compliment de la qualitat. Per aquest motiu és important comptar amb eines i serveis d’identificació automàtica i col•lecció de dades. Els principals objectius a assolir (a partir de la introducció al lector de la importància dels sistemes logístics d’identificació en un entorn global d’alta competitivitat), són conèixer i comprendre el funcionament de les tres principals tecnologies existents al mercat (codis de barres lineals, codis de barres bidimensionals i sistemes RFID), veure en quin estat d’implantació es troba cadascuna i les seves principals aplicacions. Un cop realitzat aquest primer estudi es pretén comparar les tres tecnologies per o poder obtenir perspectives de futur en l’àmbit de l’autoidentificació. A partir de la situació actual i de les necessitats de les empreses, juntament amb el meravellós món que sembla obrir la tecnologia RFID (Radio Frequency Identification), la principal conclusió a la que s’arribarà és que malgrat les limitacions tècniques dels codis de barres lineals, aquests es troben completament integrats a tota la cadena logística gràcies a l’estandarització i la utilització d’un llenguatge comú, sota el nom de simbologies GTIN (Global Trade Item Number), durant tota la cadena de subministres que garanteixen total traçabilitat dels productes gràcies en part a la gestió de les bases de dades i del flux d’informació. La tecnologia RFUD amb l’EPC (Electronic Product Code) supera aquestes limitacions, convertint-se en el màxim candidat per a substituir els limitats codis de barres. Tot i això, RFID, amb l’EPC, no serà un adequat identificador logístic fins que es superin importants barreres, com són la falta d’estandarització i l’elevat cost d’implantació.

Implantació d'un sistema de gestió integrada: ISO 9001:00, ISO 14001:04 i OHSAS 18001:07, en un centre d'estètica i perruqueria

En aquests últims anys, són moltes les empreses que han optat per la utilització de sistemes de gestió normalitzats, per a garantir la rendibilitat i fiabilitat dels resultats de la implantació del sistema de gestió en qüestió. A la dècada dels 90 va ser quan la implantació de sistemes de gestió va començar a ser important en la majoria de sectors econòmics. L’evolució en els sistemes de gestió a trets generals va iniciar-se primerament en l’àmbit de la qualitat, seguidament en la gestió ambiental i en última instància en la prevenció de riscos laborals. Aquests tres tipus de sistemes de gestió, en els últims anys s’han anat integrant, de manera que s’han reduït els recursos i els esforços emprats en la gestió, millorant significativament l’eficàcia i l’eficiència d’aquests sistemes. L’objectiu principal que persegueix aquest projecte, és definir un sistema de gestió que permeti a l’empresa conduir les seves activitats de forma simplificada i ordenada, i que alhora faciliti la informació necessària per a corregir i millorar les activitats. Un altre objectiu que pretén aconseguir aquest projecte, és el de dissenyar un SGI que aprofiti les sinèrgies generades en els diferents àmbits de la pròpia empresa i fomenti les interaccions entre els diferents nivells de l’organització. En conseqüència, millorarà de forma important els fluxos d’informació dins de l’empresa minimitzant els esforços i la pèrdua d’informació. El mètode escollit per a la implantació del SGI, ha estat la Gestió per Processos, la qual es basa en la definició i seguiment dels processos de l’empresa, partint de les necessitats del client i acabant quan aquestes estan satisfetes. En conclusió, a la finalització del present projecte s’obtindrà un SGI, amb tots els processos de l’empresa definits i implantats, que doni compliment a les normes UNEEN-ISO 9001:00, UNE-EN-ISO 14001:04 i OHSAS 18001:07. Aquest SGI, que s’ha realitzat des d’un punt de vista documental i teòric, suposarà una millora de l’eficàcia operativa dels processos i una important millora competitiva de l’empresa.

Vacancy and interstitial depth profiles in ion-implanted silicon

An experimental method of studying shifts between concentration-versus-depth profiles of vacancy- and interstitial-type defects in ion-implanted silicon is demonstrated. The concept is based on deep level transient spectroscopy measurements utilizing the filling pulse variation technique. The vacancy profile, represented by the vacancy¿oxygen center, and the interstitial profile, represented by the interstitial carbon¿substitutional carbon pair, are obtained at the same sample temperature by varying the duration of the filling pulse. The effect of the capture in the Debye tail has been extensively studied and taken into account. Thus, the two profiles can be recorded with a high relative depth resolution. Using low doses, point defects have been introduced in lightly doped float zone n-type silicon by implantation with 6.8 MeV boron ions and 680 keV and 1.3 MeV protons at room temperature. The effect of the angle of ion incidence has also been investigated. For all implantation conditions the peak of the interstitial profile is displaced towards larger depths compared to that of the vacancy profile. The amplitude of this displacement increases as the width of the initial point defect distribution increases. This behavior is explained by a simple model where the preferential forward momentum of recoiling silicon atoms and the highly efficient direct recombination of primary point defects are taken into account.

Low-loss rib waveguides containing Si nanocrystals embedded in SiO2

We report on the study and modeling of the structural and optical properties of rib-loaded waveguides working in the 600-900-nm spectral range. A Si nanocrystal (Si-nc) rich SiO2 layer with nominal Si excess ranging from 10% to 20% was produced by quadrupole ion implantation of Si into thermal SiO2 formed on a silicon substrate. Si-ncs were precipitated by annealing at 1100°C, forming a 0.4-um-thick core layer in the waveguide. The Si content, the Si-nc density and size, the Si-nc emission, and the active layer effective refractive index were determined by dedicated experiments using x-ray photoelectron spectroscopy, Raman spectroscopy, energy-filtered transmission electron microscopy, photoluminescence and m-lines spectroscopy. Rib-loaded waveguides were fabricated by photolithographic and reactive ion etching processes, with patterned rib widths ranging from 1¿to¿8¿¿m. Light propagation in the waveguide was observed and losses of 11dB/cm at 633 and 780 nm were measured, modeled and interpreted.

