Computação em nuvem: avaliação do retorno do investimento: o caso do Ensino Superior Português

Em Portugal, as instituições de ensino superior dispõem de plataformas de e-learning que reflectem uma mais-valia para o processo de ensino-aprendizagem. No entanto, estas plataformas caracterizam-se por serem de âmbito privado expondo, desta forma, a tímida abertura das instituições na partilha do seu conhecimento, como também dos seus recursos. O paradigma Cloud Computing surge como uma solução, por exemplo, para a criação de uma federação de nuvens capaz de contemplar soluções heterogéneas, garantindo a interoperabilidade entre as plataformas das várias instituições de ensino, e promovendo os objectivos propostos pelo Processo de Bolonha, nomeadamente no que se refere à partilha de informação, de plataformas e serviços e promoção de projectos comuns. Neste âmbito, é necessário desenvolver ferramentas que permitam aos decisores ponderar as mais-valias deste novo paradigma. Assim, é conveniente quantificar o retorno esperado para o investimento, em recursos humanos e tecnológicos, exigido pelo modelo Cloud Computing. Este trabalho contribui para o estudo da avaliação do retorno do investimento (ROI) em infra-estruturas e serviços TIC (Tecnologias de Informação e Comunicação), resultante da análise de diferentes cenários relativos à introdução do paradigma Cloud Computing. Para tal, foi proposta uma metodologia de análise baseada num questionário, distribuído por diversas instituições de ensino superior portuguesas, contendo um conjunto de questões que permitiram identificar indicadores, e respectivas métricas, a usar na elaboração de modelos de estimação do ROI.

Controlador dedicado de Ecrãs LCD/TFT

Para dar resposta aos grandes avanços tecnológicos e, consequentemente, à postura mais exigente dos clientes, a empresa Francisco Parracho – Electrónica Industrial, Lda., que tem actividade no ramo dos elevadores, decidiu introduzir no mercado um controlador dedicado de ecrãs Liquid Crystal Display / Thin Film Transistor (LCD / TFT). O objectivo é substituir um sistema suportado por um computador, caracterizado pelas suas elevadas dimensões e custos, mas incontornável até à data, nomeadamente para resoluções de ecrã elevadas. E assim nasceu este trabalho. Com uma selecção criteriosa de todos os componentes e, principalmente, sem funcionalidades inúteis, obteve-se um sistema embebido com dimensões e custos bem mais reduzidos face ao seu opositor. O ecrã apontado para este projecto é um Thin Film Transistor – Liquid Crystal Display (TFT-LCD) da Sharp de 10.4” de qualidade industrial, com uma resolução de 800 x 600 píxeis a 18 bits por píxel. Para tal, foi escolhido um micro-controlador da ATMEL, um AVR de 32 bits que, entre outras características, possui um controlador LCD que suporta resoluções até 2048 x 2048 píxeis, de 1 a 24 bits por píxel. Atendendo ao facto deste produto ser inserido na área dos elevadores, as funcionalidades, quer a nível do hardware quer a nível do software, foram projectadas para este âmbito. Contudo, o conceito aqui exposto é adjacente a quaisquer outras áreas onde este produto se possa aplicar, até porque o software está feito para se tornar bem flexível. Com a ajuda de um kit de desenvolvimento, foram validados os drivers dos controladores e periféricos base deste projecto. De seguida, aplicou-se esse software numa placa de circuito impresso, elaborada no âmbito deste trabalho, para que fossem cumpridos todos os requisitos requeridos pela empresa patrocinadora: - Apresentação de imagens no ecrã consoante o piso; - Possibilidade de ter um texto horizontalmente deslizante;Indicação animada do sentido do elevador; - Representação do piso com deslizamento vertical; - Descrição sumária do directório de pisos também com deslizamento vertical; - Relógio digital; - Leitura dos conteúdos pretendidos através de um cartão SD/MMC; - Possibilidade de actualização dos conteúdos via USB flash drive.

