Elektrische Charakterisierung von GaN-basierten Halbleitersystemen
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
Galliumnitrid, elektrische und photoelektrische Eigenschaften, Heterostrukturen, Störstellen, Defekte, Dotierung, Ionenimplantation, Schottky-Raumladung Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Diss., 2000 von André Krtschil |
| Formato |
Online-Ressource (PDF-Datei: 140 S., 1189 KB) |
| Identificador |
urn:nbn:de:101:1-201010122182 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:101:1-201010122182 system:337481415 |
| Idioma(s) |
ger |
| Publicador |
Universitätsbibliothek |
| Palavras-Chave | #Hochschulschrift #Online-Publikation |
