Elektrische Charakterisierung von GaN-basierten Halbleitersystemen

Galliumnitrid, elektrische und photoelektrische Eigenschaften, Heterostrukturen, Störstellen, Defekte, Dotierung, Ionenimplantation, Schottky-Raumladung

On boundary value problems for Willmore surfaces and Hartree-Fock theory of pseudo-relativistic atoms

Magdeburg, Univ., Fak. für Mathematik, kumulative Habil.-Schr., 2011

Growth of semi-polar GaN on high index silicon (11h) substrates by metal organic vapor phase epitaxy

Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Diss., 2014

Wachstumsoptimierung und Charakterisierung von MOVPE-basierten GaN Pufferstrukturen auf Si(111) Substraten

Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Diss., 2014