Size dependence of refractive index of Si nanoclusters embedded in SiO2

he complex refractive index of SiO2 layers containing Si nanoclusters (Si-nc) has been measured by spectroscopic ellipsometry in the range from 1.5 to 5.0 eV. It has been correlated with the amount of Si excess accurately measured by x-ray photoelectron spectroscopy and the nanocluster size determined by energy-filtered transmission electron microscopy. The Si-nc embedded in SiO2 have been produced by a fourfold Si+ ion implantation, providing uniform Si excess aimed at a reliable ellipsometric modeling. The complex refractive index of the Si-nc phase has been calculated by the application of the Bruggeman effective-medium approximation to the composite media. The characteristic resonances of the refractive index and extinction coefficient of bulk Si vanish out in Si-nc. In agreement with theoretical simulations, a significant reduction of the refractive index of Si-nc is observed, in comparison with bulk and amorphous silicon. The knowledge of the optical properties of these composite layers is crucial for the realization of Si-based waveguides and light-emitting devices.

White luminescence from Si+ and C+ ion-implanted SiO2 films

The microstructural and optical analysis of SiO2 layers emitting white luminescence is reported. These structures have been synthesized by sequential Si+ and C+ ion implantation and high-temperature annealing. Their white emission results from the presence of up to three bands in the photoluminescence (PL) spectra, covering the whole visible spectral range. The microstructural characterization reveals the presence of a complex multilayer structure: Si nanocrystals are only observed outside the main C-implanted peak region, with a lower density closer to the surface, being also smaller in size. This lack of uniformity in their density has been related to the inhibiting role of C in their growth dynamics. These nanocrystals are responsible for the band appearing in the red region of the PL spectrum. The analysis of the thermal evolution of the red PL band and its behavior after hydrogenation shows that carbon implantation also prevents the formation of well passivated Si/SiO2 interfaces. On the other hand, the PL bands appearing at higher energies show the existence of two different characteristics as a function of the implanted dose. For excess atomic concentrations below or equal to 10%, the spectra show a PL band in the blue region. At higher doses, two bands dominate the green¿blue spectral region. The evolution of these bands with the implanted dose and annealing time suggests that they are related to the formation of carbon-rich precipitates in the implanted region. Moreover, PL versus depth measurements provide a direct correlation of the green band with the carbon-implanted profile. These PL bands have been assigned to two distinct amorphous phases, with a composition close to elemental graphitic carbon or stoichiometric SiC.

Efficient energy transfer from Si clusters to Er3+ in complex silicate glasses

We present an extensive study of the structural and optical emission properties in aluminum silicates and soda-lime silicates codoped with Si nanoclusters (Si-nc) and Er. Si excess of 5 and 15¿at.¿% and Er concentrations ranging from 2×1019 up to 6×1020¿cm¿3 were introduced by ion implantation. Thermal treatments at different temperatures were carried out before and after Er implantation. Structural characterization of the resulting structures was performed to obtain the layer composition and the size distribution of Si clusters. A comprehensive study has been carried out of the light emission as a function of the matrix characteristics, Si and Er contents, excitation wavelength, and power. Er emission at 1540¿nm has been detected in all coimplanted glasses, with similar intensities. We estimated lifetimes ranging from 2.5¿to¿12¿ms (depending on the Er dose and Si excess) and an effective excitation cross section of about 1×10¿17¿cm2 at low fluxes that decreases at high pump power. By quantifying the amount of Er ions excited through Si-nc we find a fraction of 10% of the total Er concentration. Upconversion coefficients of about 3×10¿18¿cm¿3¿s¿1 have been found for soda-lime glasses and one order of magnitude lower in aluminum silicates.

Modificacion de las propiedades opticas y mecanicas de polimeros mediante implantacion ionica

En el presente trabajo se estudian los efectos introducidos por la implantación de Nitrógeno atómico y Silicio sobre probetas de policarbonato empleadas para usos ópticos. Distintas dosis de Nitrógeno y Silicio fueron implantadas de cara a poner de manifiesto el efecto de la dosis sobre las propiedades ópticas y mecánicas. Se llevaron a cabo ensayos mecánicos de microdureza, nanodureza, y AFM, así como ensayos ópticos de Reflexión-absorción IR y Transmitancia UV-VIS. Los resultados muestran un endurecimiento superficial para las implantaciones a dosis altas de Nitrógeno, así como cambios considerables en los espectros de transmitancia.

Characterization of human pancreatic orthotopic tumor xenografts suitable for drug screening

Background Efforts to identify novel therapeutic options for human pancreatic ductal adenocarcinoma (PDAC) have failed to result in a clear improvement in patient survival to date. Pancreatic cancer requires efficient therapies that must be designed and assayed in preclinical models with improved predictor ability. Among the available preclinical models, the orthotopic approach fits with this expectation, but its use is still occasional. Methods An in vivo platform of 11 orthotopic tumor xenografts has been generated by direct implantation of fresh surgical material. In addition, a frozen tumorgraft bank has been created, ensuring future model recovery and tumor tissue availability. Results Tissue microarray studies allow showing a high degree of original histology preservation and maintenance of protein expression patterns through passages. The models display stable growth kinetics and characteristic metastatic behavior. Moreover, the molecular diversity may facilitate the identification of tumor subtypes and comparison of drug responses that complement or confirm information obtained with other preclinical models. Conclusions This panel represents a useful preclinical tool for testing new agents and treatment protocols and for further exploration of the biological basis of drug responses.