Luminol-doped nanostructured composite materials for chemiluminescent sensing of hydrogen peroxide

Silica based nanostructured composite materials doped with luminol and cobalt(II) ion were synthesized and characterized, resulting in a highly chemiluminescent material in the presence of hydrogen peroxide. A detection system with the CL light guided from the reaction tube to the photomultiplier tube using a one millimeter glass optical fiber was developed and assessed. A linear response was observed using a semi-logarithm calibration between 50–2000 µM hydrogen peroxide with 1 µM as the limit of detection.

Thermodynamic pathway for the formation of SnSe and SnSe2 polycrystalline thin films by selenization of metal precursors

In this work, tin selenide thin films (SnSex) were grown on soda lime glass substrates by selenization of dc magnetron sputtered Sn metallic precursors. Selenization was performed at maximum temperatures in the range 300 °C to 570 °C. The thickness and the composition of the films were analysed using step profilometry and energy dispersive spectroscopy, respectively. The films were structurally and optically investigated by X-ray diffraction, Raman spectroscopy and optical transmittance and reflectance measurements. X-Ray diffraction patterns suggest that for temperatures between 300 °C and 470 °C, the films are composed of the hexagonal-SnSe2 phase. By increasing the temperature, the films selenized at maximum temperatures of 530 °C and 570 °C show orthorhombic-SnSe as the dominant phase with a preferential crystal orientation along the (400) crystallographic plane. Raman scattering analysis allowed the assignment of peaks at 119 cm−1 and 185 cm−1 to the hexagonal-SnSe2 phase and those at 108 cm−1, 130 cm−1 and 150 cm−1 to the orthorhombic-SnSe phase. All samples presented traces of condensed amorphous Se with a characteristic Raman peak located at 255 cm−1. From optical measurements, the estimated band gap energies for hexagonal-SnSe2 were close to 0.9 eV and 1.7 eV for indirect forbidden and direct transitions, respectively. The samples with the dominant orthorhombic-SnSe phase presented estimated band gap energies of 0.95 eV and 1.15 eV for indirect allowed and direct allowed transitions, respectively.

Cu2ZnSnS4 absorber layers obtained through sulphurization of metallic precursors: Graphite box versus sulphur flux

In this work we employed a hybrid method, combining RF-magnetron sputtering with evaporation, for the deposition of tailor made metallic precursors, with varying number of Zn/Sn/Cu (ZTC) periods and compared two approaches to sulphurization. Two series of samples with 1×, 2× and 4× ZTC periods have been prepared. One series of precursors was sulphurized in a tubular furnace directly exposed to a sulphur vapour and N2+5% H2 flux at a pressure of 5.0×10+4 Pa. A second series of identical precursors was sulphurized in the same furnace but inside a graphite box where sulphur pellets have been evaporated again in the presence of N2+5% H2 and at the same pressure as for the sulphur flux experiments. The morphological and chemical analyses revealed a small grain structure but good average composition for all three films sulphurized in the graphite box. As for the three films sulphurized in sulphur flux grain growth was seen with the increase of the number of ZTC periods whilst, in terms of composition, they were slightly Zn poor. The films' crystal structure showed that Cu2ZnSnS4 is the dominant phase. However, in the case of the sulphur flux films SnS2 was also detected. Photoluminescence spectroscopy studies showed an asymmetric broad band emission whichoccurs in the range of 1–1.5 eV. Clearly the radiative recombination efficiency is higher in the series of samples sulphurized in sulphur flux. We have found that sulphurization in sulphur flux leads to better film morphology than when the process is carried out in a graphite box in similar thermodynamic conditions. Solar cells have been prepared and characterized showing a correlation between improved film morphology and cell performance. The best cells achieved an efficiency of 2.4%.

Hopping conduction and persistent photoconductivity in Cu2ZnSnS4 thin films

The temperature dependence of electrical conductivity and the photoconductivity of polycrystalline Cu2ZnSnS4 were investigated. It was found that at high temperatures the electrical conductivity was dominated by band conduction and nearest-neighbour hopping. However, at lower temperatures, both Mott variable-range hopping (VRH) and Efros–Shklovskii VRH were observed. The analysis of electrical transport showed high doping levels and a large compensation ratio, demonstrating large degree of disorder in Cu2ZnSnS4. Photoconductivity studies showed the presence of a persistent photoconductivity effect with decay time increasing with temperature, due to the presence of random local potential fluctuations in the Cu2ZnSnS4 thin film. These random local potential fluctuations cannot be attributed to grain boundaries but to the large disorder in Cu2ZnSnS4.

Photoluminescence and electrical study of fluctuating potentials in Cu2ZnSnS4-based thin films

In this work, we investigated structural, morphological, electrical, and optical properties from a set of Cu2ZnSnS4 thin films grown by sulfurization of metallic precursors deposited on soda lime glass substrates coated with or without molybdenum. X-ray diffraction and Raman spectroscopy measurements revealed the formation of single-phase Cu2ZnSnS4 thin films. A good crystallinity and grain compactness of the film was found by scanning electron microscopy. The grown films are poor in copper and rich in zinc, which is a composition close to that of the Cu2ZnSnS4 solar cells with best reported efficiency. Electrical conductivity and Hall effect measurements showed a high doping level and a strong compensation. The temperature dependence of the free hole concentration showed that the films are nondegenerate. Photoluminescence spectroscopy showed an asymmetric broadband emission. The experimental behavior with increasing excitation power or temperature cannot be explained by donor-acceptor pair transitions. A model of radiative recombination of an electron with a hole bound to an acceptor level, broadened by potential fluctuations of the valence-band edge, was proposed. An ionization energy for the acceptor level in the range 29–40 meV was estimated, and a value of 172 ±2 meV was obtained for the potential fluctuation in the valence-band edge.

Growth pressure dependence of Cu2ZnSnSe4 properties

In this work, we show a set of growth conditions, for the two step process, with which the growth of CZTSe is successful and reproducible. The properties of the best CTZSe thin films grown by this method were examined by SEM/EDS, XRD, Raman scattering, AFM/EFM, transmittance and reflectance measurements, photoluminescence (PL) measurements and hot point probe. A broad emission band was observed in the photoluminescence spectrum of the CZTSe thin film. The band gap energy was estimated to be around 1.05 eV at room temperature, using the transmittance and reflectance data, and CZTSe samples show p-type conductivity with the hot point probe. The different characterization techniques show that we could grow single phase CZTSe thin films with our optimized process conditions.

Study of optical and structural properties of Cu2ZnSnS4 thin films

Cu2ZnSnS4 is a promising semiconductor to be used as absorber in thin film solar cells. In this work, we investigated optical and structural properties of Cu2ZnSnS4 thin films grown by sulphurization of metallic precursors deposited on soda lime glass substrates. The crystalline phases were studied by X-ray diffraction measurements showing the presence of only the Cu2ZnSnS4 phase. The studied films were copper poor and zinc rich as shown by inductively coupled plasma mass spectroscopy. Scanning electron microscopy revealed a good crystallinity and compactness. An absorption coefficient varying between 3 and 4×104cm−1 was measured in the energy range between 1.75 and 3.5 eV. The band gap energy was estimated in 1.51 eV. Photoluminescence spectroscopy showed an asymmetric broad band emission. The dependence of this emission on the excitation power and temperature was investigated and compared to the predictions of the donor-acceptor-type transitions and radiative recombinations in the model of potential fluctuations. Experimental evidence was found to ascribe the observed emission to radiative transitions involving tail states created by potential fluctuations.

Growth and characterization of Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films for solar cells

Cu2ZnSnS4 (CZTS) and Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) with their band gap energies around 1.45 eV and 1.0 eV, respectively, can be used as the absorber layer in thin film solar cells. By using a mixture of both compounds, Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe), a band gap tuning may be possible. The latter material has already shown promising results such as solar cell efficiencies up to 10.1%. In this work, CZTSSe thin films were grown in order to study its structure and to establish the best growth precursors. SEM micrographs reveal an open columnar structure for most samples and EDS composition profiling of the cross sections show different selenium gradients. X-ray diffractograms show different shifts of the kesterite/stannite (1 1 2) peak, which indicate the presence of CZTSSe. From Raman scattering analysis, it was concluded that all samples had traces of CZTS and CZTSSe. The composition of the CZTSSe layer was estimated using X-ray diffraction and Raman scattering and both results were compared. It was concluded that Se diffused more easily in precursors with ternary Cu–Sn–S phases and metallic Zn than in precursors with ZnS and/or CZTS already formed. It was also showed that a combination of X-ray diffraction and Raman scattering can be used to estimate the ratio of S per Se in CZTSSe samples.

Interface caligráfica de escrita no ar

Na atualidade, está a emergir um novo paradigma de interação, designado por Natural User Interface (NUI) para reconhecimento de gestos produzidos com o corpo do utilizador. O dispositivo de interação Microsoft Kinect foi inicialmente concebido para controlo de videojogos, para a consola Xbox360. Este dispositivo demonstra ser uma aposta viável para explorar outras áreas, como a do apoio ao processo de ensino e de aprendizagem para crianças do ensino básico. O protótipo desenvolvido visa definir um modo de interação baseado no desenho de letras no ar, e realizar a interpretação dos símbolos desenhados, usando os reconhecedores de padrões Kernel Discriminant Analysis (KDA), Support Vector Machines (SVM) e $N. O desenvolvimento deste projeto baseou-se no estudo dos diferentes dispositivos NUI disponíveis no mercado, bibliotecas de desenvolvimento NUI para este tipo de dispositivos e algoritmos de reconhecimento de padrões. Com base nos dois elementos iniciais, foi possível obter uma visão mais concreta de qual o hardware e software disponíveis indicados à persecução do objetivo pretendido. O reconhecimento de padrões constitui um tema bastante extenso e complexo, de modo que foi necessária a seleção de um conjunto limitado deste tipo de algoritmos, realizando os respetivos testes por forma a determinar qual o que melhor se adequava ao objetivo pretendido. Aplicando as mesmas condições aos três algoritmos de reconhecimento de padrões permitiu avaliar as suas capacidades e determinar o $N como o que apresentou maior eficácia no reconhecimento. Por último, tentou-se averiguar a viabilidade do protótipo desenvolvido, tendo sido testado num universo de elementos de duas faixas etárias para determinar a capacidade de adaptação e aprendizagem destes dois grupos. Neste estudo, constatou-se um melhor desempenho inicial ao modo de interação do grupo de idade mais avançada. Contudo, o grupo mais jovem foi revelando uma evolutiva capacidade de adaptação a este modo de interação melhorando progressivamente os resultados.

Plataforma de gestão e controlo de identidade digital e implementação novos modelos de governação e utilização das TIC

As estruturas orgânicas empresariais estão cada vez mais obrigadas a garantir elevados padrões de qualidade de serviços, possibilitando ao mesmo tempo a sustentabilidade das estruturas e ainda, o alinhamento dos investimentos efetuados com as estratégias de negócio. O seu desenvolvimento obriga a que na área das tecnologias de informação e comunicação exista a necessidade de repensar estratégias em vigor, procurando novos modelos, mais ágeis e mais capazes de se enquadrar nestas novas exigências. Neste âmbito, é de esperar que as plataformas de identidade digital tenham um papel determinante no desenvolvimento destes novos modelos, pois são um instrumento único para se implementarem plataformas heterogéneas, intemperáveis, com elevados níveis de segurança e de garantia de controlo no acesso à informação. O trabalho agora apresentado tem como objectivo investigar e desenvolver uma plataforma de identidade digital e uma plataforma de testes, que permitam ao Politécnico do Porto a aquisição de um infraestrutura de Tecnologias de Informação e Comunicação que se torne um instrumento fundamental para o desenvolvimento contínuo, de garantia de qualidade e de sustentabilidade de todos os serviços prestados à sua comunidade.

Amygdala activation in response to 2D and 3D emotion-inducing stimuli

Studying changes in brain activation according to the valence of emotion-inducing stimuli is essential in the research on emotions. Due to the ecological potential of virtual reality, it is also important to examine whether brain activation in response to emotional stimuli can be modulated by the three-dimensional (3D) properties of the images. This study uses functional Magnetic Resonance Imaging to compare differences between 3D and standard (2D) visual stimuli in the activation of emotion-related brain areas. The stimuli were organized in three virtual-reality scenarios, each with a different emotional valence (pleasant, unpleasant and neutral). The scenarios were presented in a pseudo-randomized order in the two visualization modes to twelve healthy males. Data were analyzed through a GLM-based fixed effects procedure. Unpleasant and neutral stimuli activated the right amygdala more strongly when presented in 3D than in 2D. These results suggest that 3D stimuli, when used as “building blocks” for virtual environments, can induce increased emotional loading, as shown here through neuroimaging.

Conceção e implementação de um programa de melhoria da qualidade: estudo de caso na Eurico Ferreira, S.A.

Os programas de melhoria contínua dos processos são cada vez mais a aposta das empresas para fazer face ao mercado. Através da implementação destes programas é possível conferir simplicidade e padronização aos processos e consequentemente reduzir os custos com desperdícios internos relacionados com a qualidade dos mesmos. As ferramentas de melhoria da qualidade e as ferramentas associadas ao Lean Thinking representam um pilar importante no sucesso de qualquer programa de melhoria contínua dos processos. Estas ferramentas constituem meios úteis na análise, controlo, organização de dados importantes para a correta tomada de decisão nas organizações. O presente projeto tem como principal objetivo a conceção e implementação de um programa de melhoria da qualidade na Eurico Ferreira, S.A., tendo por base a avaliação da satisfação do cliente e a aplicação dos 5S. Neste contexto, o trabalho teve como fundamentação teórica a Gestão da Qualidade, Lean Thinking e algumas ferramentas de ambas as matérias. Posteriormente foi selecionada a área de negócio da empresa a abordar. Após a seleção, realizou-se um diagnóstico inicial do processo identificando os diversos pontos de melhoria onde foram aplicadas algumas ferramentas do Lean Thinking, nomeadamente o Value Stream Mapping e a metodologia 5S. Com a primeira foi possível construir um mapa do estado atual do processo, no qual estavam representados todos os intervenientes assim como o fluxo de materiais e de informação ao longo do processo. A metodologia 5S permitiu atuar sobre os desperdícios, identificando e implementando diversas melhorias no processo. Concluiu-se que a implementação das ferramentas contribuiu eficientemente para a melhoria contínua da qualidade nos processos, tendo sido decisão da coordenação alargar o âmbito do projeto aos restantes armazéns do centro logístico da empresa. Pode afirmar-se com recurso à satisfação do cliente expressa através da evolução favorável do Service-level agreement que as ferramentas implementadas têm gerado resultados muito positivos no curto prazo.

Lean and quality management integration: improvement program implementation in a service company

Lean Thinking is an important pillar in the success of any program of continuous improvement process. Its tools are useful means in the analysis, control and organization of important data for correct decision making in organizations. This project had as main objective the design of a program of quality improvement in Eurico Ferreira, S.A., based on the evaluation of customer satisfaction and the implementation of 5S. Subsequently, we have selected which business area of the company to address. After the selection, there was an initial diagnostic procedure, identifying the various points of improvement to which some tools of Lean Thinking have been applied, in particular Value Stream Mapping and 5S methodology. With the first, we were able to map the current state of the process in which all stakeholders were represented as well as the flow of materials and information throughout the process. The 5S methodology allowed to act on the wastage, identifying and implementing various process improvements.